MLCC电容如何选型？
购买商品的一般决策逻辑是：能不能用，好不好用，耐不耐用，价格。其实这个逻辑也可以套用到 MLCC 的选型过程中：首先 MLCC 参数要满足电路要求，其次就是参数与介质是否能让系统工作在最佳状态；再次，来料 MLCC 是否存在不良品，可靠性如何；最后，价格是否有优势，供应商配合是否及时。许多设计工程师不重视无源元件，以为仅靠理论计算出参数就行，其实，MLCC 的选型是个复杂的过程，并不是简单的满足参数就可以的。
选型要素
- 参数：电容值、容差、耐压、使用温度、尺寸
- 材质
- 直流偏置效应
- 失效
- 价格与供货
不同介质性能决定了 MLCC 不同的应用
-C0G 电容器具有高温度补偿特性，适合作旁路电容和耦合电容
-X7R 电容器是温度稳定型陶瓷电容器，适合要求不高的工业应用
-Z5U 电容器特点是小尺寸和低成本，尤其适合应用于去耦电路
-Y5V 电容器温度特性最差，但容量大，可取代低容铝电解电容
MLCC 常用的有 C0G（NP0）、X7R、Z5U、Y5V 等不同的介质规格，不同的规格有不同的特点和用途。C0G、X7R、Z5U 和 Y5V 的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同，所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
C0G（NP0）电容器
C0G 是一种最常用的具有温度补偿特性的 MLCC。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。C0G 电容量和介质损耗最稳定，使用温度范围也最宽，在温度从 -55℃到+125℃时容量变化为 0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。C0G 电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
C0G 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。C0G 电容器适合用于振荡器、谐振器的旁路电容，以及高频电路中的耦合电容。
X7R 电容器
X7R 电容器被称为温度稳定型陶瓷电容器。X7R 电容器温度特性次于 C0G，当温度在 -55℃到+125℃时其容量变化为 15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R 电容器的容量在不同的电压和频率条件下也是不同的，它随时间的变化而变化，大约每 10 年变化 1%ΔC，表现为 10 年变化了约 5%。
X7R 电容器主要应用于要求不高的工业应用，并且电压变化时其容量变化在可以接受的范围内，X7R 的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
Z5U 电容器
Z5U 电容器称为“通用”陶瓷单片电容器。这里要注意的是 Z5U 使用温度范围在+10℃到+85℃之间，容量变化为+22%到 -56%，介质损耗最大为 4%。Z5U 电容器主要特点是它的小尺寸和低成本。对于上述两种 MLCC 来说在相同的体积下，Z5U 电容器有最大的电容量，但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率也是最大，可达每 10 年下降 5%。
尽管它的容量不稳定，由于它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、良好的频率响应等特点，使其具有广泛的应用范围，尤其是在去耦电路中的应用。
Y5V 电容器
Y5V 电容器是一种有一定温度限制的通用电容器，Y5V 介质损耗最大为 5%。Y5V 材质的电容，温度稳定性不好，温度变化会造成容值大幅变化，设计时候一定要考虑到，（重要！！！！）在 -30℃到 85℃范围内其容量变化可达+22%到 -82%，Y5V 会逐渐被温度特性好的 X7R、X5R 所取代。
设计比较紧凑，散热不好，对性能要求要可靠的产品，能选用 X5（7）R 的，不选用 Y5V 的。
各种不同材质的比较
从 C0G 到 Y5V，温度特性、可靠性依次递减，成本也依次减低
C0G、X7R、Z5U、Y5V 的温度特性、可靠性依次递减，成本也是依次减低的。在选型时，如果对工作温度和温度系数要求很低，可以考虑用 Y5V 的，但是一般情况下要用 X7R，要求更高时必须选择 C0G 的。一般情况下，MLCC 都设计成使 X7R、Y5V 材质的电容在常温附近的容量最大，容量相对温度的变化轨迹是开口向下的抛物线，随着温度上升或下降，其容量都会下降。
并且 C0G、X7R、Z5U 、Y5V 介质的介电常数也是依次减少的，所以，同样的尺寸和耐压下，能够做出来的最大容量也是依次减少的。实际应用中很多公司的开发设计工程师按理论计算，而不了解 MLCC 厂家的实际生产状况，常常列出一些很少生产甚至不存在的规格，这样不但造成采购成本上升而且影响交期。比如想用 0603/C0G/25V/3300pF 的电容，但是 0603/C0G/25V 的 MLCC 一般只做到 1000pF。
MLCC 替代电解电容
-Z5U、Y5V、 MLCC 可取代低容量铝、钽电解电容器
- 取代电解电容要注意 MLCC 温度特性是否合适
- 英制与公制不能混用
与铝电解电容，钽电容相比，MLCC 具有无极、ESR 特性值小、高频特性好等优势，而且 MLCC 正在朝小体积、大容量化发展，如 Y5V 可以做到较高的容量，通常 1206 表面贴装 Z5U、Y5V 介质电容器量甚至可以达到 100μF，在某种意义上是取代低容量铝、钽电解电容器的有力竞争对手，但是也要注意这些电容的尺寸比较大，容易产生裂纹。另外，Y5V 的 MLCC 最高温度只有 85 度，取代电解电容时要注意温度是否合适。
MLCC 的尺寸是用一组数字来表示，例如 0402、0603。表示方法有两种，一种是英制表示法，一种是公制表示法。美国的厂家用英制，日本厂家基本上都用公制的，而国内厂家有用英制表示的也有用公制表示的，所以要特别注意规格表中标号对照尺寸的单位是英寸还是毫米。
国内工程师一般习惯使用英制表示，但是也要注意工程师与采购之间要统一认识，要用公制都用公制，用英制都用英制，避免发生误会，例如说到 0603，英制和公制表示里都有 0603，但实际尺寸差别很大。
MLCC 的直流偏置效应（重要！！！）
- 直流偏置效应会引起电容值改变
- 小尺寸电容取代大尺寸电容不简单
- 记住向供应商索要系统最常用电压的综合曲线
在选择 MLCC 时还必须考虑到它的直流偏置效应。电容选择不正确可能对系统的稳定性造成严重破坏。直流偏置效应通常出现在铁电电介质(2 类)电容中，如 X5R、X7R、及 Y5V 类电容。
设计人员在考虑无源器件时，他们会想到考量电容的容差，这在理论上是对的，陶瓷电容的容差是在 1 kHz 频率、1V rms 或 0.5V rms 电压下规定 / 测试的，但实际应用的条件差异非常大。在较低的 rms 电压下，电容额定值要小得多。在某一特定频率下，在一个陶瓷电容上加直流偏置电压会改变这些元件的特性，故有“有源的无源器件(active passives)”之称。例如，一个 10μF，0603，6.3V 的电容在 -30°C 下直流偏置 1.8V 时测量值可能只有 4μF。
陶瓷电容的基本计算公式如下： C=K×[(S×n)/t]
这里，C=电容量，K=介电常数，n=介电层层数，S=电极面积，t=介电层厚度
影响直流偏置的因子有介电常数、介电层厚度、额定电压的比例因子，以及材料的晶粒度。
电容上的电场使内部分子结构产生“极化”，引起 K 常数的暂时改变，不幸的是，是变小。电容的外壳尺寸越小，由直流偏置引起的电容量降量百分比就越大。若外壳尺寸一定，则直流偏置电压越大，电容量降量百分比也越大。系统设计人员为节省空间用 0603 电容代替 0805 电容时，必须相当谨慎。
因此，请记住应该向厂商索取在应用的预定直流偏置电压下的电容值曲线。电容器生产商往往喜欢出示单独的曲线，如电容量随温度的变化曲线，另一条是电容量随直流偏置的变化曲线。不过，他们不会同时给出两条，但实际应用恰恰需要两条。应该记住向生产厂商索要系统最常用电压的综合曲线。
检测时容量不正常
-MLCC 的长时间放置会导致特性值的降低
- 检测方法不当也会引起容量偏差
对于刚入行的采购或者选型工程师来说，可能会经常遇到检测时容量偏差的问题，要么是不良品，要么是因为 MLCC 的长时间放置导致特性值的降低，可以使用加热的方法恢复特性值。搬运与储存时要注意防潮，
Y5V 与 X7R ClassⅡ类电容器电介质则以钛酸钡为主要材料，钛酸钡对温度变化较敏感。在相应的工作温度范围内随温度不同会有较大的容值变化，特别是 Y5V 的。
并且会随时间变化，产品存放时间太长，容量变化较大。
这种老化是一种可逆的现象，当对老化的材料施加高于材料居里温度的高温，当环境温度回到常温后,材料的分子结构将会回到原始的状态。材料将由此开始老化的又一个循环。
建议 IQC 以如下方式验证：将测试容量偏低的产品浸至锡炉或过 Reflow(不需印锡膏)，再行测试，容值将恢复到正常规格之内。客户不需要在上线前,事先进行 De-aging 动作,只需要将组件置于板上正常生产作业,产品经过回流焊或波峰焊后,即可恢复正常容值。
因为老化现象发生在任何一家使用钛酸钡(铁电性材料)为原材料的厂商所生产的 ClassⅡ类陶瓷电容器中。它是正常现象。
考虑到 MLCC 材料之老化现象,客户于一开始设计时,应事先将此材料之老化率考虑进去。
MLCC 测试容量时，检测方法要正确，容量会因检测设备的不同而有偏差。
MLCC 的失效问题
-MLCC 在生产中可能出现空洞、裂纹、分层
- 组装过程中会引起哪些失效？
- 哪些过程会引起失效？
- 有的裂纹很难检测出来
MLCC 内在可靠性十分优良，可以长时间稳定使用。但如果器件本身存在缺陷或在组装过程中引入缺陷，则会对其可靠性产生严重影响。例如，MLCC 在生产时可能出现介质空洞、烧结纹裂、分层等缺陷。分层和空洞、裂纹为重要的 MLCC 内在缺陷，这点可以通过筛选优秀的供应商，并对其产品进行定期抽样检测等来保证。
另一种就是组装时引入的缺陷，缺陷主要来自机械应力和热应力。MLCC 的特点是能够承受较大的压应力，但抵抗弯曲能力比较差。所以 PCB 板的弯曲也容易引起 MLCC 开裂。由于 MLCC 是长方体，焊端在短边，PCB 发生形变时，长边承受应力大于短边，容易发生裂纹。所以，
- 排板时要考虑 PCB 板的变形方向与 MLCC 的安装方向；
- 在 PCB 可能产生较大形变的地方都尽量不要放置电容，比如 PCB 定位铆接、单板测试时测试点机械接触等位置都容易产生形变；
- 厚的 PCB 板弯曲小于薄的 PCB 板，所以使用薄 PCB 板时更要注意形变问题。
常见应力源有：工艺过程中电路板操作；流转过程中的人、设备、重力等因素；通孔元器件的插入；电路测试、单板分割；电路板安装；电路板定位铆接；螺丝安装等。该类裂纹一般起源于器件上下金属化端，沿 45℃角向器件内部扩展。该类缺陷也是实际发生最多的一种类型缺陷。
同样材质、尺寸和耐压下的 MLCC，容量越高，介质层数就越多，每层也越薄，并且相同材质、容量和耐压时，尺寸小的电容每层介质更薄，越容易断裂。裂纹的危害是漏电，严重时引起内部层间错位短路等安全问题。裂纹通常可以使用 ICT 设备完成检测，有的裂纹比较隐蔽，无法保证 100%的检测效果。
温度冲击裂纹主要由于器件在焊接特别是波峰焊时承受温度冲击所致。焊接时 MLCC 受热不均，容易从焊端开始产生裂纹，大尺寸 MLCC 尤其如此。这是因为大尺寸的电容导热没有小尺寸的好，造成电容受热不均，膨胀幅度不同，从而产生破坏性应力。
另外，在 MLCC 焊接过后的冷却过程中，MLCC 和 PCB 的膨胀系数不同，也会产生应力导致裂纹。相对于回流焊，波峰焊时这种失效会大大增加。要避免这个问题，回流焊、波峰焊时需要有良好的焊接温度曲线，一般器件工艺商都会提供相关的建议曲线。通过组装良品率的积累和分析，可以得到优化的温度曲线。
