富士通FRAM---最佳数据存储解决方案

问：寿命如何?
答：在85度工作环境下,可以保持10年.在低于85度环境下会保持更久

问：请问富士通的FRAM比赛普拉斯的有哪些优势?
答：富士通控制从研发到量产的所有程序,所以品质和交货的稳定性会很好。

问：请问富士通的FRAM比赛普拉斯的有哪些优势?
答：富士通控制从研发到生产所有程序,品质和交货的稳定性会更好

问：请问富士通的FRAM比赛普拉斯的有哪些优势?
答：有14 年的 FRAM量产经验(自 1999年) 拥有晶圆工艺制造和封装厂,实现高品质产品的稳定供货

问：我们做电表打算用铁电?怎样联系你们.谢谢
答：可以联系我们的代理和销售：http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html另外，我们正在开展样品免费申请活动，您有兴趣可以参加：http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96

问：请问,FRAM 是掉电可以保存的吗?
答：您好。FRAM最大的特性就是斷電後仍然可以保持資料，因此可以節省電池成本和PCB板上面積，提供最佳的無電源解決方案

问：软件支持win8吗？
答：我们是底层硬件，对于应用层的软件没有太多限制

问：价格怎么样？
答：请关注下面网站http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96，并可价格咨询

问：价格如何？
答：请关注以下网站http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96，并咨询价格，谢谢

问：温度范围是多少？
答：您好，一般是負40度到85度。具體詳細的數值可以參考datasheet 請上富士通網站下載http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/

问：存储材料--铁电晶体，是铁基非晶材料吗
答：FRAM是运用铁电材料（PZT等）的铁电性（Ferro electricity）和铁电效应（Ferroelectric Effect）来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作

问：请问一下FRAM相对于一般常用的RAM来说它的优势是什么？
答：关键是掉电时还可以保存原来的数据,而一般的RAM在断电后,数据会丢失,在一些应用中FRAM可以代替电池+SRAM的应用

问：FRAM的稳定性怎么样？
答：稳定行很好.读写速度快,可读写次数多(接近无限次),功耗低.

问：FRAM的性价比如何？
答：FRAM的制作工艺决定了，他与其他的存储器成本有所不同。但是ＦＲＡＭ有自己的优势，用了FRAM可以让客户省去一些备用电池和大容量的电容。对于客户来说，系统成本和研发成本降低才是最重要的

问：从PPT上看，FRAM的速度好快
答：是的,和RAM速度差不多,但FRAM是非易性存储器,掉电状态下也可以保存数据.

问：和RAMTRON  的技术有什么异同?
答：我们是说大同小异　；）

问：了解一下新的解决方案~~~
答：我们的PPT中有涉及。要了解更多，您可以联系我们相关的代理和销售http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html

问：FRAM与EEPROM的区别
答：速度更快,可读写次数更多,功耗更低,具体请参考Page5

问：多讲案例
答：在演讲中有涉及

问：FRAM和SRAM相比读写速度怎么用？
答：请参考Page11

问：是否今后趋势会取代其他存储器
答：FRAM是性能很全面的存储器技术,会被越来越多的领域接受。

问：FRAM跟DDRRAM相比有何优缺点？
答：FRAM是非易失性存储器,可以实现掉电保存.唯一的缺点是读写次数是有限的,目前可以支持到1万亿次,但在实际应用用可以理解为无限次。

问：相比于其它RAM，在设计上应用上FRAM有什么特别的要求？比如电压、电流等
答：对于ＦＲＡＭ没有特别的要求，只要符合我们ＤＡＴＡＳＨＥＥＴ标准就好

问：FRAM的存储容量有多大？
答：目前最大可以支持4Mbit,请参考page10.

问：大家好，来学习了。
答：欢迎,欢迎

问：请问：有代替PC机内存的应用案例吗？谢谢
答：目前还没有,我们的产品容量最大是4M Bit,还无法代替PC的内存

问：请问：FROM的存储响应速度现在达到什么水平？谢谢
答：我们最快的并口读写速度在150ns左右

问：请问：FRAM目前有哪些规格的封装？谢谢。
答：目前有SOP,SON,TSOP,DIP等封装。

问：请问：FRAM的存储介质是什么，在使用中需要主要哪些问题？谢谢。
答：存储介质是铁电晶体,使用用请注意上下电时序,datasheet 上有详细说明。

问：以前没用过贵公司的产品，不知道是否兼容同系列的产品。
答：兼容，最近我们有免费样品申请活动您可以申请样品试一下．http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96

问：FRAM比一般的RAM快吗
答：和RAM速度接近,但FRAM可以实现掉电保存,属于非易失性存储器

问：请问有没有能在-25度~0度之间的温度工作的产品？
答：目前我们可以支持-45度到85度的温度范围

问：请问一下，目前来看FRAM是否存在缺点或者不足？
答：读写次数理论上来说是有限的(1万亿次左右),在实际应用中可以理解为无限次.

问：今天来迟了
答：没事，演讲材料会放在网站上供您参考

问：请问铁电的读写一般可以达到多少次？
答：目前最大可以达到10万亿次

问：公司一直用ramtron的铁电，请问可以和富士通的互换不？
答：应该没问题,能告诉你们使用的具体型号么?

问：FRAM和EEPROM从功能上来说两者之间可以通用吗？
答：都是非易性存储器,FRAM在读写速度,可读写次数,功耗等方面比EEPROM做的更好.

问：请问有哪些原因可能引起FRAM的掉电不保存？希望能够从FRAM本身和外围电路讲解，谢谢
答：关键是控制上下电的时序，具体参见datasheet.http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/

问：学习下
答：欢迎

问：性价比怎么样
答：单芯片方案，性价比较高

问：能降低多少能耗？成本的优势？
答：以EEPROM作比较,目前FRAM的功耗是其的千分之一,您可以参考Page5

问：FRAM相对于一般常用的EEPROM来说它的优势是什么？
答：读写速度更快,可读写次数更多,功耗更低,在Page5有具体的比较.

问：最大写入次数是否有限制？
答：目前是10000亿次,在实际应用中可以理解为无限次

问：FRAM的可擦写性能怎么样
答：可保证擦写次数10的12次方.

问：FRAM的写入读出周期是很重要的啊
答：对的

问：富士通的FRAM支持哪些通信接口
答：SPI,I2C,并口

问：存储器的寻址周期和功是一个重要的评估指标，富士通在这些方面有什么优势呢
答：我们和RAM比较接近

问：最大能存储多少字节的数据
答：目前最大存储支持4M bit.

问：FRAM的稳定性怎么样
答：稳定性不错,读写速度快,可以保证掉电瞬间的数据安全性;可读写次数多(接近无限次)，适合于需要频繁读写数据的应用;低功耗,适合于便携式等应用.

问：FRAM的成本较高，怎样能降低成本使易于接受
答：您好。在工業控制，智慧電錶，醫療相關的應用中，FRAM的高可靠性是客戶最需要且肯定的。從性價比的觀點上看，FRAM是新世代存儲器的最佳選擇

问：最大的读写速率达到多少
答：可以达到100--150ns左右

问：如果需要大量数据的快速写入读出，，富士通有什么解决方案
答：我们的FRAM最大4M bit,但要做大数据读写，目前没有完整方案。

问：适应性怎么样，，，在温度变化较大的环境下能稳定工作么
答：目前可以支持-45度到85度的工作环境.

问：富士通的这方面的专家，但是个人觉得宣传力度不够
答：谢谢您的建议，我们FRAM也正在加大宣传力度，最近我们和P&S搞了FRAM免费申请样品的活动，可以关注下，谢谢

问：来学习了
答：欢迎

问：FRAM这么大的优势，其相比于EEPROM缺点在哪里呢？！
答：从性能上说,FRAM绝对占优,无论从速度,可读写次数,功耗,抗干扰行方面都占优.

问：希望能以实际应用范围讲一下FRAM的使用
答：FRAM应用范围非常广泛,适合于对数据安全可靠性比较高的应用,具体请参考Page9

问：那FRAM在工业和军工上有运用吗！？
答：工业上应用非常广泛,具体参考Page9

问：这个产品功耗最低多少？最低工作温度能达到多少？
答：待机功耗典型值只有5uA,工作环境温度是-40度到+85度

问：存储数据和读取数据的速度如何？
答：FRAM的存取数据和读取数据的速度都是一样的,150ns

问：工作电压范围呢？
答：IIc:2.7--5.5vSPI:1.8--3.6 2.7--5.5并口: 3.3V

问：不知道这种产品的性价比如何，功能是升级了，但是成本呢？公司都要考虑性价比的？
答：- FRAM的制作工艺决定了，他与其他的存储器成本有所不同。但是我们有我们自己的优势，用了我们的FRAM可以让客户省去一些备用电池和大容量的电容。对于客户来说，系统成本和研发成本降低才是最重要的，您可以从整个系统的角度来考虑

问：FRAM使用寿命如何，在以前的项目中，发现寿命不如EEPROM?
答：FRAM的写次数可以达到10000000000次,而EEPROM只有1000000次.所以FRAM的寿命是远远高于EEPROM.

问：讲的不错
答：谢谢,希望能在您的应用上使用我们的产品,帮助您的系统提高可靠性

问：FRAM可以扩展RAM用于高速运算么，比如算法设计
答：理论上可以，但关键是看您的运算速度有多高

问：价格和购买渠道，能大概介绍下么？
答：具体的价格可以询问我们的当地销售和代理商http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/目前我们在P&S网站上在搞免费样品申请活动,您可以试一下: http://www.icbase.com/NewsPage.aspx?NewsId=96

问：为什么不介绍渠道和销售，难道是用来show的么？
答：具体的价格可以询问我们的当地销售和代理商http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/

问：FRAM写数据速度如何？
答：请参考Page7

问：我曾经试用过Ramtron的铁电存储器，请问富士通和Ramtron的有什么区别？
答：您好。富士通鐵電存儲器的研發到生產皆是IN HOUSE，量產已經14年。因此能實現高品質的穩定供貨和具競爭力的價格。

问：FRAM的抗干扰性如何？
答：抗干扰性很好,尤其在抗伽马射线领域。

问：FRAM在存储时，对环境干拢有没有要求？在什么情况下会出现存储错误？
答：FRAM抗干扰很好，关键管理好上下电的时序，就可以避免读写错误

问：fram失效原因有哪些？使用中需要注意哪些事项？
答：具体问题具体分析,特别要注意一下上电下电的时序.

问：伍工您说“抗干扰性很好,尤其在抗伽马射线领域。”，这一块的机理是什么？
答：是FRAM铁电晶体的特性

问：报到学习一下
答：欢迎

问：我是用来做加密狗的
答：可以考虑使用ＦＲＡＭ

问：FRAM的容量目前能做到多大？
答：在我们的演讲中可以看到,目前我们最大的容量是4M bit,未来会做8M--16M的产品具体可以去我们网站查询http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/

问：有没有应用实例，目前市面上的哪些产品用到了富士通的FRAM芯片？
答：应用非常广泛,覆盖了智能三表,工业控制,汽车等众多领域,具体请参考Page9

问：从成本上看，FRAM和SRAM+超级电容，谁好
答：成本差不多,但FRAM是单芯片解决方案,可靠性会更好!

问：10000亿次是否也包含读的操作
答：您好。是的。目前最高讀寫次數到達10萬億次。

问：FRAM在智能卡上有哪些典型应用
答：在日本的Felica上有大量使用

问：FRAM能不能代替norflash应用，如果能，那么它的读写延时会比norflash有多少优势？
答：由于容量和成本的限制，FRAM现在还不能用来完全代替Norflash

问：在温度范围内，读写速度有多大变化？
答：温度对读写速度是没有影响的

问：你好，主持人，铁电存储器以及EEPROM，Flash等常见储存介质主要有哪些区别呀，给些实用性建议，不要度娘那种官方的解释，望借此机会能够有更深刻的认识，谢谢！
答：在我们网站上有具体的介绍，您可以参考一下：http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/overview/如果你还有问题的话，可以通过我们的销售和代理和我们联系，谢谢http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html

问：主持人，现在大家常用的铁电存储器的容量需求一般是多大呀，价格是怎样的呀
答：容量需求取决于具体应用的数据量。

问：FRAM与RAM速度相近？RAM之所以是因为与CPU直接相连的原因吧，而FRAM相对于芯片内部的RAM与Flash一般是属于外扩型存储介质，那为何FRAM的速度还能如此之快呢，可以详细说明吗
答：FRAM读写快是由内部结构决定的，您可以在我们网站上找到答案，谢谢http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/overview/

问：安全性如何
答：FRAM的安全性能很好,特别是对于有放射线的场合特别适合,相对于EEPROM更为安全

问：掉电后数据是丢失还是？
答：可以保存,FRAM是非易失性存储器。

问：价格呢？
答：具体的价格可以询问我们的当地销售和代理商http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/

问：FRAM挂在MCU上的实时性怎么样？有相关的参数吗？
答：能说得再清楚些么？

问：并口FRAM的数据传输是8位还是16位？
答：两者都有，具体您可以参见我们的datasheethttp://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/standalone/

问：我是要在DSP6713+FPGA中使用，有应用案例么？
答：有的,只要有IIC和SPI接口就可以了

问：2M的FRAM现在价位是多少?
答：报价请联系代理商,具体联系方式请参考富士通半导体官网.

问：有没有512K*8的FRAM?具体型号是什么?
答：有啊，MB85R4001A　具体资料如下：http://www.fujitsu.com/cn/fss/memory/fram/standalone/

问：我想问一下深圳这边的代理商联系方式?
答：有的，具体请参考富士通半导体官网代理商信息http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html

问：我联系了一下力源,人家直接回复没有代理此产品,我问的是518K*8的产品?我应该问深圳哪家代理商有此产品?
答：您可以直接联系我们上海office:021-61463688转销售部

问：这个可以当SRAM用么
答：可以的,而且掉电状态下还可以保持数据

问：容量最大能做到多少？
答：您好。目前並行介面（parallel）最高到4Mb.未來持續會有更高容量（8Mb,16Mb）開發計畫

问：大家好吃了没
答：谢谢，关心

问：听起来不错
答：谢谢，你的参与

问：FRAM现在主要的应用案例有没有，如果有，比如？
答：您好。FRAM廣泛應用於工業自動化，智慧電錶，辦公自動化，綠能，醫療設備及rfid領域。

问：封装形式有哪些?价格大概能有多少？
答：封装形式有SOP,TSOP,DIP,SON.价格请联系代理商.

问：成本和价格？
答：您可以联系我们相关的代理和销售http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html

问：产品成本和价格？
答：您可以联系我们相关的代理和销售http://www.fujitsu.com/cn/fss/contact/agent.html

问：我想问下这个在不同温度下，读写速度变化大不大
答：温度对读写速度没有影响.

问：您好，首先感谢您在百忙之中抽出时间为我们做了精彩的演讲。然后我想了解一下贵司的基于铁电技术的产品有否应用于像MCU，ARM，DSP，FPGA等集成IC中，效果如何？谢谢~~
答：目前我们有集成FRAM的MCU产品,后续我们还会考虑开发集成RTC的FRAM产品