4月14日-16日,上海慕尼黑电子展在新国际博览中心盛大开幕,东芯半导体股份有限公司(下称:东芯半导体)携旗下存储芯片产品线重磅亮相。
东芯半导体成立于2014年,聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售,是目前国内可以同时提供NAND、NOR、DRAM、MCP设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。
展会期间,东芯主要展示了五大产品线:Serial NAND Flash、Parallel NAND Flash、Serial NOR Flash、DDR3、MCP。
SPI NAND Flash为单芯片设计的串行通信方案,不但引脚少和封装尺寸小,且在一颗芯片上集成了存储阵列和控制器,还同时带有内部ECC。其中产品有3.3V/1.8V高低电压,拥有多种封装,满足诸多应用场景,如光猫、路由器、网络摄像监控、IoT及智能音箱等。
PPI NAND Flash兼容传统的并行接口标准,适合大数据的读写。可提供容量从1Gb到8Gb,3.3V/1.8V两种电压和多种封装方式的产品,以满足不同应用场景,在网络通信、智能音箱、安防监控、机顶盒等领域中广泛应用。
SPI NOR Flash可提供容量从2Mb到256Mb,3.3V/1.8V两种电压,支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四种指令模式和DTR传输模式,拥有多种封装方式,广泛应用于对存储空间需求不高的设备中。
相对于DDR1和DDR2,DDR3具有更高的传输率及更低的工作电压,可提供1.5V/1.35V两种电压模式,且具有标准SSTL接口的DDR3,具有8n-bit prefetch DDR架构,8个内部bank,是主流的内存产品。
MCP将Flash和DDR合二为一进行封装,不仅具有成本优势,更是简化了走线设计,节省空间。Flash和DDR均为低电压的设计,核心电压1.8V不仅可用于常见有源器件,更可满足目前移动互联网和物联网对低功耗的需求。
东芯半导体销售总监李健表示,目前,东芯的SPI NAND采用28nm制程工艺,PPI NAND采用24nm制程工艺,这在业界相对来说是比较领先的制造工艺,因此在成本上,东芯有良好的优势。NOR Flash方面,东芯48nm制程工艺产品已经达到量产标准,在普遍是65nm、58nm及55nm制程工艺下,东芯同样具备成本优势。此外,在芯片内部的电路设计,东芯在高可靠性、高抗震率及环境温度条件上具有良好的参数指标,为后续向车规级汽车电子方向迈出了坚实的一步。