Vishay推出650V SiC肖特基二极管，提高了高频应用的效率

Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）今天​​推出了10个新的650 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用合并的PIN肖特基（MPS）设计，旨在通过降低开关损耗来提高高频应用的效率，而不受温度变化的影响，从而使二极管能够在更高的温度下工作。

今天发布的二极管的MPS设计可屏蔽来自肖特基势垒的电场，以减少泄漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与纯硅肖特基器件相比，这些二极管可处理相同水平的电流，而正向压降仅稍有增加，同时显示出更高的坚固性。

该器件用于服务器，电信设备，UPS和太阳能逆变器的反激式电源和LLC转换器中的PFC和输出整流，它们为设计人员提供了在系统优化方面更大的灵活性。这些二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装，额定电流范围为4 A至40 A，可在+175°C的高温下工作。

设备规格表： 

新型SiC二极管现已可提供样品，并已量产，供货周期为10周。