三菱电机株式会将发售2款“X系列LV100封装HVIGBT模块”，

三菱电机株式会社将从9月开始、依次发售2款“X系列LV100封装HVIGBT※1模块”，作为面向电气化铁路、电力等大型工业机器的大容量功率半导体模块的新产品。该模块实现业内最大电流密度※2，有助于实现逆变器的输出功率和效率；并且采用全新封装结构，利于并联应用，实现灵活配置，并提高系统可靠性。今后，计划还将使用性能超过Si（硅片）更具低损耗化与高频动作可能性的SiC※3制成LV100封装产品，以充实产品阵容。

本产品将在 “PCIM Europe 2017”（5月16-18日于德国纽伦堡举行）以及“PCIM Asia 2017”（6月27-29日于中国上海举行）上展出。

※1　High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高压绝缘栅型双极晶体管
※2　截至2017年5月11日，根据本公司的调查
※3　Silicon Carbide：碳化硅
 

新产品的特点

1．实现业内最大的电流密度，有助于实现逆变器的大功率和高效率
・采用三菱电机CSTBTTM※４结构的第7代IGBT和RFC二极管※５硅片技术，作为Si模块实现了业内最大※2的电流密度，高达8.57A/cm2＜3.3kV/600A＞
・AC输出主端子增加至3个，分散输出电流，缓解主端子的发热状况，实现在大电流工况下可靠运行。
※4　载流子存储式沟槽栅型双极晶体管
※5　Relaxed Field of Cathode Diode：本公司独有二极管，提高了阴极侧电子迁移率
2．便于并联应用，有效支持各个功率段的逆变器
・通过优化端子布局，方便并联应用，有效支持各个功率段的逆变器
3．通过全新封装结构，有助于实现逆变器系统的高度可靠性
・通过绝缘板与散热板的一体化设计，改善热循环寿命※6与功率半导体芯片的散热性，由此实现功率循环寿命※7的提高，并有助于实现高度可靠性
※6　因相对较长时间的温度循环令外壳温度发生变化时的寿命
※7　因相对较短时间的温度循环令芯片温度发生变化时的寿命

发售概要

商标
CSTBT是三菱电机株式会社的注册商标。