在电子设备持续向小型化、高效率、低功耗方向发展的今天,功率器件已经成为影响系统性能的关键因素之一。尤其在快充电源、DC-DC转换器、便携式设备、通讯模块等应用中,工程师迫切需要一种能够兼顾 低压降、快恢复、低损耗、体积小 的整流器件,以确保系统效率最大化和稳定性提升。
SHIKUES(時科)推出 B5819WS 肖特基二极管,采用 SOD-323G 超小封装设计,具有极低的正向压降(VF)、低功耗、高频特性,以及优异的可靠性,是小型高效电路的理想选择。
PART 01:小功率整流器更高要求
近年来,消费类电子与工业控制设备广泛采用高频开关电源架构,例如:
• USB接口设备与快充电源
• 电池管理单元(BMU)
• DC-DC转换芯片外围电路
• IoT智能设备及微电机驱动
• 通讯模块、电源监控模块
在这些场景中,整流器件必须具备以下能力:
✔ 低 VF(降低能量损耗)
✔ 低反向漏电流(提升电池续航)
✔ 高频工作能力(适配高开关频率)
✔ 小体积(适用于密集型PCB布局)
時科 B5819WS 正是针对这些需求设计的高性能、小封装肖特基解决方案。
PART 02 :小封装高效率整流二极管
B5819WS 属于時科 SOD-323G 封装系列肖特基二极管,具备:

• 低压降
• 快恢复
• 低功耗
• 频率响应快
• 高稳定性
非常适合便携式电子、电源模块和高速切换电路。
PART 03:核心电气参数(依据规格书)
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项目 |
B5819WS |
|---|---|
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最大反向电压 VR / VRRM |
40V |
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最大正向电流 IF(平均) |
1A |
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峰值浪涌电流 IFSM |
20A(8.3ms) |
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正向压降 VF(IF=1A) |
0.60V |
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正向压降 VF(IF=3A) |
0.90V |
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反向电流 IR(VR=40V) |
≤ 5 μA |
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结温范围 |
-65℃~+150℃ |
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封装 |
SOD-323G |
这些参数确保 B5819WS 能在高速与中低压电路中长期稳定工作。
PART 04:高效率与高可靠性的完美平衡
B5819WS 在 1A 电流下 VF 仅 0.6V,远低于普通整流二极管,可明显减少系统的导通损耗,让:
• DC-DC 转换器的效率更高
• 电池供电设备续航更长
• 发热更低
尤其适合强调节能的轻量化电子产品。
作为多数载流子器件,肖特基二极管具有极快的开关速度,适用于:
• 高频整流
• 反向续流
• 快速开关保护
与高频MOSFET搭配可显著提升电源效率与动态性能。
IR(VR=40V)低至 微安级,减少:
• 反向能量损耗
• 电池静态消耗
• 电路串扰风险
在温度变化大、负载波动多的环境中稳定性更佳。
封装尺寸仅约:
2.6 × 1.6 mm(典型)
可节省PCB面积超过 60%,适合:
• 智能穿戴
• IoT模块
• 高密度电源板卡
• 超薄充电器
提升产品设计灵活度。
B5819WS 完成多项标准试验:
• 高温反偏(HTRB)
• 温度循环(TCT)
• 高温存储
• 湿热测试
确保在严苛环境下也具备优异寿命表现。
PART 05:典型应用场景(全面扩展)
用于:
• 输出整流
• 二次侧自由续流
• 高速反向保护
让转换更高效、温升更低。
用于:
• USB供电管理
• 反接保护
• 过压隔离
满足低损耗、高响应的移动电源需求。
低漏电特性让 B5819WS 在 BMS 中表现稳定,用作:
• 反向保护
• 续流通道
• 隔离路径
缩减待机功耗,延长续航。
用于整流或续流,提高:
• 光效
• 稳定性
• 寿命
尤其适合高频 PWM 驱动。
应用于继电器驱动、马达控制、功率转换小模块等。
PART 06:小封装,大能量
時科 B5819WS 是一款兼具:
• 高效率(低 VF)
• 高响应(快切换)
• 高可靠(低漏电)
• 小体积(SOD-323G)
的高性能肖特基二极管,是现代高频、小型化电源和电子设备的理想选择。
未来,SHIKUES將继续以“产品为王,客户至上”为核心理念,为全球客户提供更多高品质半导体器件,让每一款产品都能拥有“良芯”。