中国上海，2012年9月21日——GLOBALFOUNDRIES 今日推出一项专为快速增长的移动市场的最新科技，进一步拓展其顶尖的技术线路图。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技术将为客户展现三维 “FinFET”晶体管的性能和功耗优势，不仅风险更低，而且能够更快速地推向市场，从而帮助无晶圆厂生态系统在保持其移动市场领先地位的同时，开发新一代智能移动设备。
XM 是 eXtreme Mobility 的缩写，作为业界领先的非平面结构，它真正为移动系统级芯片（SoC）设计做了优化，能提供从晶体管到系统级的全方位产品解决方案。与目前20纳米节点的二维平面晶体管相比，该技术可望实现电池功耗效率提升 40%~60%。
14 nm-XM技术采用模块化技术架构，完美结合了14 纳米 FinFET 器件与 GLOBALFOUNDRIES 公司即将量产的20 纳米 LPM 制程技术。运用成熟的 20nm-LPM 技术，能让想利用 FinFET SoC 优势的客户，最快的实现顺利迁移。技术研发工作已经展开，测试硅片正在 GLOBALFOUNDRIES 公司设于纽约萨拉托加县的 Fab 8 晶圆厂接受测试。早期流程设计工具（PDKs）现已面市，并预计将于 2013 年可提供客户产品流片。
GLOBALFOUNDRIES 首席技术官Gregg Bartlett表示：“GLOBALFOUNDRIES 投入 FinFET 研发已经超过 10 年，我们将以此为基础让这项技术得以进入生产阶段。我们有信心透过这项深厚的基础带领业界实现FinFET的量产，正如我们在高-K金属栅技术（ HKMG）领域的成就。”
以HKMG专业技术为架构基础
FinFET 架构采用传统的二维晶体管设计，将导电通道置于侧面，形成由电流控制栅极包围的三维“鳍”状结构。FinFET 技术的最大亮点就是其优异的低功耗特性。三维晶体管设计具有电压低运行且漏电少的固有特点，即在移动应用中可延长电池寿命，或降低数据中心网络芯片等插入式应用的耗电量。
VLSI Research 市场调查公司董事长兼首席执行官G. Dan Hutcheson 表示：“很多人并不知道 FinFET 的架构基础与时下推动行动发展的 HKMG 技术相同。HKMG 技术在减少漏电方面实现了重大创新，FinFET 则在此基础上又向前推进了一大步，突破了今后多年的技术发展障碍。但是，要充分挖掘 FinFET 技术的价值，企业需要具备 HKMG 技术量产能力。GLOBALFOUNDRIES 公司在这个方面起步较早，已拥有两年 的HKMG 大批量制造经验。”
3D晶体管并非皆可一概而论
GLOBALFOUNDRIES 制定了一套新的技术定义方法，并据此开发出经济高效且功耗优化的 FinFET 技术，成为移动 SoC 市场的理想之选。14nm-XM 架构实现了性能与功耗的完美平衡，并成功将芯片尺寸和成本降至最低。与此同时，其构造方式可带来最佳的可制造性与设计便利，并允许设计师重复使用上一代产品中的 部分IP。除了晶体管结构外，这项技术还充分关注了 SoC 级的需求，如支持全系统性能和特殊的移动应用需求。
打造全面 SoC 优化解决方案的另一个关键因素是要会运用整个生态系统的专业知识，包括 EDA 和设计解决方案合作伙伴以及 IP 提供商。FinFET 技术离不开创新思维的支持，特别是来自设计社区的真知灼见。GLOBALFOUNDRIES 的制程研发和技术架构团队一直与内部设计团队和设计生态系统合作伙伴保持着密切协作，共同优化技术和设计环境。
GLOBALFOUNDRIES 最近宣布与 ARM 达成一项新的多年合作协议，共同为采用 FinFET 制程技术的 ARM 处理器打造最佳的 SoC 解决方案。在共同优化 ARM® Cortex™-A 系列处理器方面，ARM和GLOBALFOUNDRIES已经积累了多年合作经验，而新的协议进一步延续了此前的合作，将推动生产IP平台的发展，促进客户迅速转移至三维 FinFET 晶体管技术。
ARM物理 IP 部门副总经理 Dipesh Patel 表示：“在不断发展中的超级移动时代，FinFET 技术将是下一代智能移动设备发展的关键推手。通过我们与GLOBALFOUNDRIES 多年的接触与协同优化，我们将为共同的客户提供先进的系统性能并帮助他们加速过渡以尽早利用FinFET技术带来的优势 。这成果将成为基于下一代ARM处理器和GPUs的、面向移动市场的SoC的开发平台。”