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Kioxia推出UFS 4.1版本嵌入式闪存设备样品

全球存储解决方案领导者Kioxia Corporation今日宣布,已开始提供全新的通用闪存存储(2) (UFS) 4.1版本嵌入式存储设备样品,进一步巩固其在高性能存储领域的领先地位。这些新设备专为满足下一代移动应用程序的需求而设计,包括搭载设备端AI的高级智能手机,它在小型BGA封装中实现了性能提升与更高的能效(3)。

Kioxia:面向下一代移动应用程序的UFS 4.1版本嵌入式闪存设备

Kioxia的UFS 4.1版本设备在JEDEC标准封装中集成了公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。这些全新UFS设备采用Kioxia第8代BiCS FLASH™ 3D闪存(1)打造。该代产品引入了CBA(CMOS直接键合阵列)技术——这一架构创新标志着闪存设计的重大飞跃。通过将CMOS电路直接键合至存储阵列,CBA技术大幅提升了能效、性能和存储密度。

Kioxia的UFS 4.1版本设备兼具高速与低功耗特性,旨在提升用户体验,实现更快的下载速度和更流畅的应用程序运行表现。

核心特性包括:

相关链接:
Kioxia UFS 4.1产品页面
https://www.kioxia.com/en-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html

注:
(1) 仅适用于512 GB / 1 TB型号。
(2) 通用闪存存储(UFS)是一类符合JEDEC UFS标准规范的嵌入式存储产品。凭借串行接口,UFS支持全双工模式,可实现主机处理器与UFS设备之间的并发读写。
(3) 分别与上一代512 GB设备“THGJFMT2E46BATV”和1 TB设备“THGJFMT3E86BATZ”相比(仅适用于512 GB / 1 TB型号)。
(4) 上一代1 TB设备型号为“THGJFMT3E86BATZ”。

*在每次提及Kioxia产品时:产品密度是根据产品内部存储芯片的密度确定的,而非最终用户可用于数据存储的内存容量。由于存在冗余数据区、格式化、坏块及其他限制,消费者可使用的容量会更少,且可能因主机设备和应用程序的不同而有所差异。详情请参考相关产品规格。1 KB定义为2^10字节=1,024字节。1 Gb定义为2^30比特=1,073,741,824比特。1 GB定义为2^30字节=1,073,741,824字节。1 Tb=2^40比特=1,099,511,627,776比特。1 TB=2^40字节=1,099,511,627,776字节。

*读写速度为Kioxia Corporation在特定测试环境下获得的最佳值,Kioxia Corporation不对单个设备的读写速度作出保证。实际读写速度可能因所用设备及读写文件大小而有所不同。

*公司名称、产品名称和服务名称可能第三方公司的商标。

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