
1月5日,根据市场研究机构TrendForce最新公布的研究报告称,2026年第一季度,由于DRAM原厂大规模将先进制程、新产能转移至服务器(server)、高带宽内存(HBM)应用,以满足人工智能服务器(AI server)的需求,其余市场供给严重紧缩,预计整体通用型DRAM(conventional DRAM)合约价将环比增长55-60%。NAND Flash则因原厂管控产能,以及服务器强劲拉货排挤其他应用,预计各类产品合约价将持续上涨33-38%。

第一季度,尽管个人电脑(PC)用动态随机存取存储器(DRAM)面临整机出货量下调,以及可能的规格降低导致内存需求增长放缓的情况,但DRAM原厂同时收紧了对个人电脑原始设备制造商(PC OEM)和模组厂的供应,致使部分个人电脑原始设备制造商不得不以更高价格向模组厂采购,预计这将会抬高原厂模组的市场价格,大幅推升个人电脑用动态随机存取存储器的价格。
而AI推理带动的服务器搭建持续驱动美国云服务提供商(CSP)进行采购,相关业者自2025年底起持续向原厂拉货(pull in)或追加服务器DRAM需求,且因其过往成交记录和需求展望较好,获得原厂在位元供应方面较大的年增幅。在原厂库存水位见底的情况下,出货量规模增长只能依赖晶圆厂提高产量,这加剧了供不应求的态势,预计第一季度原厂将积极上调服务器DRAM价格,涨幅超60%。
即便手机品牌在淡季对内存需求不强,但由于移动动态随机存取存储器(mobile DRAM)供应紧缩的情况短期内难以改善,且未来几个季度的合约价格可能再次上涨,各品牌在第一季度仍保持较强的拉货力度。预计低功耗双倍数据速率4X(LPDDR4X)、低功耗双倍数据速率5X(LPDDR5X)均将出现供不应求、资源分配不均的情况,价格走强。
因英伟达(NVIDIA)RTX 6000系列销售目标下调,且部分个人电脑(PC)原始设备制造商(OEM)下调出货计划,图形用动态随机存取存储器(Graphics DRAM)的需求动能趋于保守。然而,其产能受到制程高度重叠的第五代双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR5)的排挤,供应偏紧带动价格上涨。
在整体DRAM供应紧张的情况下,消费级DRAM客户为降低未来缺货风险,愿意以较高价格换取原厂第一季度的优先供应,但由于部分供应商扩产态度谨慎,且后续需保留一定产能给高容量产品,短期内仍是供不应求,支撑价格上涨。
AI引领NAND闪存市场增长,预计2026年企业级SSD需求将首次超越手机应用
集邦科技(TrendForce)表示,第一季度由于预期笔记本电脑出货量季节性减少,且部分中低端机型出现SSD容量降级以压低物料清单(BOM)成本的情况,影响了客户端SSD的需求。然而,由于原厂追求利润最大化,客户端SSD的供应受到数据中心SSD的排挤,其中高性价比的大容量QLC产品供应最为紧张,预计第一季度客户端SSD合约价仍将环比增长至少40%,涨幅在各类NAND闪存产品中居首。
因北美CSP业者加大人工智能基础设施建设投入,2026年全球服务器市场将迎来增长高峰,带动企业级固态硬盘(enterprise SSD)需求,预计其将成为NAND闪存的最大应用领域。然而,供应商因产能有限,采取盈利优先和控制出货策略,供应紧缩态势加剧,推动企业级固态硬盘价格上涨。
在eMMC/UFS领域,由于2025年上半年的手机促销活动提前透支了购买需求,加之目前第一季度市场处于库存调整阶段,预计手机出货量将出现明显的季度性下滑。即便另一主要应用产品Chromebook的出货量因政府招标项目而逆势增长,eMMC/UFS的需求仍略显疲软。供应方面,由于原厂产能占比持续缩减,尽管有模块厂商能够缓解部分压力,但整体仍供不应求。
因消费类产品、零售市场表现低迷,且在经历2025年第四季的激进涨价后,NAND闪存晶圆预计2026年第一季需求将走弱。不过,由于原厂优先将产能投入高毛利产品线,压缩了对模块厂的晶圆供应,价格持续上涨。