
作为填补中国大陆DRAM产业空白的领军企业,长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“长鑫科技”)的科创板上市之旅正式进入冲刺阶段。
根据其披露的招股说明书(申报稿),公司拟公开发行不超过106.22亿股A股,募集资金295亿元用于技术升级与前瞻研发,同时预计2025年营业收入将实现550亿至580亿元的跨越式增长,同比增幅最高达139.89%,有望成为科创板又一科技巨头。

长鑫科技成立于2016年,专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售,是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业。经过多年深耕,公司通过“跳代研发”策略完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产,实现了DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品迭代,核心技术达到国际先进水平。截至2025年6月30日,公司在合肥、北京两地拥有3座12英寸DRAM晶圆厂,产能规模位居中国第一、全球第四,按2025年第二季度销售额统计,全球市场份额已增至3.97%。
本次295亿元的募资计划精准聚焦主业升级,三大核心项目各有侧重。其中,130亿元将投入DRAM存储器技术升级项目,75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造,90亿元将专项支持动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发。招股书显示,这些项目的实施将加速公司工艺节点优化,进一步扩大产能规模,降低单位成本,同时助力公司布局更高性能、更低功耗的新一代存储产品,以应对服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等下游市场的旺盛需求。

业绩层面,长鑫科技已进入高速增长通道。2022年至2024年,公司营业收入从82.87亿元增长至241.78亿元,复合增长率达70.81%;2025年1-9月营收更是达到320.84亿元,同比激增97.79%。得益于2025年下半年以来DRAM产品价格快速上涨、产销规模持续扩大及产品结构优化,公司预计全年净利润将实现转正,归属于母公司所有者的净利润亏损金额较上年大幅收窄77.61%至91.60%,扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润预计为28亿至30亿元。现金流方面,2025年1-9月经营活动产生的现金流量净额达129.68亿元,同比增长483.36%,盈利能力与资金状况持续改善。
技术研发是长鑫科技的核心竞争力所在。公司构建了覆盖DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等全环节的核心技术体系,截至2025年6月30日,共拥有境内专利3116件(其中发明专利2348件)、境外专利2473件,2023年国际专利申请公开数量排名全球第22位,2024年美国专利授权排名全球第42位。研发投入持续加码,2022年至2024年累计研发投入达152.07亿元,占累计营业收入的36.60%;研发人员占比始终保持在30%左右,2024年末研发人员达4143人,核心技术团队汇聚了海内外半导体行业资深专家,为技术迭代提供坚实支撑。
在市场布局上,长鑫科技已构建多元化客户体系,与阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等行业核心客户建立深度合作,产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑等主流领域。公司采取经销与直销相结合的销售模式,2024年经销模式收入占比达85.91%,有效助力公司快速拓展市场、提升资金周转效率。随着国产终端品牌对供应链安全性与稳定性的重视提升,公司作为本土DRAM龙头,有望持续受益于国产化替代浪潮。
招股书同时披露,长鑫科技无控股股东和实际控制人,直接持有公司5%以上股份的股东包括清辉集电、长鑫集成、大基金二期等。公司已建立健全现代企业制度,形成了股东会、董事会、各专门委员会和经营管理层组成的治理结构,为公司持续发展提供制度保障。此外,公司通过员工持股平台合肥集电实施股权激励,覆盖核心技术人员与业务骨干,进一步绑定员工与公司长期利益。
不过,公司也提示了相关风险因素。DRAM行业具有投资强度大、技术门槛高的特性,公司目前仍存在累计未弥补亏损;行业周期性波动、国际贸易摩擦、技术研发不达预期等因素可能对经营业绩产生影响。科创板本身也具有研发投入大、经营风险高、退市风险高等特点,投资者需审慎决策。
本次发行完成后,长鑫科技总股本将不超过708.15亿股,公司将借助资本市场平台进一步增强研发创新能力、加快产能建设升级,同时带动存储芯片设计、EDA、半导体材料、设备等上下游产业链协同发展,提升我国集成电路产业链综合实力。随着募资项目的逐步落地,长鑫科技有望持续提升全球市场份额,为我国信息基础设施建设和新质生产力发展提供核心支撑,在全球DRAM市场竞争中占据更有利地位。目前,公司股票拟在上海证券交易所科创板上市,后续将确定发行价格与上市日期,开启资本市场新征程。