符合Intel标准的DrMOS 6x6技术规范,DrMOS 多芯片模块在QFN封装内整合了上、下管MOSFET及肖特基二极管和MOSFET驱动器,内置式功率MOSFET适用于输入电压为5V/12V的应用,与功率MOSFET匹配的内置式驱动器电路。该模块还内置式三态输入功能,支持大量PWM控制器,能够实现3.3V/5V PWM信号。
杨春燕
模拟及功率器件产品中心技术支持科项目经理
姚春燕
瑞萨电子 大中国区 模拟及功率器件产品中心 市场部 副经理
吴炳章
瑞萨电子 大中国区 模拟及功率器件产品中心 应用技术部 副经理