UnitedSiC（现名Qorvo）宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。
UnitedSiC（即Qorvo）功率器件总工程师Anup Bhalla称：“性能较高的第四代产品扩充了我们的1200V产品系列，让我们能更好地服务于将总线设计电压提高到800V的工程师。在电动车中，这种电压升高不可避免，而这些新器件有四个不同RDS(on)等级，有助于设计师们为每个设计选择最适合的SiC产品。”
新UF4C/SC系列的亮点就在于下表中出色的SiC FET性能表征：
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品质因数 |
值 |
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RDS(on) • A |
1.35 mOhm-cm2 |
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RDS(on) • Eoss |
0.78 Ohm-uJ |
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RDS(on) • Coss,tr |
4.5 Ohm-pF |
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RDS(on) • Qg |
0.9 Ohm-nC |
所有RDS(on)产品（23、30、53和70毫欧）都采用行业标准4引脚开尔文源极TO-247封装，在较高的性能等级下提供更清洁的开关。53和70毫欧器件还采用TO-247 3引脚封装。该系列零件在控制得当的热性能基础上实现了出色的可靠性，这种热性能是先进的银烧结晶粒连接方式和先进的晶圆减薄工艺带来的结果。
FET-Jet CalculatorTM是一种免费的在线设计工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即评估各种交直流和隔离/非隔离直流转换器拓扑中所用器件的能效、组件损耗和结温上升。它可以在用户指定的散热条件下比较单个器件和并联的器件，从而得到最优解决方案。
新1200V第四代SiC FET的定价（1000件起，FOB USA）从$5.71（UF4C120070K3S）到$14.14（UF4SC120023K4S）不等。所有器件都由授权经销商销售。
Qorvo的碳化硅和功率管理产品可以为多种工业、商业和消费品应用提供充电、供电和控制功能。
