首款能够为GSM 和EDGE网络基站提供100W射频输出功率的双级射频集成电路(RFIC)日前首次在3GSM世界大会的飞思卡尔半导体展台展出。 该设备是目前投入商用的功率最高的双级RFIC设备。当由飞思卡尔经济高效的MMG3005N通用放大器驱动(GPA)时,MWE6IC9100N 和 MW7IC18100N RFIC就构成了全面的100W功率放大器解决方案,用于运行在频率从900 到 1800 MHz的无线基站。 该解决方案的优势在于非常适合GSM和EDGE市场。此前,双级RFIC设备的输出功率不到30W,只能在驱动和预驱动阶段使用。以前的设计需要一个单独的高功率晶体管来实现50 dB增益,GSM EDGE发射机一般都需要100 W的输出功率。现在,只需要一个GPA和一个RFIC就可满足这种需要。 技术规范:MWE6IC9100N 技术规范:MW7IC18100N RFIC采用经济高效的超模压塑料封装,具有内部匹配性和出色的稳定性。RFIC具有集成的ESD保护,符合RoHS要求,可处理200°C的联结温度。它们还包括集成的静态电流热追综设备,可提供高效的温度补偿。在所有放大器的115°C的操作温度范围内,在5%的浮动范围内保持电流恒定。 RFIC结合了自动偏置功能,有助于简化功率放大器系统的设计,使设计人员能够用最小的外部电路设置放大器偏压。此外,设备还可用最少的控制电路,通过自动补偿来设置理想的漏静态电流。 供货情况 详情请访问:www.freescale.com |