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SiTime推出高精度MEMS振荡器

● 小型基站、微波回传、同步以太网及光学设备的动态性能将提升30倍
● 动态稳定性提升10倍达1 ppb/℃,可取代IEEE 1588应用中价格昂贵的恒温槽控制石英晶振(OCXO)
● 抗振性增加20倍,确保系统持续运行
● 10/40/100G以太网的可靠性提升30倍
● 可运行于-40℃至 +105℃温度范围,特别适合无风扇户外设备
● Stratum 3规格搭配独特系统内可编程功能(ISP),有助于减少系统所需物料,提供多重协议支持

【2016年9月26日,加州森尼韦尔讯】MEMS和模拟半导体公司和MegaChips公司(东京证券交易所:6875)的全资子公司SiTime公司(SiTime Corporation)今天宣布推出创新产品Elite Platform™,其中包含Super-TCXO™(温度补偿型振荡器)和多款振荡器。这些高精度器件可以用来解决电信与网络设备存在已久的时钟问题。即使在有环境压力的情况下,Elite Platform仍有助于通信设备达到最优异的性能、可靠性及服务质量。

SiTime首席执行官Rajesh Vashist表示:“受到网络密致化(network densification)趋势的影响,在地下室、路边、屋顶及电线杆等不受控环境中必须部署的设备数量快速增加。因此,这些系统中的高精度时钟元件必须能在高温、热震荡、振动以及不可预期的气流下持续运行。因此,服务提供商开始担心石英技术是否能应对这样的挑战。SiTime此次推出基于MEMS的Elite Platform可满足上述环境需求。因其独特的产品特性,此次客户验证的反应十分热烈。我们深信,Elite解决方案推出后,将可颠覆规模达15亿美元的全球通信及网络时钟市场。”

Elite时钟解决方案基于创新的DualMEMS™架构,同时采用了TurboCompensation™技术。该架构具备以下三大特性,可以提供优异的动态性能:

● 坚固耐用、可靠且经过验证的TempFlat MEMS™能消除频率扰动(activity dip),振动免疫力也比石英高出30倍

● 100%准确热耦合的DualMEMS温度检测,因此温度跟踪快了40倍,可确保气流与快速温度变化条件下的最佳性能

● 高度集成的混合信号电路,搭配片上内置稳压器、时间至数字转换器(TDC)以及低噪声锁相环回路(PLL),对电源噪声的免疫力提高了5倍,温度分辨率达30 uK,是石英10倍之多,且支持1- 700 MHz之间的所有频率

Mobile Experts创始人及首席分析师Joe Madden指出:“新型电信基础设施使用4G/5G小型基站和同步以太网络来增加网络数据容量;这些系统中使用大功率元件,会有很高和不断变化的热负载。当温度快速变化时,高精度时钟元件的动态性能就会成为这类型设备的关键要求。MEMS技术在动态环境下原本表现就比较好,已成为石英技术一个相当有趣的替代方案。”

关于Elite MEMS时钟系列产品

Elite Platform包含四个全新产品系列,可提供各种频率及下列独特功能。所有Elite解决方案都可提供0.1 ppb/g振动免疫力,不会产生频率扰动或微跳变。





Stratum3规格的高精度Super-TCXO,专为通信和云计算网络基础设备设计:

● 在-40℃至 +105℃温度范围,频率的稳定性为±100 ppb,是所有TXCO中可工作温度范围最大的器件
● 在每分钟10℃的超快温度斜坡率下,频率斜率为1至5 ppb/℃,在时钟元件中其性能水平相当罕见
● 在10秒平均时间的3e-11艾伦偏差(ADEV)优于典型石英TCXO10倍
● 0.2 ps/mv电源噪声抑制(PSNR),无需专用系统LDO
● 可选I2C/SPI频率调谐功能,无需外部DAC

Super-TCXO适用于全球导航卫星系统(GNSS)、工业与车用应用

● 在-40℃至 +105℃温度范围,频率稳定性为±0.5 ppm

超低抖动差分振荡器

0.23 ps集成RMS相位抖动(12 kHz至20 MHz) 在10G/40G/100G以太网掩码下,0.1 ps集成RMS相位抖动 -40℃至+95℃温度范围频率稳定性为±10 ppm,使系统更为稳定

高温、高可靠性差分VCXO

即使温度达到 +95℃,相位噪声表现仍然很好 从 ±25 ppm至 ±3600 ppm的宽拉动范围 所有条件下频率调谐线性度均可达0.1%,优于石英50倍

基于Elite的超低抖动差分振荡器和高温VCXO均已提供样品。基于Elite的Super-TCXO预计在2017年上半年提供样品。请联络厂商询问定价。

2016年11月1-3日,我们将在ITSF 2016(国际时钟与同步论坛)现场展示Elite Super-TXCO的性能。

Elite各种系列及产品

器件类型

品名

频率

(MHz)

温度范围(℃)

稳定性(ppm)

输出类型

封装尺寸(mm)

特色

高精度Super-TCXO

SiT5356

1至60

-20至70
-40至85
-40至105

±0.1至±0.25

LVCMOS

削顶正弦波

SOIC-8:
6.0 x 4.9

-40至+105℃
1至5 ppb/℃ ΔF/ΔT

10℃//每分钟升降温速率

3e-11 ADEV,10秒步幅

无频率扰动

无微型跳变

I2C可编程性(可选)

SiT5357

60至220

Super-TCXO

SiT5155

10 标准GNSS频率

±0.5至±5

SiT5156

1至80

SiT5157

80至220

差分振荡器

SiT9365

32标准频率

-20至70
-40至85
-40至105

± 10至
± 50

LVPECL  LVDS HCSL

QFN:
3.2 x 2.5
7.0 x 5.2

0.1 ps抖动,以太网屏蔽
0.02 ps/mV PSNR

SiT9366

10至220

SiT9367

220至700

差分VCXO

SiT3372

10至220

±25至±3600 ppm抖动范围

0.1%抖动范围线性度

0.1 ppb/g抗振性

SiT3373

220至700

 

 

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