场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体器件，常用于放大、开关和调节电流。其工作原理基于半导体中的电场调制效应，主要有三种类型：金属氧化物场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）、绝缘栅场效应晶体管（Insulated-Gate Field-Effect Transistor，简称IGFET或MOSFET）和结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，简称JFET）。
这里重点介绍MOSFET，因为它是常见和广泛应用的场效应管之一，尤其在集成电路中应用广泛。
MOSFET是一种三端器件，包括栅极（Gate）、漏极（Source）和源极（Drain）。其工作原理如下：
基本结构：MOSFET由一根控制电极（栅极）和两个主电极（漏极和源极）组成。在晶体管中，通常是将两个异质半导体接触在一起，形成PN结。MOSFET的栅极上覆盖有绝缘层，通常是氧化物，将栅极和通道（在绝缘层下方的半导体区域）隔离开。
工作原理：
无栅压（截止区）：当栅极未加电压时，绝缘层阻止了电流通过，形成截止状态，MOSFET处于高阻态。
栅极正向偏置：当栅极施加正向电压时，在绝缘层下方形成了一个电场，使得通道区域的载流子（电子或空穴）受到栅极电场的控制。
通道形成：当栅极施加的电压足够大，使得在通道区域形成了一个导电路径，称为沟道或通道。这个通道允许电流从源极流向漏极（或反之），MOSFET处于导通状态，电流可以流过。
主要特性：
电阻变化：栅极电压可以控制通道的电阻，从而控制漏极和源极之间的电流。
电流放大：MOSFET可以放大电流，通过控制栅极电压来调节漏极和源极之间的电流。
高输入阻抗：MOSFET的栅极具有极高的输入阻抗，使得它对外部信号的响应非常灵敏。
场效应管（FET）的参数怎么看
场效应管（FET）的参数主要包括以下几个方面，这些参数对于了解场效应管的性能和特性非常重要：
漏极-源极导通电阻（RDS(on))：指在导通状态下，漏极和源极之间的等效电阻。这个参数决定了场效应管在导通状态下的功耗和热耗散能力。
栅极-源极电压（VGS)：指施加在栅极和源极之间的电压。该电压可以控制场效应管的导通状态，进而控制漏极和源极之间的电流。
漏极-源极电压（VDS)：指场效应管能够承受的漏极和源极之间的电压。超过这个电压可能会导致场效应管损坏。
栅极-源极截止电压（VGS(off))：指场效应管在栅极和源极之间的电压达到一定程度时，处于截止状态的电压。超过这个电压场效应管将截止导通。
漏极电流（ID(max))：指场效应管能够承受的漏极电流。超过这个电流可能会导致场效应管损坏。
输入电容（Ciss)：指场效应管的输入电容，即栅极和源极之间的电容。这个参数决定了场效应管对输入信号的响应速度。
输出电容（Coss)：指场效应管的输出电容，即漏极和源极之间的电容。这个参数影响场效应管在开关过程中的速度和功耗。
反向传导电阻（Reverse Transfer Capacitance, Crss)：指场效应管在反向传导状态下的等效电阻。
场效应管是做什么用的
它在电子设备中扮演着关键的角色，常见的用途包括但不限于以下几个方面：
放大器：FET可以作为信号放大器，放大电压、电流或功率信号。在放大器电路中，FET通常用于放大微弱的信号，例如音频信号、射频信号等。
开关：FET作为开关器件可以控制电路中的电流通路，实现电路的开闭。它在数字电路中被广泛应用，例如在计算机中的逻辑门、存储器、微处理器等电路中起到关键作用。
调节器：FET可通过调节栅极电压来控制漏极和源极之间的电流，从而实现对电路中电流的调节。这在电源管理电路和稳压电路中尤为重要。
高频应用：由于FET具有快速的开关速度和良好的高频特性，因此在射频（Radio Frequency, RF）应用中经常用于调制、解调、频率合成、射频功率放大等方面。
传感器接口：FET对输入信号的响应速度非常快，因此在传感器接口电路中常用于放大和处理传感器输出的微弱信号，如光电传感器、压力传感器等。