东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率

2024-02-26 10:03:25 东芝

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代^[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。

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新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复^[2]特性。与标准型DTMOSVI相比，新产品将反向恢复时间（trr）缩短了65 %，并将反向恢复电荷（Qrr）减少88 %（测试条件：-dIDR/dt＝100 A/μs）。

新产品采用的DTMOSVI（HSD）工艺改善了东芝DTMOSIV系列（DTMOSIV（HSD））的反向恢复特性，并在高温下具有更低的漏极截止电流。此外，新产品的品质因数“漏极-源极导通电阻×栅极-漏极电荷”也更低。相较于东芝现有的TK62N60W5^{[4] [5]}器件，TK042N65Z5的高温漏极截止电流降低了约90 %^[3]，漏极-源极导通电阻×栅极-源极电荷降低了72 %。这将一进步将降低功率损耗，有助于提高产品效率。在1.5 kW LLC电路^[6]测试中，与使用TK62N60W5相比，使用TK042N65Z5可使电源效率提高约为0.4 %。

即日起，客户可在东芝网站上获取使用TK095N65Z5的参考设计“1.6 kW服务器电源（升级版）”。此外，东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

东芝计划在未来扩展DTMOSVI（HSD）的产品线。新器件将采用TO-220和TO-220SIS通孔型封装，以及TOLL和DFN 8Í8表贴型封装。

此外，在已推出的650 V和600 V产品以及新的高速二极管型产品基础上，东芝还将继续扩展DTMOSVI系列的产品线，以提高开关电源的效率，为设备节能做出贡献。

标准型和高速二极管型650 V功率MOSFET的Qrr比较.png

标准型和高速二极管型650 V功率MOSFET的Qrr比较

TK095N65Z5与TK35N65W5的IDSS＠150 °C×trr比较.png

TK095N65Z5与TK35N65W5的IDSS＠150 °C×trr比较

TK042N65Z5和TK62N60W5的RDS(ON)×Qgd比较.png

TK042N65Z5和TK62N60W5的RDS(ON)×Qgd比较

TK042N65Z5和TK62N60W5的效率比较

使用新产品的参考设计“1.6 kW服务器电源（升级版）”

电路板外观.jpg
电路板外观

简易方框图.png
简易方框图

应用：

工业设备

-    开关电源（数据中心服务器、通信设备等）
-    电动汽车充电站
-    光伏发电机组的功率调节器
-    不间断电源系统

特点：

-    新一代DTMOSVI系列高速二极管型产品
-    高速二极管型产品的反向恢复时间：

TK042N65Z5 trr＝160 ns（典型值）
TK095N65Z5 trr＝115 ns（典型值）

-    通过低栅漏电荷实现高速开关时间：

TK042N65Z5 Qgd＝35 nC（典型值）
TK095N65Z5 Qgd＝17 nC（典型值）

主要规格：

（除非另有说明，Ta＝25 °C）

器件型号				TK042N65Z5	TK095N65Z5
封装	名称			TO-247
	尺寸（mm）		典型值	15.94Í20.95，厚度＝5.02
绝对最大额定值	漏极-源极电压VDSS（V）			650
	漏极电流（DC）ID（A）			55	29
漏极-源极导通电阻RDS(ON)（Ω）		VGS＝10 V	最大值	0.042	0.095
总栅极电荷Qg（nC）			典型值	105	50
栅极-漏极电荷Qgd（nC）			典型值	35	17
输入电容Ciss（pF）			典型值	6280	2880
结点对外壳热阻Rth(ch-c)（°C/W）			最大值	0.347	0.543
反向恢复时间trr（ns）			典型值	160	115
东芝现有系列（DTMOSIV）器件型号				TK62N60W5^[7]	TK35N65W5、TK31N60W5^[7]

注：

[1] 截至2024年2月22日的东芝调查。
[2] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作
[3] 数值由东芝测量得出：
-    新产品TK042N65Z5为0.2 mA（测试条件：VDS＝650 V、VGS＝0 V、Ta＝150 °C）
-    现有产品TK62N60W5为1.9 mA（测试条件：VDS＝600 V、VGS＝0 V、Ta＝150 °C）
[4] 600 V DTMOSIV（HSD）系列
[5] 数值由东芝测量得出。

测试条件：

-    TK62N60W5

RDS(ON)：ID＝30.9 A、VGS＝10 V、Ta＝25 °C
Qgd：VDD＝400 V、VGS＝10 V、ID＝61.8 A、Ta＝25 °C

-    TK042N65Z5

RDS(ON)：ID＝27.5 A、VGS＝10 V、Ta＝25 °C
Qgd：VDD＝400 V、VGS＝10 V、ID＝55 A、Ta＝25 °C

[6] 数值由东芝测量得出。

测试条件：Vin＝380 V、Vout＝54 V、Ta＝25°C

[7] VDSS＝600 V

如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：

TK042N65Z5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK042N65Z5.html

TK095N65Z5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/400v-900v-mosfets/detail.TK095N65Z5.html

如需了解东芝MOSFET产品的更多信息，请访问以下网址：

MOSFET
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html

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