Kioxia推出适用于大容量移动存储的QLC UFS 4.1嵌入式闪存器件

第8 代BiCS FLASH™技术实现强大的性能和效率提升

Kioxia Corporation（铠侠）是全球领先的内存解决方案提供商，今天宣布该公司采用每单元4位的四层单元（QLC）技术的新款通用闪存1（UFS）版本4.1嵌入式内存器件开始送样。新款器件专为读取密集型应用和大容量存储需求而设计，采用Kioxia的第8 代BiCS FLASHTM 3D闪存技术。

QLC UFS 4.1嵌入式闪存器件

QLC UFS相比传统TLC UFS具有更高的位密度，非常适合需要大存储容量的移动应用。得益于控制器技术和纠错技术的进步，让QLC技术能够在实现这一目标的同时，保持有竞争力的性能。

在这些技术进步的基础上，Kioxia的新款器件实现了显著的性能提升2。与上一代（UFS 4.0 / BiCS FLASH™6 QLC UFS）相比，Kioxia的QLC UFS将顺序写入速度提升了25%，将随机读取速度提升了90%，并将随机写入速度提升了95%3。写放大系数（WAF）也提升了最高3.5倍（在禁用WriteBooster的情况下）。

Kioxia QLC UFS不仅非常适合智能手机和平板电脑，此外同样支持需要更高容量和性能的新型产品，包括个人电脑（PC）、网络、增强现实/虚拟现实（AR/VR）、物联网（IoT）以及启用人工智能（AI）的设备。

新款UFS 4.1器件提供512 GB和1 TB两种容量，将Kioxia先进的BiCS FLASH™ 3D闪存与集成的控制器组合在JEDEC标准封装中。Kioxia的第8代BiCS FLASH™ 3D闪存推出了CMOS直接键合阵列（CBA）技术，这一架构创新标志着闪存设计领域的一次飞跃式改变。

主要特点包括：

• 符合UFS 4.1规范。UFS 4.1向后兼容UFS 4.0和UFS 3.1。

• 第8代Kioxia BiCS FLASH™ 3D闪存

• 支持WriteBooster，显著提升写入速度

• 封装尺寸比上一代QLC UFS更小：从11×13 mm缩小至9×13 mm

相关链接：
Kioxia的UFS 4.1产品页面

注：

(1)通用闪存（UFS）是根据JEDEC UFS标准规范建造的一个嵌入式内存产品类别。由于采用串行接口，UFS支持全双工，即可以在主机处理器和UFS器件之间实现并发读写

(2)基于Kioxia的内部测试

(3)512GB产品，启用WriteBooster时

- 凡提及某个Kioxia产品之处：产品密度是指该产品内部的内存芯片密度，而非最终用户可用于数据存储的内存容量大小。由于开销数据区域、格式化、坏扇区和其他限制的原因，用户可用容量将会低于该值。要了解详情，请参阅相关产品规格。定义：1KB = 2^10字节 = 1,024字节；1Gb = 2^30位 = 1,073,741,824位；1GB = 2^30字节 = 1,073,741,824字节。1Tb = 2^40位 = 1,099,511,627,776位。

- 1 Gbps = 1,000,000,000位/秒。读写速度是Kioxia在特定测试环境中取得的最佳值，Kioxia不保证具体器件设备上的读取或写入速度。读写速度可能因所用设备以及读取或写入的文件大小而异。

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