Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介绍

问：GaN HEMT目前性价比还有待提高吧？
答：是的

问：和IGBT比反应速度如何
答：和IGBT比差不多得快10倍的速率

问：高频MOS管有没有
答：GAN本身就是高频功率器件

问：2V门限可以用在3.3V系统吗?
答：一般的门极驱动电压10V左右，门极的极限是+/-18V

问：这个在智能家居里有应用吗
答：高效率和高密度的开关电源在智能家居上面也是有优势的

问：这个在智能家居里有应用吗
答：您可以联系我们

问：这个在智能家居里有应用吗
答：富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：有没有应用到高频的功率放大芯片
答：有的，具体您可以联系我们！

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答：富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：300M以上频率的
答：详细资料可以问询我们！富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：氮化镓开关工作功率可以到多少？
答：理论上可以到10M

问：最高电压多少？
答：DC 600V，pulse 750V

问：氮化镓优势固然不少,但成本会有多少提高呢?
答：整个的BOM 成本将会有所下降，因为开关频率的提高电感体积缩小，电容容值有所下降！

问：有没有测试损耗的方法,仿真方案等提供?
答：具体您可以联系我们官方网站 申请相关样品及套件：富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：大功率开关电源软开关有设计电路参考?
答：富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：有功能模块吗？
答：有模块

问：开关速度达到什么水平?
答：10M以上

问：HEMT器件封装都兼容常规器件吗?
答：HEMT Pin 脚不兼容MOSFET，作为下一代功率器件HEMT的pin脚都是这样定义

问：有没有1200V的
答：目前还没有 预计2016年会有样品出来

问：transphorm批发哪家好
答：请联系富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：我们一直采用富士的IGBT，请问贵司的产品能替代IGBT的功能吗？
答：可以 具体您可以联系富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：Transphorm GaN HEMT功率器件的散热及封装怎么样
答：散热很好，封装有QFN, TO220和TO247

问：请问有没有成熟稳定的应用案例，成熟期2，3年以上的应用
答：我们目前有成熟套件 您可以联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：为什么弯角会影响开关频率?
答：不会影响开关频率，因为弯脚会寄生一些电感和电容，所以在高速的开关频率下有可能会造成器件的实效

问：GaN HEMT用在开关电源系统使用比MOSFET的效率提高多少?
答：MOSFET的效率开关损耗很大，而GAN基本没有开关损耗。具体的效率提升要看具体的设计和负载情况

问：相对于传统材料，性能能提升多少？
答：目前知名电源厂商使用在钛金牌电源上！

问：有无配套的栅级驱动器？
答：有， 可以具体联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：SiC和GaN，新兴功率器件如何选？
答：GAN比SIC是更新一代的材料

问：GaN HEMT只能用在开关电源上吗?
答：也可以用在功率放大器上

问：transphorm中国区授权总代理是哪家
答：富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688

问：富士通代理 富士通半导体代理 富士通中国代理有哪些？
答：请直接联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：富士通品牌的微控制器在业界口碑如何？可否介绍一下公司以及产品的情况。
答：请直接联系我们 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680

问：性价比怎样
答：单比成本的话，比传统的MOSFET要高。可是按照应用来说，GAN可以省掉很多的周边回路，整体成本差不多。

问：富士通在上海具体什么位置
答：富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层

问：我有个项目需要高压高速的管子，你们最高电压的是多少伏？有2500V等级甚至更高的吗？
答：最高到600V，脉冲750V

问：请问有没有BLDC驱动的推荐MOS。或者有DEMO板
答：富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204

问：请问有没有BLDC驱动的推荐MOS。或者有DEMO板
答：有 请联系我们

问：谁知道什么是OMNIVIEW技术？富士通半导体有采用这
答：OMNIVIEW就是我们通常所说的全景技术，可以应用领域于停车和主动安全

问：富士通全是日本原厂吗
答：是的

问：有获得专利的技术吗?
答：有专利250多项

问：MFET器件比同规格的MOSFET更小，损耗更低，可以这么理解吗？
答：可以，

问：氮化镓的抗静电能力如何？与传统的MOS相比？
答：GAN比传统MOSFET抗静电具有更高的优势和抗静电能力，如需样品请联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204

问：目前富士通产品有那些,详细说明,同时介绍富士通公司在目前中国的情况
答：请看我们的公司网址，上面有具体介绍。http://www.fujitsu.com/cn/products/devices/semiconductor/

问：GaN HEMT的电流范围是多少?
答：目前最大到37A @25℃

问：需要单独配置散热器铝片？
答：要的

问：现在，“节能/智能”化趋势十分看好，富士通半导体有没有适合这方面应用的家电设计方案，
答：有的

问：富士通半导体有没有16位微控制器用于汽车应用啊？
答：我们已经将此部门卖给了CYPRESS

问：GaN的价格和SIC比有优势吗？
答：价格是SIC的二分之一到三分之一

问：氮化镓的抗静电能力如何？与传统的MOS相比？
答：GAN 有更强的抗静电能力

问：富士通的全称
答：富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688

问：富士通中国的总裁是谁呀？
答：请联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204

问：工作温度多少？环境温度零下15度能储存和使用吗？
答：-55到175结温

问：氮化镓的封装为什么不能和传统MOS的引脚统一呢？技术上有什么问题？这样传统的产品还不能直接替代？
答：HEMT器件是新一代的材料做成的，有更合适的脚位匹配，下一代功率器件都是这种脚位

问：富士通在中国现在的发展状况如何？
答：非常好！谢谢！

问：富士通采用无边设计的笔记本有几款
答：请联系富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204

问：亲，你好，求助哦，富士通的能量采集电源管理芯片，怎样获得他的芯片具体型号呢
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问：可以直接用到380V电网,整流的直流电力电源,?耐压够吗
答：不够的

问：请问可以申请免费样片吗?
答：关于样品申请，请联系我们，富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688

问：京崎是富士通下的子公司吗??
答：可以详细联系我们富士通官方网站！

问：谁了解180度直流变频控制电路的？
答：您可以联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204

问：我要开发电池驱动产品，富士通半导体是否有适合低功耗和低成本应用的32位微控制器解决方案？
答：我们有类似配套解决方案，您可以联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204

问：氮化镓在开关速度上与传统MOS相比有绝对优势，但导通损耗和传统MOS相比如何呢？会不会用在开关电源上开关损耗小了，导通损耗又大了呢？反而成本还上升了？
答：举个例子，37A电流TPH3205 导通内阻只有63mΩ。

问：耐压按照几倍选择?
答：举个例子，前级PFC 400V输出的电压就可以选用600V的GaN，其实和传统Si Mosfet一样在耐压的选取上

问：死区时间最小到多少？
答：一般在Ton或者Toff的3-5倍

问：175度的测试环境能涵盖所有使用范围了吧，低温的情况如何呢？
答：是的，低温可以到-55℃

问：有通过EN61000-3-2,-3认证的案例吗？
答：具体详情 您可以致电我们 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204

问：Fujitsu代理 Fujitsu半导体代理商 Fujitsu中国地区有哪些？
答：详情您可以联系我们 富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204

问：是否有半桥或全桥封装?
答：有的

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答：您可以联系我们富士通半导体（上海）有限公司 电话： (86 21) 6146 3688 传真： (86 21) 61463660，61463680 地址：上海市浦东新区芳甸路1155号浦东嘉里城办公楼30层 201204

问：氮化镓MOS的驱动和普通MOSFET相比较，驱动方式或者驱动线有没有特殊的要求呢？
答：驱动相比传统驱动来讲，GaN的驱动更简单，驱动线路更短，驱动电阻可以省略用磁珠替代。

问：氮化镓的的抗雪崩能量的能力怎么样？和传统MOS相比？
答：标称750V pulse电压持续方波，实际上1150V pulse电压下也不会失效

问：产品自身损耗功率？
答：自身损耗比起Si-MOSFET来讲要小很多，包括了导通损耗以及开关损耗，

问：不知道氮化镓有没有体二极管一说呢？
答：GaN本身没有的，有的只是串联的那颗低压Si-Mosfet里有

问：请问在电路简化方面有什么优势么
答：如果用在开关电源上面的话，提高系统频率，电路中的电感和电容都会变小

问：有哪些独特的创新优势？
答：GaN本身就是一个创新，高频高压特别的适合GaN的应用

问：是否也有哪些不同的封装形式可供客户灵活选用?
答：有QFN5mmX5mm，6mmX6mm，TO220，TO247

问：有无高可靠性保障?
答：全球唯一一家过JEDEC认证的高压GaN的公司

问：和MOSFET相比，PCB有什么需要注意的地方吗？
答：特别要注意的就是功率地和驱动信号地要分开，驱动回路短，驱动电路按照推荐的电路来实现问题就不好大

问：690V的变频器还需要做3电平吗？
答：目前GaN只能到600V DC最大直流电压

问：国内现在有生产SiC和GaN功率器件的公司吗？
答：目前大概还没有

问：具体应用中是否还须有哪些特别要关注的关键性问题或要点?
答：具体应用中要把开关频率提高到原来的3倍左右这样GaN的有优势才能体现出来

问：作为第三代半导体材料，GaN和SiC各自的优势是什么？
答：GaN和SiC更适合高温高压的场合，但是SiC价格更贵一般是GaN的3-5倍