EPC推实现超低导通电阻的200V耐辐射晶体管，用于要求严格的航天应用

宜普电源转换公司(EPC)扩展了其耐辐射氮化镓产品系列，新推的200 V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案，它具备超低的导通电阻和极小型化等优势。

EPC公司宣布推出200 V、25 mΩ、80 APulsed的耐辐射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76 mm2，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。与商用eGaN FET和IC系列相同，采用芯片级封装。 封装器件将由EPC Space提供。

与等效且具相同导通电阻的耐辐射硅器件相比，EPC7007的QG和QGD小40倍、零反向恢复（QRR）和尺寸小40倍。凭借更高的击穿强度、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更优越的导热性和超低的导通电阻，氮化镓功率器件明显优于硅基器件，可以实现更高的开关频率，用于要求严格的航天任务，可实现更高的功率密度、更高的效率，更小型化和更轻的电路。与硅解决方案相比，基于氮化镓器件的解决方案可以在更高的总辐射量、SEE 和LET水平下工作。

受益于EPC7007的高性能的应用包括DC/DC电源、电机驱动、激光雷达、深层探测以及用于航天应用、卫星和航空电子设备的离子推进器。

EPC公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说:“EPC的氮化镓技术在航天应用实现新一代的电源转换和电机驱动，其工作频率更高、效率更高和功率密度更高，这是以前无法实现的。EPC7007将我们的耐辐射产品系列的电压范围扩大至200 V。与硅解决方案相比，EPC7007為设计人员提供小很多和成本更低的解决方案。”

EPC7007备有工程样品，并将于2022年12月批量出货。