在智能手机和HPC (高性能计算)中，为实现低阻抗设计，从很久以前就开始使用低ESL电容器。智能手机已采用三端子电容器，如今除了主板外，IC封装内也在使用三端子电容器。
另外，在HPC中，IC封装会搭载大量的低ESL电容器。 今后，低ESL电容器在各式设备中的应用会逐渐增加，实际上，低ESL电容器已被应用于IVI和ADAS等车载使用的IC中。
另外，近年来，电路电源不断推进低电压化和大电流化，电压的允许波动范围也在不断变小。举例来说，在电源电压的允许波动值为5%的情况下，3. 3V时的误差允许值为±165mV，如果变成1．0V的话，允许波动范围就会缩小到±50m， 更加需要阻止电源电压波动。低电压化的理由在于半导体工艺节点的微细化，大电流化的理由在于IC的多功能化。而随着低电压化和大电流化的推进， 需要大幅降低阻抗。
考虑到使用低ESL电容器的事例不断增多，加之IC高功能化要求日益提升，预计设备低电压，大电流化的趋势今后仍将延续。