河南科之城金刚石基GaN功放器件完成全部客户交付

微波单片集成电路(Microwave monolithic integrated circuit,MMIC)以其体积小、重量轻、一致性好和可靠性高等优点在微波毫米波领域得到了迅速的发展。基于氮化镓（GaN）技术的单片集成功率放大器芯片（MMIC PA）凭借其高功率密度、宽频带、高效率等优势，成为5G通信、雷达、卫星通信、电子战等领域的核心器件。GaN MMIC PA采用先进的异质结HEMT结构，结合优化的单片集成工艺，实现卓越的射频性能和可靠性，满足现代高功率、高频率应用需求。

近期，我司开发的基于金刚石衬底热管理的GaN单片集成功率放大器芯片（Diamond-GaN MMIC PA），全部验收通过，成功交付客户投入使用。结合超高导热金刚石（>2000 W/mK）与宽禁带GaN的高功率特性，突破传统SiC/GaN器件的热管理瓶颈。在与传统钼铜热沉的对比中金刚石热沉实现了更高功率密度、更高效率、更低热阻、更长寿命，有效解决5G/6G通信、相控阵雷达及卫星载荷中的热管理难题，为客户提供更高功率、更高效、更可靠的射频前端解决方案。

图1 交付客户的功率放大器实物