圣邦微电子推出 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET SGMNL12330
圣邦微电子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封装、单 N 沟道功率 MOSFET。该器件可应用于 PWM 应用、电源负载开关、电池管理和无线充电器。
SGMNL12330 是一款 30V 耐压的单 N 沟道功率 MOSFET，采用紧凑的 TDFN-2×2-6BL 封装，专为高功率密度和高效能应用而设计。该器件具有出色的电流处理能力，在 +25°C 环境下可提供高达 10A 的持续输出电流，脉冲电流能力更达到 40A，满足严苛的负载需求。其超低的导通电阻（典型值仅 9mΩ@VGS = 4.5V）显著降低了功率损耗，使系统能效得到显著提升。
该 MOSFET 在动态性能方面表现优异，总栅极电荷（QG）低至 21.1nC，结合快速的开关特性（开启延迟 10.9ns，关断延迟 28.5ns），使其非常适合高频 PWM 应用场景。器件支持宽范围的栅极驱动电压（±12V），为设计提供了更大的灵活性。在热管理方面，SGMNL12330 展现出卓越的可靠性，其工作结温范围覆盖 -55°C 至 +150°C，并具备 67.3mJ 的雪崩能量耐受能力，确保在恶劣环境下稳定运行。
SGMNL12330 特别适用于需要高效功率转换的各类应用，包括但不限于 DC/DC 转换器、电池管理系统、无线充电模块以及工业自动化设备。其小尺寸封装（仅 2mm×2mm）为空间受限的设计提供了理想解决方案，同时符合 RoHS 及无卤素环保标准。器件提供完善的保护功能，包括热关断和逐周期电流限制，为系统安全保驾护航。
图 1 SGMNL12330 封装引脚图
图 2 SGMNL12330 等效电路
