飞思卡尔推出突破性的超宽带射频功率氮化镓晶体管

2015-05-19 15:00:55 互联网

飞思卡尔半导体[NYSE：FSL]，射频（RF）功率晶体管的全球领导者，今天宣布推出新的先进的塑料封装两种超低宽带射频功率氮化镓（GaN）晶体管。有了这些新的软件包和产品，飞思卡尔已经取得了重大进步为己任，以释放氮化镓性能的真正潜力，并为客户提供性能最佳的GaN器件的产业。

“这两款产品的业界领先的带宽将使我们的客户能够使用单个RF阵容更换两个甚至三个独立的射频功率放大器的，大大降低了系统成本，”保罗·哈特，飞思卡尔RF业务的高级副总裁兼总经理。 “此外，该器件的超低热阻将使客户能够减少冷却系统的成本，或在全CW-额定功率运行，以高得多的情况下。”

新的OM-270封装，双铅和八引脚配置提供，扩展了飞思卡尔的专利OMNI™射频塑料包装技术，以最小的轮廓还没有，并增加了与GaN的兼容性。

“我们创新的能力，metalurgically我们结合上GaN芯片的SiC铜法兰和过霉菌他们启用了前所未有的热性能，”马里Mahalingam，飞思卡尔研究员和RF包开发负责人说。 “此外，这个新的封装平台支持复杂的内部匹配方案，使卓越的宽带性能。”

飞思卡尔的前两个塑料RF功率氮化镓晶体管借此先进封装技术的优势，提供了新的性能水平：

MMRF5015N：一个100W，50V，真正的CW超宽带的GaN非常适用于高功率军用和民用通信系统晶体管。该MMRF5015N拥有小于0.8°C / W，这代表改进竞争力的产品“30％的热阻。现在MMRF5015N样片在评价夹具这表明了前所未有的200-2500 MHz带宽用最少的12分贝增益和40％的效率在整个频带。

MMRF5011N：一个10W，28V，真正的CW超宽带晶体管，显示出200-2600 MHz带宽的可用应用电路。非常适合于低功耗军用和民用手持无线电通信设备，该MMRF5011目前正在取样。

飞思卡尔展示和展台＃3031展示这些晶体管在2015年国际微波研讨会（IMS）。