中恒微推出采用全新一代 750V 新技术车规级芯片的Mini Z3功率模块

在全球新能源汽车行业蓬勃发展的浪潮中，高效、可靠的电力电子组件成为推动行业前进的关键力量。中恒微半导体作为行业内的佼佼者，隆重推出 Mini Z3 封装的车用 IGBT 模块，采用新一代的750V 新技术车规级芯片，进一步提升车用IGBT模块的性能。

一、产品介绍

中恒微Mini Z3 封装功率模块优先推出750V-650A 产品，采用三相六单元电路拓扑，型号：6H650H08A1P。


产品电压：750V
产品电流：650A

产品特点：

① 阻断电压750V
② 低饱和压降
③ 低开关损耗
④ 低栅极电荷和反向传输电容
⑤ 低杂散电感设计
⑥ 短时间最高运行温度Tvj op = 175°C   

应用方向

• 汽车应用
• 混合动力汽车
• 电机驱动
• 商用农业机车

二、芯片介绍

中恒微半导体的新一代750V 车规级 IGBT 芯片采用薄化结构设计，带来显著的性能提升。

(a) 降低导通压降

通过减少芯片厚度，载流子路径长度缩短，导通电阻降低，导通压降（Vce (sat)）显著降低约 15%，提升了器件的能效和热性能。

(b)  优化抗震荡能力

针对芯片薄化可能带来的耐量损失和开关震荡问题，通过深入分析芯片内部电场分布和空穴密度变化，采用背面结构方案进行改善。在关断测试中展现出更好的抗震荡能力，有效控制高 di/dt 条件下载流子的排除速度，降低开关过程中的震荡风险。


(c) 抑制短路栅极震荡

新的背面结构在短路过程中虽引起栅极波形震荡，但通过优化设计参数，调整注入量改变基极传输效率，成功抑制了短路栅极震荡，提高了器件的可靠性和稳定性。关断损耗（Eoff）进一步降低约 20%，延长了器件使用寿命。


三、性能介绍

(a) 在安全工作区方面，Mini Z3 采用双脉冲测试，可满足两倍额定电流（1300A）下正常关断，双脉冲波形无震荡，具备高安全性。


(b) 在电性能方面，通过静态测试和动态测试结合评估，相较于原采用的车规级750V 芯片，在相同封装测试条件下进行了测试对比，开关性能均有显著提升，开关波形光滑，没有震荡，安全性高。



(c) 得益于新技术芯片的低损耗特性，中恒微车规级 IGBT 模块的能效得到了显著提升。同时，高电流密度使得功率密度更大，能够在更小的体积内提供更大的功率输出。搭配中恒微成熟的车规级封装工艺，产品在恶劣环境下依然能够可靠工作。

四、工艺介绍

(a) Mini Z3在工艺上进行了技术升级。功率端子和信号端子采用先进的超声焊技术，提升了焊接精度与强度。该技术使材料在分子层面熔合，增强了焊接部位的强度和耐久性，并降低了电阻率变化，提高了导电性能及可靠性。


(b) 底部散热器采用椭圆形设计，相比传统圆柱形散热柱，提供了更大的接触面积，热传导效率更高，温度降低约10℃，散热能力得到提升。此外，此设计有助于减少底部应力集中，降低因热膨胀导致的损坏风险。



车用 IGBT 模块市场应用前景广阔，随着新能源汽车对高性能电力电子组件的需求日益增长，中恒微 Mini Z3 车用 IGBT 模块的高效率和高可靠性将成为市场上的有利竞争优势，产品的未来表现值得期待。