星曜半导体正式发布LB L－PAMiD全自研射频模组芯片，实现滤波器集成新模式
射频模组市场份额的增长，与手机射频电路模组化程度提升的趋势密不可分。从2014年的Phase2方案开始，MTK的PhaseX方案成为了市场主流，占据整个4G市场约80%的份额。Phase2方案首次将2G PA整合进天线开关模组(ASM)，形成 TxM 发射模组，同时将4G PA整合，形成完整的4G MMMB PA产品，极大提升了射频前端电路的集成化程度。后续在Phase2方案的基础上，衍生出了Phase6/Phase6L方案，首次在公开市场方案中应用PAMiD，集成程度进一步提高。
进入到 5G 时代，面向高、中、低端不同机型对成本和性能的不同要求，在 Phase2和 Phase6 方案基础上，进一步衍生出了Phase5N和Phase7方案。Phase7方案由MTK官方定义，集成化程度很高，但成本也相对较高、冗余功能多、供应链亦相对集中，关键的 PAMiD 器件只有少数国际头部厂商可以提供，限制了方案的大规模推广。在首轮 5G 部署完成后，终端厂商基于Phase2开发出了Phase5N 方案。尽管 Phase5N 方案射频性能较弱、集成度较低/电路面积较大、调试难度也相对较高，但 Phase5N 方案成本低廉的优势，使得其迅速在中低端机型得到推广。
Phase7系列方案的推广进一步提升手机射频前端模组集成化程度。MTK联合器件厂商和终端厂商着手定义全新的5G射频前端方案，推出了全新的Phase7LE方案，主要面向高端旗舰手机，采用Low Band和Mid/High Band两颗 L-PAMiD（即 LB L-PAMiD和MHB L-PAMiD），并采用更小的封装尺寸来缩减电路面积，支持更多的5G CA及EN-DC组合。系统特性要求的升级，也拉动了射频电路复杂度升级，带动射频模组芯片市场规模不断增长。
本次星曜半导体针对5G应用重磅发布LB L-PAMiD模组全自研芯片产品：STR51210-11。该产品集成了由星曜半导体全自主开发的2G+4G/5G LB PA、LNA、Switch、Band 8/26/28F等频段双工器。该产品的重磅发布充分体现了星曜半导体在射频模组上卓越的自主研发能力和创新力，STR51210-11具有以下产品特征和性能优势：
1. 产品封装尺寸为7.6mm x 6.0mm，可有效改善5G方案中布板面积不足的问题，对比分立器件的方案，可以有效节约客户的布板面积；另一方面，节省了客户端射频研发的开发/调试时间，同步简化了设计和制造流程，从而为客户节约一定的研发/制造成本。
2. 模组内置国内常见的LB频段，如B8/B5(26)/B28F(全频段)，且支持2G的LB+HB以及谐波抑制滤波器，并预留了4个TRX AUX口，可支持客户灵活拓展所需的其他频段，满足5G时代手机等设备在不同使用区域对频谱资源的广泛需求，确保设备的区域网络兼容性。
3. 星曜首创了模组芯片全部内置TF-SAW双工器这一集成方案，全自研/模组应用场景高度定制化的TF-SAW滤波器具有低插损/高抑制度/高隔离/低温漂/高功率耐受等特性。既解决了BAW工艺不适合低频率的痛点，又解决了TC-SAW性能无法达到极致的问题，使得模组整体具有更高的性能和更可靠的功率耐受，同时可以避免诸如TRX收发干扰/CA场景下的互扰等等常见射频问题，确保信号的传输质量，提高信号的数据速率的同时降低信号延时。
4. 在4G/5G性能方面，天线输出口的B8/B28F/B26等频段的线性功率大于25.5dBm (ACLR<=-38dBc），同时兼具较高的效率。另外，多路LNA的设计，使模组可支持LB+LB的EN-DC/CA等功能，B8/B28F/B26接收链路LNA增益在15dB以上。在2G性能方面，LB 天线输出口功率超过34.5dBm，HB天线输出口功率超过34.2dBm。内部增加OVP和OCP功能，保证2G PA工作中的稳定性。产品整体性能达到一流模组厂商的水准。
图1. 星曜半导体STR51210-11产品框图及开盖图
(a)2G Vramp & Power和 Vramp & ICC关系图
(b) LTE/NR性能
(c) 性能部分汇总（测试条件：VCC=3.4V, LTE/NR波形）
图2. 星曜半导体STR51210-11产品测试性能图
本次发布的L-PAMiD射频模组芯片产品具有里程碑式的重要意义。星曜半导体作为以滤波器为核心技术基础的射频前端芯片公司，是国内首家正式发布L-PAMiD射频模组芯片产品的滤波器研发企业，改变了原有的以PA为核心技术基础的射频芯片公司采用外购滤波器的商业格局，成为国内独家实现L-PAMiD射频模组芯片内部器件全自研的射频芯片研发企业。
星曜半导体具备完整的射频前端芯片研发能力和多样化的射频前端解决方案，依托于自身扎实领先的滤波器、射频开关、PA、LNA研发能力和强大的模组设计能力，陆续推出并量产了一系列全自研的射频滤波器、发射模组和接收模组芯片产品，进一步完善了射频前端领域的芯片产品布局。
表1. 星曜半导体模组产品列表
表2. 星曜半导体滤波器产品列表
【星曜半导体简介】
浙江星曜半导体有限公司成立于2020年11月（前身是浙江信唐智芯科技有限公司），是一家专注于射频滤波器芯片和射频前端模组的研发、生产和销售的高科技企业。公司总部位于温州，在上海、成都、深圳、西安、苏州均设有研发或销售中心。星曜半导体公司由国家领军人才、浙江省顶尖人才领衔创办，目前拥有一支100多人的国内外顶尖研发团队，其中博士硕士超过70人，公司核心研发人员均毕业于国内外知名高校且拥有国内外顶尖射频滤波器或射频芯片公司（Qualcomm、Apple、Qorvo、Skyworks、TDK等）多年工作经验，曾研发出多款芯片成功量产应用在苹果、三星等品牌旗舰机型。星曜半导体技术团队在基础理论、设计、工艺、封装、测试、量产等技术领域积累了丰富的理论和工程实践经验。星曜半导体坚持以市场需求为导向、以核心技术为支撑的产品开发理念，不断深化产品线布局。基于TF-SAW、SAW、BAW、BAW+IPD技术，目前已开发60多款成熟滤波器、双工器、四工器等芯片产品（代表性产品包括TF-SAW Band 3、Band 2、Band 7、Band 41F、Band 25、Band 28F、Band 28 Tx + Band 28&20 Rx、Band 20 Tx + Band 20&28 Rx、Band 1 + Band 3、Band 25 + Band 66等， BAW n41F、n78、n79 NB、n79F、WiFi 6E等）；基于SOI、GaAs、CMOS等工艺，已开发全套射频接收模组产品（DiFEM、L-DiFEM、LNA Bank等）和部分发射模组产品（PAMiD、L-PAMiF、L-PAMiD、PA等）。绝大多数产品性能达到国内领先、国际一流水平。目前多款产品量产交付国内外一流客户，四工器、双工器和发射滤波器出货量超过5亿颗，且正在迅速增长中。公司的5G射频滤波器芯片产线项目于2023年8月正式启动，该项目选址温州湾新区，总投资7.5亿元，主要建设射频滤波器芯片晶圆制造产线，建成后年产12万片射频滤波器晶圆片。本项目建成后，星曜公司将完成射频滤波器芯片研发、设计、制造、封装、测试等环节，将大幅度增强星曜公司的行业竞争力和影响力，同时也能助力我国高性能射频滤波器和射频模组芯片领域的产业竞争力。
