Microsemi双路SiC MOSFET参考设计MSCSICMDD／REF1
Microsemi公司的MSCSICMDD/REF1是双路SiC MOSFET驱动器参考设计,是开源解决方案,提供了用户友好的设计指南,使得用户采用MicrosemiSiC MOSFET能更快地走向市场.参考设计还支持过度到下代SiC MOSFET,新的参考设计为用户提供了高度绝缘的SiC MOSFET双栅极驱动器开关,用作评估各种拓扑中SiC MOSFET的方法.这包括有同步死区时间保护的半桥开关闭优化模式,以及没有保护的异步信号传输.它还配置成提供共流驱动以了解无阻尼感应开关(UIS)或双脉冲测试.参考设计仅需要24V电源输入,两个栅极驱动的隔离大于2000V,每边栅极驱动能力8W,栅极驱动电压–5 V/20 V,峰值输出电流高达±30 A,高达400kHz开关频率,单端或RS485/RS422差分输入栅极控制,±100 kV/μs功能,故障信令,可配置开关死区时间,非常低的时序抖动.主要用在航空航天(激励,空调,电源分配),汽车电子(混合/电动汽车动力总成,电动汽车电池充电器,DC/DC转换器和能量恢复),国防(电源,大功率马达驱动),工业(光伏逆变器,马达驱动,焊接机,UPS,开关电源,电感加热,石油钻井)以及医疗(MRI,X射线电源).本文介绍了SiCMSCSICMDD/REF1参考设计主要特性,框图和半桥框图,电路图和材料清单.
The dual SiC MOSFET driver reference design is an open-source solutionthat provides user-friendly design guides, enabling faster time-to-marketfor customers using MicrosemiSiC MOSFETs. The reference design alsosupports the transition to Microsemi’s next-generation SiC MOSFETs.
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