传统硅材料在开关电源系统上已经发展了几十年，就目前来讲硅材料的发展空间很有限了，GaN材料在LED以及RF上面被世人了解，不过目前已经发展进入了功率器件的应用领域因为GaN适合高频高压的场合。作为下一代功率器件GaN HEMT已经做好了替代 Si MOSFET的一切准备，其强劲的性能主要表现在超好的技术参数RDSON,QG,QRR等一系列影响到功率器件性能的关键参数。GaN HEMT用在开关电源系统上面可以显著的提高系统的开关效率，在硬开关下面提高开关频率使得系统体积更小，从而更显著的提高其功率密度。Transphorm这家公司专注于GaN的研究已经接近十年，公司成立于美国的加州Goleta，员工超过130人，专利超过250个，而且是目前唯一一个通过JEDEC认证的GaN的企业，FUJITSU目前与Transphorm合作为客户提供GaN HEMT的技术支持及产品。
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孙国伟
从事半导体行业多年，拥有丰富的行业技术经验，主要方向电源管理芯片及功率器件的应用。加入富士通半导体之后，从事电源管理芯片以及功率器件的技术支持工作。
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蔡振宇
现任富士通半导体（上海）有限公司市场部高级产品工程师，主要负责负责北亚地区新8FX系列芯片的定义与产品推广工作。从事单片机技术支持工作多年，有着丰富的产品专业经验。
高级产品工程师
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富士通电子元器件（上海）有限公司(FES)是富士通在中国的半导体业务总部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大连等地均设有分公司，负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。 富士通电子元器件（上海）有限公司的主要销售产品包括 Custom SoCs (ASICs), 代工服务，专用标准产品（ASSPs），铁电随机存储器，继电器和GaN（氮化镓）等，它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。
