5G应用布局-安世解决方案

问：今天边学习，一定要提总问题？多交流，争取获得个提问奖！！！
答：欢迎，祝您好运

问：5G应用包括哪些方面？
答：5G的应用场景很多, 主要基于三大应用场景，高带宽、高可靠性的低延迟、以及海量互联；因此应用中的4K/8K直播，现场360度拍摄直播等，还有自动驾驶，智慧交通，物联网等

问：安世有哪些系列的MOS适合5G使用？
答：安世适合5G应用的MOSFET有PSMNXXXX-YLC/PSMNXXXX-YLD/PSMNXXXX-YLH/PSMNXXXX-YSF/PSMNXXXX-YSF/PSMNXXXX-YSE/PSMNXXXX-BSE(PSE) 等系列。

问：基站电源和服务器电源有多大区别，感觉好多可以通用?
答：基站電源的輸出範圍會由36V~56V 不等, 跟服務器電源的12V 輸出有不同的對應同步整流MOSFET, 基站大多使用80V~150V MOS, 服務器電源的輸出大多30V以下MOS

问：安世半导体收购NXP的模拟器件后，目前芯片在国内有生产工厂吗？
答：安世半导体收购了NXP的分立元器件，目前在东莞黄江镇有封测厂，安世半导体属于闻泰科技子公司。目前闻泰正在上海投资建立国内首家车规级12英寸功率器件晶圆厂。

问：是否有样品或开发板供我们申请和评测呢？
答：歡迎與ECCN的聯絡, 我們有相關的服務人員可以幫助您申請與協助

问：铜夹片是Nexperia的专利吗？
答：沒錯是Nexperia 的專利技術

问：安世的mos晶圆是自己的吗？
答：是的, 從英國和德國的自有工廠製造

问：5G应用需要什么样的硬件支持？
答：5G在硬件方面也是基于5G相对于4G以及之前的2G/3G来说改变了什么， 5G相比较4G，支持更高的带宽，支持毫米波，主要体现在两方面网络部分的射频和天线端和终端。 网络部分的射频部分，需要更多的天线，此外更高的频率带来的是功耗更大，如何解决功耗就是当前5G硬件也不仅仅是硬件，还有软件和更高应用层次共同面对的问题，如何提高电源利用率，降低功耗：这一方面安世能够提供更低Rdson的MOS来做同步整流以及开关，能够提供更高的SOA，此外将建设更多的小基站取代宏基站，RRU/BBU基本都是板卡结构的电路模块，热插拔将变得尤为重要，安世的功率MOS和逻辑开关都支持热插拔。此外在手机终端部分快充是至关重要的，　更低Rｄｓｏｎ的MOS尤为重要。还有外部接口的浪涌保护，安世也有完整的解决方案

问：资料可以下载码？
答：歡迎與ECCN 平台聯絡!

问：温度范围是多少
答：我们功率MOSFET绝大部分的Tj范围一般跟车规级的一样：-55℃-175℃，少部分为-55-150℃。

问：请问：氮化镓MOSFET最大的优点是什么？
答：提升效率!

问：和NXP现在还有股权关系吗？
答：已經是完全獨立分離的不同公司, 並沒有股權的相關

问：安世MOS选型官网能查到吗？
答：Power MOS：https://www.nexperia.com/products/mosfets/power-mosfets/#/p=1,s=0,f=,c=,rpp=,fs=0,sc=,so=,es=

问：安世MOS选型官网能查到吗？
答：针对所有的MOS选型链接：https://www.nexperia.com/products/mosfets/#/p=1,s=0,f=,c=,rpp=,fs=0,sc=,so=,es=

问：LFPAK的封装是最新的吗？
答：不是新的，已经有二十多年的历史了，刚开始时是为汽车上设计的，具有汽车级的可靠性，后面慢慢推广到工业、消费类产品上。

问：世安垂直化的整合是先满足自有工厂生产，超出部分找代工厂吗？
答：目前自有工廠的稼動率都還是維持90%以上, 也是目前客戶對安世產品的肯定, 對於超出的部分, 安世也積極在布局更多的工廠來滿足客戶

问：散热器有参考吗？
答：可能要請嘉賓跟相關的散熱器廠商聯絡, 目前安世並沒有提供這樣的解決方案!

问：5G基站网络安世有哪些产品应用？
答：5G基站网络部分，电源方面：POWER MOS，有很多40V到120V的低Rdson，高SOA的功率MOS；小信号MOS，用于实现信号的开关控制，电平转换等也有完整的产品系列，逻辑部分目前有完整的系列可供选择，此外稳压二极管，肖特基二极管也有非常全的产品系列

问：什么叫海鸥脚？
答：就是我们的LFPAK56脚，我们的S极和G极的脚是往前伸的，也是5X6,跟市面上的DFN56是兼容的，其他的DFN的pin脚在封装下面。海鸥脚具有高可靠性，汽车级封装，可过波峰焊，手工焊等特点。

问：热插拔方案适用于哪些应用？
答：适合-48V、12V通讯系统的热插拔，缓启，路由缓启等。

问：5G应用的门槛高吗？
答：

问：安世半导体氮化镓MOS应用那些领域应用？
答：通讯电源，服务器电源，充电桩等大功率电源

问：如何从4G过渡到5G？
答：

问：芯片报价？
答：烦请找我们的分销商，我们官网有各代理商的联系。

问：5G应用需要支付授权费用吗？
答：

问：你们的产品在汽车领域如何和5G结合的？
答：汽车领域很多，5G的应用体现在自动驾驶和多媒体数据方面，安世在这两方面都有相应的方案： 车规级MOS和ESD以及逻辑都有应用

问：如何把4G和5G一起运用，
答：

问：安世的MOS有什么优势？
答：高可靠性，汽车级封装，铜压片工艺，具有低热阻，高ID值，超强SOA能力等

问：世安垂直化的整合是指从设计到生产都是独立完成的吗？
答：是的，我们从前端晶圆设计到后端封测都是自家工厂

问：如何设计到智能家用上，5G安全的问题
答：

问：SOT23是安世提出的，厉害！
答：

问：安世有哪些特有的小型封装，这些封装有哪些优势？
答：安世一直致力于提供小封装的产品给客户，小封装很多，比如X2SON， XSON ，DFN0606这些无引脚封装，用于替代SMA/B/C的，具体可以浏览官网https://www.nexperia.com/packages/

问：5G的应用，周边相关设备器件都需要升级，所以机会还是很大的。
答：

问：是否有demo提供？
答：有的，具体联系相关代理商和窗口

问：你们的MOS是如何适应汽车电子中负载瞬态、感应场衰变和温度等环境的？
答：我们的MOS出厂前都是经过严格的可靠性测试，尤其是汽车级的MOS,我们的测试条件有的是车规的几倍的应力条件，严格于目前Q101等标准

问：有开发板与开发样例提供吗？
答：有，具体联系相关安世的窗口

问：国产，有相关资质？
答：

问：你们的MOS器件比汽车AEC-Q101标准高出多少呢？
答：在可靠性方面高于AECQ101， 高于1000小时的热冲击测试

问：5G技术的到来，半导体厂家的产品有何新的需求和设计挑战？
答：

问：5g应用的mos应该具有哪些特点？
答：因为5g电源的功率需求更大，需要高功率密度，需要MOS管具有的更好的开关性能，SOA能力，封装可靠性更高的可靠性。

问：安世在5G提供几种类型的二极管品类？
答：ESD 二极管用于浪涌和静电防护， Zener用于稳压，肖特基和快恢复管用于防反和续流，此外新推出的SiGe管子可提供100-200V的耐压，更低的泄露电流更高的热控制

问：5G在应用中的寿命为多长？
答：

问：燃油效率可以达到什么级别？
答：

问：产品的应用领域有哪些
答：

问：ESD保护二极管有什么优势？
答：ESD 二极管用来保护静电和浪涌，安世的优势在于更小的封装提供更高的静电防护， 此外在高速信号接口保护部分有非常丰富的方案

问：5G加AI的布局是未来造制的必然？关键是如何性价比投入？
答：

问：DFN1x1的功率等级是多少？
答：260mw-350mw,具体可以查看我们规格书。

问：5G 基站天线设计有什么解决方案？
答：

问：有哪些具体的应用案例？
答：热插拔，同步整流、ORing等电源上应用到我们的MOSFET

问：MOSFET的ESD有没有电压高一些的？
答：MOS的ESD保护瓶颈主要是指Gate端，gate的栅氧化层有关， 此外安世有很多集成ESD的MOS管，防护等级会更高可达1KV以上

问：低功耗应用中怎么选择MOSFET类型?
答：选择具有较低FOM值MOSFET, FOM=Qg*Rds(on）

问：5G的布局对来有什么重大变化？
答：

问：基站上面如何选择5G产品？
答：可以登录我们官网查看具体应用 https://www.nexperia.com/applications/industrial-and-power/

问：5G天线可以实现波瓣数字化控制吗？实现指定位置唤醒通信
答：

问：请问 5G在民间生活中有多少个方面的应用？谢谢
答：

问：5G传输速度很快，会不会导致发射端或者终端发热严重，这种问题如何克服？
答：会的，能耗高， 解决方案是选用更低功耗的产品，提高利用率

问：5G电源对与磁性元件的设计有什么要求?
答：5G电源需求更高的功率密度，体积会更小，频率会更高，这些也是对磁性元件的要求。

问：你们的MOSFET是如何设置自我保护的？
答：

问：安世在5G应用方面有哪些创新点？
答：

问：5GADC AD7134应用，片式聚会物电容成本确实很高，有没有更经济实用的快速小批量定制方案？
答：

问：安世在5G应用里面可以提供哪些元器件跟解决方案
答：POWER MOS， GaN，这些用在电源部分来提高利用率、降低功耗，ESD部分用于静电浪涌保护

问：在我们布局5G当中，现实如何提高现实设备的应用效能？
答：需要从底层电源设计就要考虑高效率的电源，运用新的器件(例如GaN)，新的拓扑等都可以提高效率

问：和SiC功率器件相比,GaN功率晶体管器件有什么不同性能或优势?
答：SiC的热特性更高， 耐压更高，GaN电子迁移率更快， 更适用于高频，尤其5G的电源和射频PA部分

问：安世半导体在5G应用对优势产品？
答：

问：热插拔方案目前我们只发布了 0.57 那个吗？
答：不是的，我们有一系列的热插拔产品，可以看我们后缀都是带-YSE/BSE/PSE/MSE结尾的都是适合用在热插拔的应用

问：前置放大可以有什么小信号MOSFET可以推荐的？
答：

问：贵司针对5G应用，都有哪些相关产品？
答：

问：安世仿真解决方案可以帮助设计者达到哪些效果？
答：提供IBIS， spice， S参数仿真文件，针对功率MOS，可以提供热仿真

问：安世产品适用于不同的5G产品吗?
答：

问：5G的芯片数字化标准如何选比较优先呢？
答：

问：5G基站耗电量很大，安世在解决电源效率方面有哪些优势？
答：例如100V的管子，我们具有业界较低的Qrr,也有降低的Qg 值的-YLD系列产品，都对提高电源效率有帮助

问：在5G电源中使用双环电路控制可靠性如何？
答：

问：怎样测试mos元件？有哪些关键参数？
答：MOS的参数很多，Rdson，耐压，过电流能力， Qg等，具体如何测试请联系安世相关窗口以获得技术支持

问：基站选择5G产品注意些什么？
答：可以登录我们官网选择5G应用选择合适的产品，https://www.nexperia.com/applications/industrial-and-power/

问：超小型是怎么解决无引脚的稳定性？
答：

问：这个贴片的封装能过30A，优点很明显，真的吗？
答：PPT上的资料都是真实的，不知道你说的是哪个封装,如果是LFPAK56封装我们的ID电流最大可以到380A。

问：SOT23 1969年， 为什么在市场上被应用这么久？
答：

问：3R7 会把psmn3r8-100BS 取代吗？
答：目前不会，PSMN3R8-100BS仍然在生产，看可以SOA要求来选择。3R7具有超强的SOA.

问：垂直化的整合的好处？
答：

问：请问专家,你对化合物半导体的发展包括它们的应用有什么建议?
答：你所说的应该是指第三代半导体材料，目前SiC， GaN，应用会越来越广泛，尤其5G的发展带来了迅猛发展， 高功率，低功耗，支持 高频率。目前被几家国际大厂控制，国内处在起步阶段， 前途是光明的，过程应该会比较曲折。

问：5G的高带宽低延时中低延时是通过什么实现的呢？
答：

问：5G的可视化数据的管理也是个难题？如何实现智能管理？
答：

问：请问专家,如何正确选择大功率MOSFET?
答：首先确定封装、耐压、内阻、Qg、热阻、SOA能力，ID电流能力等。要从你的具体应用来选择，是作为高频开关管还是缓启等。

问：安世的5G产品有哪些？
答：

问：LFPAK封装用什么材料做的，善热能力这么强？
答：

问：安世有单芯片双buck输出的芯片可供选择吗？
答：

问：超小型目前在5G上有应用吗
答：有的， 无引脚小型化是未来趋势，逻辑的小型化封装用在处理器和外设的buffer和电平转换， SOD882/962的ESD用于5G终端的经典保护，MOS的DFN1006和0606用在5G手机终端可穿戴部分的信号控制部分还有做电平转换等应用很多。

问：安世在哪几个维度对5G进行支持
答：

问：这么大的功率，散热设计怎么解决的
答：我们的MOS 采用铜压片封装工艺，具有较低的热阻。散热设计具体要看具体的电源，有时极限不在mos的能力，在于PCB的散热能力,可以多并联或加散热器等。

问：安世天线解决方案采用哪种算法？有哪些处理方面功能？
答：

问：新一代氮化镓技术改善了哪些方面？
答：更容易驱动，就像驱动MOSFET一样使用。

问：安世的解决方案里的功率器件有多少W，如何通过380A ?
答：

问：目前有哪些厂商已经用到了安世的解决方案呢
答：目前全球大型的5G通信设备厂都有使用我的产品。

问：安世的5G芯片底层设计以那个系例为主？在万物互联的工业领域应用中模块化能提供吗？
答：

问：砷化镓功率器件和氮化镓器件相比,性能如何?
答：砷化镓相比较于GaN的区别在于GaN能够在更高的功率时保持更高的频率工作范围，5G应用中，GaN 将会更广泛

问：在天线设计方面如何来保障精度？
答：

问：psmn4R8-100BSE 是 psmn3r8-100BS 的升级吗？ 还是替代
答：是对soa能力的升级，不是替代。两个产品都一直在生产，看客户SOA需求来选择。

问：5G会给现在的生活带来哪些重大变化？
答：

问：能提供测试板试用，运用到智能家用，功耗多谢
答：可以的，具体可以联系我们分销商。

问：请问安世半导体的氮化镓器件是否是硅基氮化镓?
答：是的

问：安世的产品有没有现场演示可以组织参观吗？
答：

问：mos建议并接使用吗？
答：建议，很多应用都是需要并联使用的。但是需要注意Layout等细节

问：对于整个基站天馈系统的射频通路，安世具有哪些仿真方案参考？
答：

问：5G究竟带来全球经济收益有多大?
答：

问：安世的MOSFET不仅仅用于5G吧？还适合那些应用？
答：是的，我们的MOSFET广泛应用在汽车，消费电子产品，5G，工业制造，电动 工具，电池保护等应用。

问：应用的安全技术要求有哪些？稳定性如何？
答：我们有严格的可靠性测试，具体可以查看我们产品的可靠性报告，里面有详细介绍。

问：低感抗和低阻抗是不是有利于提升抗干扰能力？谢谢！
答：

问：铜夹片有多厚？
答：这个属于公司内部机密，不公开。

问：SIP32102 这个在光模块上面用很多 有没有好的替代
答：

问：您认为5G的到来带来最大的变化是什么？
答：

问：安世的MOSFET用于5G的那些方面？
答：热插拔、高频开关管，DC/DC,AC/DC,ORING等应用

问：请问：动态特性的提升是用什么指标表征的？
答：比较典型的是Qg,Qrr等

问：氮化镓技术目前有什么应用吗
答：

问：铜夹片底部散热的PCB设计时，是接独立铜皮，还是接地
答：底部铜片就是漏级

问：5G应用将带来哪些全新生活？
答：

问：怎样解决载体对5G天线的影响，以及消除天线相互之间的影响和耦合
答：

问：安世在5G领域有哪些优势？
答：

问：采用铜夹片技术设计的芯片热性能怎么样？
答：铜夹片相对于wire bonding，散热性更高，更大面积的铜接触会带来更低的引线电阻和寄生电感，自身产生的热也会降低，更大面积的铜也会通过引脚更好的传到热到PCB和散热到空气中。

问：Nextpower Live 100V 方案 Low Qrr 是如何做到的？
答：通过我们的设计工艺做到的，具体的涉及到公司内部机密。

问：5G通信应用在高频高速低时延和多通路,它对器件和GaN功率晶体管器的封装技术有什么要求?
答：

问：5G 适用于所有领域吗？
答：

问：安世LEPAK33系列在5G通讯基站中都发挥了哪些作用？
答：作为DC/DC开关管，缓启等

问：LFPAK支持哪些封装？
答：

问：nexperia有5G终端（模块、电源、功放等）方面的产品吗？
答：安世提供分立器件，想二三极管， MOS/GaN， ESD和模拟逻辑器件，目前没有模块、功放产品

问：晚上，看个后半段。
答：请继续关注

问：以后的5G技术主要应用在哪些领域中啊？
答：

问：5G什么时候可以实现全面应用呢？
答：

问：MOSFET中栅极电阻有哪些作用？
答：可以预防误导通，改善开关速度等

问：5G技术在哪些领域已经进入了应用阶段？
答：

问：哪些5G应用场景能得到认可？
答：4K/8K直播， VR， 现场360度直播，这种基于ｅMBB的应用已经展开了， 智慧交通，自动驾驶也在开展中。物联网也在发展中

问：铜夹片技术主要有哪些特点？
答：低热阻，高ID，车规级可靠性，可波峰焊，低寄生感抗等

问：H2也是采用氮化镓高电子迁移率晶体管技术吗？
答：

问：有H桥型MOSFET产品吗？驱动电机用
答：目前在研发中

问：采用这种H2氮化镓技术的芯片成本怎么控制的？
答：

问：5g技术在工业方面能有什么应用呢？
答：

问：海鸥脚的优势是什么？
答：提高焊接的可靠性， 在热冲击时有助于解决器件和PCB等不同材质的热胀冷缩的应力

问：安世MOSFETs器件在同行业中处于什么水平？
答：处于第一梯队，跟国际品牌同样的水平

问：Nextpower Live 预计什么时候发布？
答：

问：安世有5g电源的参考案例吗？
答：有的，可以登录我们官网看5g推荐产品https://www.nexperia.com/applications/industrial-and-power/

问：H2兼容标准的传统硅MOSFET驱动器吗？
答：

问：5g应用场景有哪些？求介绍
答：

问：5G应用布局，是部到基站吗？
答：

问：5G应用辐射是否让身边辐射增大？比如手机和基站的电磁辐射
答：辐射是指能量的大小， 5G因为高频，所以衰减更大，所以采取密集部署小基站，相比较于宏基站降低功耗，因此辐射不会比4G高， 当然不管是4G还是5G都要符合国标的安全区域。

问：MOS管开关损耗做的怎么样？RDSon最小多少？
答：我们最小的RDS(ON)最小的是0.57mohm PSMNR51-25YLH, 我们有一系列的low Qg -YLD 产品

问：5G通信的演进对接入网产生哪些影响?
答：

问：5G对高功率MOSFET提出了哪些要求？
答：

问：H2氮化镓技术是安世独有技术？
答：

问：H2栅极电压可以承受的正反向耐压可以实现多大？
答：

问：安世解决方案主要用于哪些领域？与其他公司同类产品相比，最大特色表现在哪些方面？
答：

问：5G的穿透力如何？
答：看应用频段， 频率越高，穿透力越弱

问：600W左右开关电源的MOSFET目前开关频率最高达到多少时效率不会下降太多？
答：这个没有具体测试过，不同的mosfet的参数也不一样，要看实际测试为准

问：氧化镓有前途吗？安世有没有布局氧化镓？
答：

问：5G的天线阵列对比4G有哪些不同？
答：

问：5G应用目前在安世总业务中的占比大概是多少？
答：

问：安世提供DC电源模块吗？和FPGA厂家提供的主板电源芯片和模块有什么区别？
答：目前不能提高DC电源模块，但是有些电源模块可以提供测试，可以跟我们的分销商联系。

问：buck电路，上下管mos怎么选型，需要注意什么？
答：注意Qg,Qrr等动态参数

问：有高速接口信号的ESD防护器件吗？
答：有的，安世有完整的高速信号接口的ESD解决方案，具体请浏览安世官网