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Fairchild推出1200VSiC二极管,用于高速太阳能逆变器和工业领域

加利福尼亚州圣何塞 - (美国商业资讯) - 仙童(纳斯达克股票代码:FCS)的高性能半导体解决方案的全球领先供应商,发布了其首款1200V碳化硅(SiC)二极管,该FFSH40120ADN在其系列即将推出碳化硅解决方案。优越的开关性能,更高的可靠性和1200V的二极管的组合低电磁干扰(EMI),使其非常适合于它们都越来越多地需要将更多的精力在更高的功率密度高效的新一代太阳能逆变器,工业电机控制和焊工。“的市场趋势和紧缩的行业标准的组合推动了对更节能高效的产品和我们的新1200V的SiC二极管是专门设计来帮助制造商实现这些不断提高效率的要求,并具有更好的可靠性,耐用性和成本效益,”说金钊,副总裁,飞兆半导体的大功率工业事业部总经理。 “我们基于碳化硅该二极管由于对硅材料的相当大的优势,而作为我们建立碳化硅解决方案的全面的家庭,我们将增加更多的基于碳化硅半导体。”

该FFSH40120ADN二极管具有同级车中最好的漏电流性能,漏水比竞争对手在温度电流远不如高达摄氏175度。这种1200V的SiC二极管的主要优势包括其极快的开关,无反向恢复电流,从而大大降低了开关损耗相比,硅和优异的节能效果。更快的开关还允许制造商降低其产品的电磁线圈和相关的无源元件的尺寸,提高包装效率,降低了系统的重量,并能降低清单(BOM)物料清单(BOM)成本。

二极管的在一个很宽的温度范围内稳定地切换的能力是有助于其卓越的性能的另一个因素,因为是它消除电压过冲其零恢复电压。

与同等的硅基二极管,由于碳化硅具有优异的导热性能的硅二极管FFSH40120ADN也提供了相当大的耐用性和可靠性。 SiC的击穿电场比硅的10倍以上的与SiC也具有3倍更高的热导率。

飞兆半导体将在即将召开的APEC会议上,3月20日至24日在加州长滩演示新的1200V的SiC二极管的展位#1717的性能。

访问FFSH40120ADN产品文件夹样品和新1200V的SiC二极管的更多信息。

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