ADI ADL8105砷化镓单片微波集成电路低噪声宽带放大器解决方案
ADI公司的 ADL8105是砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC) 假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器, 工作频率范围为5 GHz至20 GHz. 在12 GHz至17 GHz范围内,ADL8105提供27 dB典型增益,1.8 dB典型噪声系数和30.5 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3)以及高达20.5 dBm的饱和输出功率(PSAT), 采用5 V电源电压时功耗仅为90 mA.可通过牺牲OIP3和输出功率(POUT)来降低功耗. ADL8105还具有内部匹配50 Ω的输入和输出. RFIN和RFOUT引脚均内部交流耦合,同时集成了偏置电感,使其非常适合基于表贴技术(SMT)的高容量微波无线电应用.ADL8105采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 8引脚LFCSP封装.主要用在电信,卫星通信,军用雷达,气象雷达,电子战和仪器仪表.本文介绍了ADL8105主要特性,功能框图,典型应用电路图和推荐的功率管理电路,以及评估板ADL8105-EVALZ主要特性,电路图,PCB装配图和材料清单.
GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 5 GHz to 20 GHz The ADL8105 is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), low noise wideband amplifier that operates from 5 GHz to 20 GHz.
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