AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET

新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品在高负载条件下能够保持较低的传导损耗，其开关品质因数（FOM）显著提升高达30%。在强化性能的同时，确保了卓越的可靠性。

日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出其新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品，旨在为蓬勃发展的工业电源应用市场提供更高能效解决方案。与AOS上一代产品相比，该系列产品在高负载条件下能够保持较低导通损耗的同时，其开关品质因数（FOM）显著提升高达30%。新品在强化性能的同时，确保了卓越的可靠性。Gen3 MOSFET不仅通过AEC-Q101车规认证，更具备更长的使用寿命和高湿高压反偏（HV-H3TRB）耐受能力。

随着电动汽车 (EV)、人工智能数据中心和可再生能源系统对电力需求的激增，电源转换环节的能效损耗将大幅加重供电与散热系统负担。在电动汽车应用领域，AOS第三代αSiC MOSFET可助力工程师打造更高功率密度与能效的系统架构，有效降低电池能耗并延长续航里程。对于采用800V或±400V高压直流架构的下一代AI数据中心，该产品系列通过降低损耗与提升功率密度，能够满足持续增长的电力需求。AOS第三代1200V器件将成为支撑这些高系统电压新拓扑架构的关键元件，为行业提供不可或缺的高效解决方案。

AOS全新第三代1200V MOSFET现产品采用TO27-4L封装，提供15毫欧（AOM015V120X3Q）至40毫欧（AOM040V120X3Q）导通电阻（Rds(on)）选项。公司还计划陆续推出采用表面贴片封装、顶部散热封装及模块封装的同系列产品。针对大功率电动汽车牵引逆变器模块应用，AOS已完成第三代1200V/11毫欧大尺寸晶圆的认证工作，现开放晶圆销售。

电动汽车与AI技术正在重塑产业格局，但这对电力系统提出了更高要求——必须在能源需求激增时仍保持高效运行。我们很高兴新一代αSiC MOSFET在满足客户性能需求的同时，还能为环境保护作出积极贡献。

——  David Sheridan

AOS宽禁带半导体产品副总裁

技术亮点

• 通过汽车级 AEC-Q101 认证

• 栅极驱动电压兼容范围广（+15V 至 +18V）

• 开关品质因数（FOM）提升高达 30%

• 符合增强型高湿高压反偏（HV-H3TRB）测试标准

• 优化雪崩耐量（UIS）与短路耐受能力

关于AOS

Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，中文：万国半导体） 是专注于设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体公司，产品包括Power MOSFET、SiC、IGBT、IPM、TVS、高压驱动器、功率IC和数字电源产品等。AOS积累了丰富的知识产权和技术经验，涵盖了功率半导体行业的最新进展，使我们能够推出创新产品，满足先进电子设备日益复杂的电源需求。AOS的差异化优势在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计及先进封装技术相结合，开发出高性能的电源管理解决方案。AOS 的产品组合主要面向高需求应用领域，包括便携式计算机、显卡、数据中心、AI 服务器、智能手机、面向消费类和工业类电机控制、电视、照明设备、汽车电子以及各类设备的电源供应。