了解安森美用于主驱逆变器的VE Trac™ SiC方案如何使您的汽车产品功能变得强大及可靠

问：碳化硅方案，在散热方面有哪些处理方式？
答：其实SIC 本身导热性比硅好，而且耐高温，外部散热和传统的散热没有区别。

问：安森美碳化硅(SiC)技术做哪些方面有新的突破？
答：安森美碳化硅在封装方面有优势 引线电感低，可靠性高，寿命长

问：最大功率多少？有整套方案吗？--支持正弦波输出？
答：取决于控制方式，SIC模块当然支持。

问：安森美相关的SiC方案有哪些技术优势？
答：封装方面优势比较大，引线电感低更能发挥SIC的速度优势。封装的可靠性更高，更能支持长寿命。除了封装，安森美碳化硅的芯片可靠性更高，长期应用参数偏移更小，更加可靠。

问：为什么很多汽车召回都是主逆变器有问题？什么容易受到影响？
答：逆变器相当于汽车的心脏。主要动力来源。

问：为什么很多汽车召回都是主逆变器有问题？什么容易受到影响？
答：汽车召回有很多原因，逆变器只是一种可能。因为逆变器是整个电路中功率最大的部分，因此确实更加容易出现问题，所以选择高可靠性器件，比如安森美的塑封封装更加能提高可靠性，体现碳化硅的价值。

问：SiC方案的电压范围多少？
答：目前SIC器件主要覆盖650V到1200V的范围，后面可能会出一些1700V的产品。

问：安森美电池价格？
答：安森美主要提供半导体器件，目前没有汽车电池产品提供。

问：碳化硅技术的特点是？有哪些优势？
答：碳化硅的技术主要是在高压应用，高频率应用，高温度应用方面有明显优势，因为其阻断电压高，寄生电容小，晶圆本身更加耐高温这些特点。

问：安森美的碳化硅(SiC)技术 有何特点？
答：晶圆这块，安森美注重长期应用的参数漂移这一块，因此支持更长期应用保持可靠性。封装这一块，塑封封装能保证低寄生电感，高可靠性，长期应用更加可靠。

问：安森美SiC方案解决了汽车行业当前面临的哪些难点？
答：安森美SIC解决方案，提供了更长续航的解决方案，同时高可靠性使得能够承诺更长的使用时间。

问：安森美SiC解决方案突出的特色体现在哪些方面？
答：安森美SIC突出特点，封装比较领先，保证设计的高效率和可靠性。另外，安森美垂直整合了产业链，对于供货的稳定性帮助很大。

问：与IGBT相比,碳化硅技术成熟度还需要作哪些工作?
答：目前SIC的方案已经比较成熟了，有不少量产车型了。

问：这个模块性价比是如何选择？
答：安森美的解决方案是非常具有性价比的方案。

问：安森美碳化硅(SiC)能提高多少效率？
答：综合工况可以提高4-5%的效率。

问：安森美的碳化硅(SiC)技术 是应用在大功率的场景么？
答：SIC技术更加使用于800V系统，能够提供更高的功率支持。

问：SIC碳华硅MOS管，要满足那些汽车认证
答：分立器件单管一般是AECQ认证，模块是AQG324

问：是否可以使用氮化镓呢
答：应该也可以，但是氮化镓更适合低压应用。SIC 适用高压。

问：碳化硅方案pwm频率最高多少
答：目前SIC在汽车驱动的应用上频率在20K以内比较多，在车充上100-300K之间比较多。

问：可以提问吗？
答：可以呀，您有什么问题可以提出，我们的专家会为 您解答

问：SIC碳化硅管子，精度，寿命 多少
答：精度是什么方面精度? 寿命这一块，我们有基于工况的计算工具

问：可以语音提问吗？
答：不可以语音提问，请用文字提问，谢谢 ！

问：安森美碳化硅应用在逆变器里pcb设计布局时应该注意哪些方面？
答：主要是驱动这一块的设计，因为SIC的工作频率较高，Gate

问：安森美碳化硅应用在逆变器里pcb设计布局时应该注意哪些方面？
答：Gate

问：安森美碳化硅应用在逆变器里pcb设计布局时应该注意哪些方面？
答：gate对过电压比较敏感，所以驱动这里要注意速度和过冲的问题

问：请专家介绍900V碳化硅功率模块VE-Trac Direct SiC的主要性能.谢谢!
答：开关速度快，导通阻抗低，可以提高效率。

问：安森美SIC如何实现更高的击穿电压？
答：这个主要由SIC 材料决定的。

问：产品有哪些型号
答：型号比较多，可以去安森美官网去了解下

问：主驱逆变器采用SiC 跟传统的硅相比有那些改进了？
答：可以提高效率进而提高续航能力，可以支持更高电压进而支持更大功率

问：碳化硅逆变器的能效比能获得几级？
答：可以做到最好的水平，SIC本身就是高效率的解决方案

问：碳化硅是否也有哪些性能短板？
答：总的优势大于短板。我认为短板：EMC 会差一点，短路时间相对差点。价格贵。

问：安森美的SiC方案 推出有多久了，量产化了么？
答：已经非常成熟了，很多量产的车型都采用碳化硅技术了

问：都是新能源车的吗？
答：使用大功率碳化硅器件肯定是有电驱动需求的新能源汽车了

问：什么问题限制着碳化硅的发展？
答：暂时主要是价格，衬底产能不足，生产周期比较长。

问：如何对每个逆变器相的高低边开关控制的？
答：需要专用的驱动芯片。

问：碳化硅功率器件需注意哪些参数？
答：我觉得主要是驱动电压和门极振荡，短路保护，电压余量。散热。

问：和IGBT相比,驱动SiC MOSFET有什么不同和难点?
答：效率提高。但是短路能力相对差，驱动设计难度大，干扰比较大。

问：电压范围是多少？
答：650V -1200V是目前主力产品，1700V刚刚开发出来。

问：安森美提供整个电源方案？
答：安森美是电源这一块领先的供应商

问：碳化硅技术在汽车哪个部位用途最好？
答：电驱和充电这里是主力应用

问：SiC方案，除了在汽车领域的应用，在其它领域，如光伏，是否有应用，不同领域要求是否有各自特点？谢谢！
答：光伏也是主力应用场合，另外在电源领域也有广泛应用

问：请问碳化硅半导体与硅基半导体相比有哪些优势？
答：更高的电压支持，更低的寄生参数，更高的耐温度特性

问：安森美的SiC功率模块有那些部分组成?能达到多大的功率和转换效率?
答：组成比较复杂，主要是晶元和封装。目前能做到250KW，并联支持更高功率

问：安森美的SIC方案有哪些优势？
答：长期应用的可靠性，包括晶元和封装都有这方面优势。

问：与相同额定的IGBT模块比较有哪些优点？
答：开关速度快，损耗小。半载效率高。SIC 导通是电阻。IGBT 导通是固定电压。总体效率比IGBT 高

问：安森美碳化硅点池有几种规格？
答：碳化硅不是电池技术

问：碳化硅为什么适合更高的功率产品？
答：因为碳化硅是支持高电压高频率场合，高电压更适合做高功率产品

问：难度难点还有哪些？
答：什么方面的难点？

问：模块的额定电压和电流是多少？
答：不同模块不一样，请官网下载数据手册查询

问：模块的额定电压和电流是多少？
答：SSDC 900V/620A, SSC 1200V 400A

问：对过热和过流保护的响应时间是多少？
答：这是控制部分的电路的要求

问：对于家用电动汽车,哪种类型的电池更好或更有发展前途?
答：我们不提供电池产品

问：SiC 应用于逆变压器与充电桩能提高多少效益？
答：这是综合经营的问题

问：可以提供哪些功率等级？
答：碳化硅支持250KW应用，如果并联就更高

问：如何选择电动汽车电池?主要的依据是什么?
答：安森美不提供汽车电池产品

问：如何控制SiC模块的寄生电感？
答：主要减小功率回路的导线长度和连接阻抗。

问：如何控制SiC模块的寄生电感？
答：安森美的塑封具有这方面优势，SIC模块寄生电感还是主要在于封装这里的优化

问：碳化硅如何给市场带来新机会？
答：提高整车效率，相同电池增加了续航。更节能更环保。

问：安森美的逆变器的功耗可以达到多少？
答：功率吧？ 如果不适用并联，可以达到250KW的功率输出

问：碳化硅和氮化镓相比怎么样？
答：SIC 更适合高压，GaN 更适合低压应用

问：碳化硅和氮化镓相比怎么样？
答：这两种技术各有特点，目前碳化硅更适合高电压场合

问：碳化硅如何解决电容耦合和电磁干扰问题？
答：主要减小整个回路电感。适当降低开关速度。

问：安森美碳化硅(SiC)栅-源电压最大多少？
答：可以做到正22负8V

问：安森美碳化硅(SiC)栅-源电压最大多少？
答：-15V - +25V

问：目前安森美的SIC支持最大的功率应用？
答：可以并联，不并联可以支持250KW

问：碳化硅技术有哪些新的进展？
答：未来会开发沟槽工艺，提高电流密度，降低成本。

问：封装有哪些可供选择的？
答：当前现有产品二种：SSDC 和SSC.

问：封装有哪些可供选择的？
答：单管有TO247 和 D2PAK-7, 模块有SSDC和SSC可选

问：碳化硅材料有什么优点？
答：耐压更高，速度更快（寄生电容低），耐温度更高

问：SIC匹配的电流传感器有什么要求？
答：输出电流传感器没有特别要求。

问：SIC匹配的电流传感器有什么要求？
答：安森美不提供电流传感器产品，但是对于碳化硅应用，最好选择更高速的电流传感器

问：安森美现在货期如何？
答：不同产品交期不同

问：注重事项须有哪些？
答：驱动电压，击穿电压和散热。短路保护时间。

问：GaN器件常见的失效模式主要有哪些？
答：我觉得主要是雪崩能量，门极电压。误导通。

问：EV充电桩是否也有哪些特色创新元素？
答：充电桩，我们有提供混合功率器件IGBT+SIC diode.

问：安森美SIC 、GaN器件的封装是否也有哪些独特创新？
答：我们的SIC 现有产品采用平面工艺，可靠性比较高。

问：安森美SIC的封装领先凸显出了哪些特色？
答：SIC 采用银烧结技术，降低热阻，提高可靠性。采用SSC 封装，减小自身的电感。

问：请问相较于竞品的主要优势是什么？谢谢！
答：晶元和封装的长期可靠性

问：SiC是否也还有哪些性能短板呢？
答：gate

问：SiC是否也还有哪些性能短板呢？
答：门极耐压比较低，设计驱动时要考虑过冲电压的影响

问：该产品兼容性如何？
答：现在有部分厂家做和我们兼容的产品。

问：碳化硅功率模块的耐压比其它的高多少？
答：目前最高1200V，IGBT也有这个等级的

问：VE Trac解决方案采用碳化硅可以提升哪些性能？
答：主要是效率方面的提升

问：SiC是趋势，长期稳定性、可靠性有相关证明吗？
答：这个我们有可靠性报告通过AQG324.

问：SiC是趋势，长期稳定性、可靠性有相关证明吗？
答：我们有数据支持，根据综合工况，可以计算寿命

问：Sic器件的效率如何 ？
答：比传统的提高4%左右。

问：Sic器件的效率如何 ？
答：目前SIC的效率明显高于其他技术

问：市场占有率如何？
答：很多车型已经采用了我们的模块

问：SIC 、GaN器件是否有望还会有哪些更大更进一步的创新突破呢？
答：我觉一定会，SIC 和GaN 的发展时间比较短，还有很多的未知等大家去开发发现。

问：对应用电压有什么要求
答：1200V碳化硅主要支持800V系统，应用中不能超出额定电压

问：碳化硅产品在工业大电流控制需要采用什么方式散热设计？
答：可以考虑类似汽车的水冷技术