TI LMG341xR070 GaN双向CCM图腾柱PFC参考设计TIDM－02008
TI公司的LMG341xR070是集成了驱动器和保护特性的GaN功率级,在功率电子系统中达到新高度的功率密度和效率.和硅MOSFET相比, LMG341x系列的固有优势是超低输入和输出电容,零反向恢复以降低开关损耗达80%之多,而低开关节点振铃则降低了EMI.这些优点使得功率密度和拓扑类似于图腾柱PFC.集成的驱动器具有零共源电感,MHz工作时20ns传输时延,可调栅极偏压增加了可靠性,用户可调整转换速率从25到100V/ns.强健的保护特性包括不需要外接保护元件,小于100ns响应的过流保护,大于150V/ns的转换速率免疫性,瞬态过压免疫性以及超温保护,所有电源轨上有UVLO保护.器件对级联或单独使用都有优秀的性能,用于开关性能和EMI控制的可调整的驱动强度,具有数字故障状态输出信号,仅需要+12V未稳压电源, 8mm x 8mm QFN封装.主要用在高密度工业和消费类电源,多级转换器,太阳能逆变器,工业马达驱动,UPS和高压电池充电器.本文介绍了LMG341xR070主要特性,功能框图,典型半桥应用电路图以及参考设计TIDM-02008主要特性,框图和主要指标,多种控制软件框图,电路图,材料清单和PCB设计图.
Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU
The LMG341xR070 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341xs inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low
input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.
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