Microchip的SiC交货期计划可满足您的产品上市时间

问：SIC-MOS管 1700V运2000瓦大电源上，不会出现发热，炸管子
答：2000瓦功率对SiC器件应用来说不算是大功率，正确使用SIC器件不会炸。

问：供应链是如何保证稳定？
答：我们的双晶元厂选址策略以及公司近30年功率半导体领域的服务经验保障我们客户的供应链稳定

问：MicroChip有没有直营网上商城？价格怎样？
答：你好，我们有直营网站

问：MicroChip有没有直营网上商城？价格怎样？
答：欢迎名位访问 Digi-Key 网站www.digikey.cn 去找到更多Microchip的 产品

问：整体解决方性价比如何？
答：SiC整体解决方案性价比优越，系统性能优势体现在效率高，功率密度大，可靠性好等等，系统成本也有优势，尤其是从整个产品寿命的角度对比

问：Microchip的SiC器件最长交货期多长时间？
答：目前我们的平均leadtime交货期可以达到

问：Microchip的SiC器件最长交货期多长时间？
答：目前我们的平均leadtime16周

问：碳化硅的场合是否可以用氮化镓代替
答：氮化镓相比于SiC，其极限使用电压不会太高，一般不高于700V，而SiC器件有更高的反向击穿电压，例如现在单管已经可以做到3.3KV。对于较大功率系统高压的SIC器件可以降低线路的损耗，相较于氮化镓具有较大的优势。

问：有哪些技术应用案例分析介绍一下好吗？
答：SiC主要用于大功率电源，比如充电桩，车载充电器，DCDC，PV，新能源电源，数据中心，医疗，半导体生产设备等等

问：Microchip SIC 产品有那些优势了？
答：Microchip的碳化硅产品具有高可靠性，综合性能优越的特点，另外我们从事SiC产品研发超过十年，有一批有经验的技术人员

问：大功率海上大灯，能提供SIC管子的，设计方案
答：目前MCHP没有特别针对海上大灯的使用SiC管子的电源设计方案。因电源产品有共性，相应功率等级的电源可以参考其它电源方案，SiC器件的选型也一并可参考。如有具体要求可以与MCHP的技术支持联系确认SiC器件的选型。

问：sci主要应用于哪些方面？
答：主要用于大功率电源，比如OBC，充电桩，EV， 半导体设备，数据中心等等

问：MicroChip中文官网有商城吗？
答：欢迎大家访问Digi-Key中文官方网站www.digikey.cn，了解更多Microchip相关产品

问：模块采用的是哪些拓扑结构？
答：半桥，全桥，三相半桥等，BUCK，BOOST等。MCHP会根据市场的需求不断推出其它更多新的拓扑结构的模块。另外，MCHP也推出了无散热基板的模块，以降低系统成本。

问：微芯 的SIC产品 的交期目前是多长？
答：我们目前平均交货期可达到16周，具体可以和我们各地的销售工程师联系

问：微芯 的SIC产品 的交期目前是多长？
答：我们目前平均交货期可达到16周，具体可以和我们各地的销售工程师联系

问：考虑到中长期合作，如何保证产品后期售后服务？
答：我们有多年半导体领域支持和服务经验，详情请联系我们各地的销售和技术支持团队

问：出色的耐受性是怎么衡量的？
答：耐受性是指产品的长期可靠性和极端工作环境下的承受性能，Microchip的碳化硅产品具有很好的耐受性

问：出色的耐受性是怎么衡量的？
答：具体，MOS门极氧化无的稳定性（可忽略的高温门极正反偏试验后的门极开通电压变化），R-UIS试验后的TDDB试验的后的生命周期无衰减，以及极强的短路耐受时间。

问：有哪些突出的优势？
答：MCHP的碳化硅产品经过持续不断的投入和经验积累具有可靠性好，应用经验丰富，产品交期短，无EOL政策确保供应链稳定等优势

问：SIC 产品一般是在MOS 这种功率器件上么？
答：肖特基二极管和MOSFET都有

问：产品供货期多少？
答：目前我们SIC产品的平均交货期可达到16周，具体请联系我们各地的销售支持团队

问：会不会降低系统性能？
答：MCHP产品性能保持一贯的稳定性

问：Microchip的SiC交货期计划有哪些亮点？
答：目前我们SIC产品的平均交货期可达到16周，具体请联系我们各地的销售支持团队

问：实际应用中稳定性如何？输出波动大呜？抗干扰能力如何？
答：MCHP的SiC产品以稳定可靠著称，输出性能主要由产品本身和拓扑结构来保证，可实现很好的抗干扰性能

问：与其他厂商的SiC器件相比在使用寿命上具有哪些优势？
答：MCHP 的SiC产品继承了MCHP Si分立器件的高可靠性性能，测试全面

问：Microchip的其他元件比如MCU也有相关的交货周期计划吗？很多方案都是控制器和功率器件相关联的
答：关于公司其他类型产品的交货周期，请联系我们本地的销售和支持团队

问：主要再哪方面应用的比较多？
答：OBC，EV 充电，半导体设备电源，通讯电源，太阳能逆变。。。。

问：解决方案优势如何？
答：除了器件的稳定性，雪崩耐受性优势，MCHP有ASDAK、ASDAK+驱动方案，该方案特别具有针对MOS开通和关断所需的Vgs图腾柱的时间和幅度的控制，有利于抑制开关过程中的过冲和振铃，可以快速解决用户的设计定性。

问：特色新意有哪些？
答：长期使用的可靠性及好的交货周期，另外新发布了3.3KV的二极管和MOSFET

问：在高温下电流泄漏水平如何？
答：器件该指标的测试完全按器件的规格书要求。

问：Microchip确保稳定、长期的SiC供应有哪些应对措施？
答：我们的双晶元选址策略和30多年功率半导体领域的服务经验保障客户稳定和长期的SIC供应

问：整体系统解决方案包括那些内容？
答：除了SiC产品之外，在整个电源系统中MCHP可以提供TSS方案包括MCU， CAN， gate driver, DCDC,LDO,PFC 等等，需要了解更多请联系我们

问：提高交货期的方法是什么？
答：我们的双晶元选址策略和30多年功率半导体领域的服务经验保障客户稳定和长期的SIC供应

问：microchip现有的SiC产品是原先microsemi的产品线吗？
答：是的，在此基础上，MCHP在产线，人员等方面加大了投入

问：如何缩短SIC供应周期并保证质量？
答：我们的双晶元选址策略和30多年功率半导体领域的服务经验保障客户稳定和长期的SIC供应周期和质量

问：关于耐受性及EMC的相关试验有没有或者EMC的成熟设计方案？
答：关于耐受性，我们有些试验是MCHP自己试验室测试，有一些是与国外大学试验是联合试验数据。EMC方面，由于MCHP的SiC器件面向的客户群较多，没有专门针对所有应用的EMC成熟设计方案，我们有类如30KW维埃纳PFC demo, 效率可以做到98.6%，其相应的EMC性能也较理想。

问：Microchip的SiC器件最长交货期多长时间？
答：目前我们SIC产品的平均周期可达到16周，具体请联系我们当地的销售和支持团队

问：SiC解决方案有哪些优势？解决了哪些用户的现实难题？
答：SiC的主要优势是效率高，功率密度大，可以帮助客户改善可靠性，散热，体积等要点

问：整体解决方案怎么结合客户应用？
答：我们有TSS整体方案提供给客户，我们的客户可以按照实际需求做选择和优化

问：SiC的交货期如何保证？其售后服务又如何来解决？谢谢
答：我们的双晶元选址策略和30多年功率半导体领域的服务经验保障客户稳定和长期的SIC供应

问：Microchip稳定性如何？
答：MCHP SiC及其他Si分立器件是以可靠性著称的

问：SiC器件应用到电力滤波的案例有吗？
答：对于现有电力滤波使用的普通硅材的DIODE，MOSFET，IGBT器件的，SIC二极管和MOSFET都可以替代使用。

问：有那些可靠性测试过吗？
答：栅极氧化物的稳定性，栅极氧化层的寿命，雪崩耐受试验，TDDB试验，短路耐受功率试验，耐中子辐射试验，全温度导通电阻变化试验等。

问：微芯对于Sic原件在技术先进性方面有哪些技术特点？
答：导通和开关损耗小，电子流动性更好，反向耐压性能好，相同体积下可承载更大电流和功率密度

问：Microchip在汽车领域有哪些应用？
答：主要用于大功率电源，汽车应用主要集中在OBC和充电桩

问：SiC MOSFET的栅极驱动电路如何设计?和Si MOSFET的栅极驱动如何接口?
答：通常SiC和Si的门驱动电压不同，一些SiC需要负压，主要看具体情况作出相应修改

问：MicroChi SIC 产品跟同行比有那些特点了？
答：交货期段，不会EOL（不停产）。性能上：栅极氧化物稳定，栅极氧化侧寿命长，雪崩耐受强壮，抗冲击长时间稳定，短路耐受强，有MCHP独特的ASDAK驱动方案可以快速解决客户的选型和保证开关过程中的过冲及振铃有效抑制、提升器件的安全裕度和系统的EMC性能。

问：Microchip SiC PWM频率最高多少？
答：最高在400KHz左右，具体根据器件在系统的使用余量不同。

问：碳化硅是否有在固态继电器的使用案例？
答：有客户测试后认为可以使用，基于目前价格因素，目前市场普通硅使用多。

问：自主的独特创新元素有哪些？
答：MCHP SiC长期可靠性比较好

问：目前最高功率的产品是哪款？具体性能参数？
答：MCHP SiC包括二极管，MOSFET和模块产品，从700V到3300V分布在不同电压及功率等级

问：请问：全面推行碳化硅替代IGBT的关键技术难点有哪些？
答：系统设计与IGBT使用的差异需要改动，包括被动器件参数的调整，栅极驱动的差异（驱动电压不同），开通关断过程的处理。

问：能否仿真？效果如何？
答：我们不提供仿真，我们可以协助客户做仿真

问：Microchip的SiC应用有哪些？
答：MCHP SiC主要用于大功率电源，比如OBC， EV，PV，Data Center， 通讯，半导体设备，医疗等等

问：SiC MOSFET的输出开关电流变化率跟传统的硅MOSFET相比，孰高孰低？
答：就开关部分，通常使用SiC MOSFT可以做得更高

问：是否也已有哪些更进一步提升优化拓展创新的前瞻性规划？
答：我们目前刚刚发布3.3kV 的二极管和MOSFET以适应市场对高功率密度的需求

问：常见的失效模式有哪些？
答：EOS是比较常见的失效模式，应用中需要遵照规格书中的最大电气指标规定，以避免这种失效

问：Microchip除了700V，1200V，1700V的SiC以外，还有没有其他电压范围的产品？
答：我们新推出了3.3kv的SIC Mosfet产品，扩充了

问：Microchip除了700V，1200V，1700V的SiC以外，还有没有其他电压范围的产品？
答：3.3kv的碳化硅产品扩充了工程师系统应用的选型

问：SIC功率器件交收哪些项目参数比较重要？
答：一般 导通内阻，击穿电压，持续导通电流和峰值电流。其它参数可见规格书。

问：Microchip的SiC MOSFET生产工艺是怎样的？有什么特点？
答：平面结构，显著特点雪崩耐受能力强

问：Microchip的SiC可以提高多少电源效率？
答：如果和IGBT 相比，可以节省高达70%的损耗

问：高温环境下，反激式电源中，sic mosfet是否有优势？
答：SiC反向击穿电压可以做到3.3KV了，这个特别在宽电压输入的反击中有优势