富康，大众 - （BUSINESS WIRE） - IXYS集成电路事业部（ICD）公司，IXYS公司（NASDAQ：IXYS）的全资子公司，宣布IX2120B 1200V半桥栅极驱动器IC的即时提供。该IX2120B是可以驱动分立功率MOSFET和IGBT，为1200V运行在高达的高电压IC。无论是高边和低边输出，采用了集成的功率DMOS晶体管是能够采购和栅极驱动电流2A沉没的。
高电压电平漂移电路允许低压逻辑信号来驱动的IGBT在高达1200V一种操作高侧配置。该IX2120B的1400V绝对最大额定值提供额外的保证金用于高电压应用。
“该产品补充了充分的选择，我们在过去的3年开发推出的电源管理市场力量驱动器IC。它的设计和经过验证的先进的SOI工艺我们的内部晶圆制造厂生产的，“评论首席执行官和IXYS公司的CTO内森Zommer博士。
随着IXYS功率MOSFET和IGBT产品，ICD驱动程序提供IXYS公司的客户在一站式服务，其中包括MCU的Zilog的行整个系统的解决方案。
该IX2120B是在IXYS ICD先进的HVIC绝缘体上硅（SOI）工艺制造，使得IX2120B非常强大，几乎不受负面瞬态和高dV / dt噪声。
输入为3.3V和5V逻辑兼容。下为高侧和低侧输出电压闭锁电路内部防止IX2120B从分立功率IGBT转动，直到有足够的栅极电压。输出传播延迟匹配用于高频应用。
该IX2120B可以驱动功率分立MOSFET和IGBT的半桥，全桥和3相配置。典型应用包括电动机驱动器，高压逆变器，不间断电源（UPS）和DC / DC转换器。该IX2120B补充IXYS ICD广泛的高压栅极驱动器，低侧栅极驱动器，光隔离门极驱动器及全系列IXYS功率半导体的产品组合。
这IX2120B采用24引脚SOIC封装。