ST STGAP2SICD SiC MOSFET双栅极驱动器解决方案
ST公司的STGAP2SICD SiC MOSFET双栅极驱动器,每个驱动栅极通路和低压控制与接口电路间是电流隔离的.栅极驱动器具有4A电流和轨到轨输出,非常适合中高功率应用如功率转换和工业马达驱动器逆变器.分立输出引脚允许采用专用栅极电阻来单独优化开和关,而米勒钳位(Miller CLAMP)功能则在半桥拓扑的快速换向中避免产生栅极尖峰.器件集成了完整的保护功能:可采用专用的SD和BRAKE引脚,UVLO和热关断,以便容易设计高可靠性的系统.在半桥拓扑,内部锁住功能防止了输出在相同时间中一直处在高电平的状态,从而避免在错误逻辑输入指令中出现直通电流现象.内锁功能可采用专用的配置引脚禁用,允许两个通路单独和并行工作.输入到输出传输延迟在75ns之内,提供了高PWM控制精度.为了降低空闲功耗可采用待机模式.器件的高压轨高达1200V, dV/dt瞬态免疫度为 ±100 V/ns,栅极驱动电压高达26V,6kV电流隔离,采用宽体SO-36W封装.主要用在工业驱动,工厂自动化,家用电器和风扇的马达驱动器,600/1200V逆变器,电池充电器,感应加热器,焊接,UPS,供电单元,DC/DC转换器和功率因子修正(PFC).本文介绍了STGAP2SICD主要特性,框图和单极和双极栅极驱动电源配置图,半桥配置应用电路以及演示板EVALSTGAP2SICD主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.
The STGAP2SiCD is a dual gate driver for SiC MOSFETs which provides galvanic
isolation between each gate driving channel and the low voltage control and interface
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