2025年12月30日,长鑫科技正式向上交所科创板递交首次公开发行股票招股说明书。作为中国大陆目前唯一具备大规模DRAM(动态随机存取存储器)量产能力的IDM(集成器件制造)企业,其上市进程标志着国产高端存储芯片产业化迈入新阶段,也为中国AI算力体系的自主可控提供了关键支撑。

相较于近年来陆续登陆资本市场的国产GPU设计公司,长鑫科技所深耕的DRAM赛道更像是半导体产业的“基石赛道”与数字经济的“战略命脉”。在人工智能大模型训练与推理需求快速扩张的背景下,DRAM作为算力系统中数据供给的核心环节,其重要性正被重新评估。
DRAM成AI算力瓶颈
当前AI计算架构面临“内存墙”挑战——即GPU等加速芯片的计算能力提升速度远超内存带宽增长,导致大量算力资源因等待数据而空转。行业共识认为,系统整体效率的提升不仅依赖于更强的计算单元,更取决于高速、大容量内存的支持。
在此背景下,高性能DRAM,尤其是HBM(高带宽内存),已成为AI服务器的关键组件。HBM通过将多颗DRAM芯片垂直堆叠并采用硅通孔(TSV)技术互联,显著提升单位面积的数据传输带宽。目前,英伟达最新一代Blackwell架构AI加速器均需搭配HBM才能发挥全部性能。这也使得全球HBM产能高度紧张,头部AI芯片厂商不得不与存储巨头紧密绑定。
值得注意的是,HBM的制造以成熟DRAM晶粒为基础,不具备DRAM自主生产能力的企业难以切入该赛道。长鑫科技在招股书中披露,公司已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的全系列产品覆盖,并实现四代工艺技术平台的量产迭代。按产能与出货量统计,公司已位居中国第一、全球第四大DRAM供应商,技术能力达到国际先进水平。长鑫是目前国内唯一大规模量产DRAM 的企业,也是理论上唯一有希望切入HBM 赛道的选手。
IDM模式保障供应链安全与技术协同
与多数国产GPU企业采用的Fabless(无晶圆厂)模式轻资产、投入成本低不同,长鑫科技采取IDM模式,集芯片设计、制造、封装测试于一体。该模式虽具有重资产、高投入特征,但在全球半导体供应链不确定性上升的背景下,能够有效保障产能自主可控。
目前,长鑫在合肥、北京建有3座12英寸DRAM晶圆制造厂。招股书显示,2025年上半年公司产能利用率达94.63%,反映出较强的市场需求承接能力。IDM模式亦使设计与制造环节可深度协同,有助于优化产品良率、功耗与性能,这正是三星、SK海力士、美光等全球三大DRAM厂商长期采用的核心运营模式。

对投资者而言,IDM企业虽前期投入大、回报周期长,但一旦形成稳定量产能力,其构建的技术壁垒与资产护城河远高于轻资产设计公司。长鑫的工厂布局与高产能利用率,为其在行业上行周期中扩大市场份额提供了坚实基础。
商业闭环已形成,客户覆盖主流终端厂商
区别于部分尚处研发或早期商业化阶段的存储芯片企业,长鑫科技已实现规模化营收。招股书显示,2022年至2025年9月,公司累计实现营业收入736.36亿元;2022–2024年主营业务收入复合增长率为72.04%。这一增长主要受益于存储芯片行业周期回暖及公司自身产能释放。
在客户方面,公司产品已批量供应至阿里云、腾讯、字节跳动、联想、小米、OPPO、vivo、荣耀、传音等国内主流服务器与智能终端厂商。这一客户结构表明,其DRAM产品在稳定性、兼容性、交付能力等方面已通过市场验证,具备成熟的商业落地能力。
国产DRAM稀缺标的凸显战略价值
在A股市场,长鑫科技是目前唯一的国产DRAM IDM上市公司候选者。在国家推动算力基础设施自主可控的政策导向下,具备显著的产业稀缺性。
长鑫科技的股东结构亦体现多方共识:除国家集成电路产业投资基金(大基金二期)外,还包括阿里巴巴、腾讯、小米产业投资、招银国际、人保资本等产业与金融资本。这种“国家战略+市场机制”的组合,既反映政策支持,也体现商业认可。
行业周期与长期挑战并存
需要指出的是,尽管当前存储芯片处于上行周期,但DRAM行业本身具有强周期性特征。价格波动、技术迭代加速及国际巨头的竞争压力,仍是长鑫科技需持续应对的挑战。
长鑫科技的IPO,是中国在关键基础芯片领域实现从“技术突破”到“产业落地”再到“资本赋能”闭环的重要标志。在AI产业从概念验证走向规模部署的“中场”阶段,此类具备量产能力、客户验证和产业链协同效应的硬科技企业,正成为构建安全、高效、自主算力生态的核心支柱。
其上市不仅关乎一家企业的融资行为,更折射出中国在全球半导体竞争格局中,对基础性、战略性环节的系统性布局。未来,随着募投项目落地与技术能力提升,长鑫科技有望在高端存储芯片领域扮演更重要的角色。