Intel携手Micron推出3D XPOINT技术

加利福尼亚州圣克拉拉及爱达荷州博伊西 - （美国商业资讯） - 英特尔公司与美光科技公司今天推出3D XPOINT™技术，非易失性存储器有可能彻底改变任何设备，应用程序或服务受益于快速访问大型数据集。现在，在生产，3D技术XPOINT在内存制程技术的重大突破，并自1989年推出NAND闪存的第一个新的存储类别。

连接设备和数字服务的爆炸产生的新数据海量。为了使这个数据非常有用，它必须被存储并很快进行分析，从而为服务供应商和系统集成商必须谁的成本平衡，功耗和性能的权衡时，他们设计的内存和存储解决方案的挑战。 3D技术XPOINT结合当今市场上的所有可用内存技术的性能，密度，功耗，非易失性和成本优势。该技术是高达1000倍的速度，并具有高达1000倍的NAND更大endurance3，并且比常规存储器致密的10倍。

“几十年来，该行业一直在寻求各种方法来降低处理器和数据之间的时间差，让更快的分析，”罗布克鲁克，英特尔非易失性存储器解决方案集团高级副总裁兼总经理。 “这个新的类的非易失性存储器中实现了这一目标，并带来改变游戏性能到存储器和存储解决方案”。

“在一个现代计算最显著的障碍是它需要的处理器达成长期存储数据的时间，”马克·亚当斯，美光的总裁。 “这个新的类的非易失性存储器是一种革命性的技术，它允许快速访问巨大的数据集并能够完全新的应用。”

随着数字世界的快速增长 - 从20204在2013年创建于预期的44泽字节的数字数据的4.4泽字节 - 3D技术XPOINT可以将数据的这个巨大的数额成纳秒有价值的信息。例如，零售商可以利用3D技术XPOINT更迅速地识别金融交易欺诈检测模式;医疗研究人员能够处理和实时分析更大的数据集，加速复杂的任务，如遗传分析和疾病跟踪。

三维XPOINT技术的性能优势也可以提高PC体验，使消费者能够享受到更快的互动社交媒体和协作以及更逼真的游戏体验。该技术的非易失性也使得它的最佳选择为各种低延迟存储应用程序，因为当装置断电数据也不会被擦除。

新配方，架构突破性的内存技术

继十多年的研究和开发，3D XPOINT技术是从地上爬起来，以解决需要非易失性，高性能，高耐用性和高容量存储和内存价格低廉的建造。它迎来了一类新的非易失性存储器，其显著减少等待时间，允许更多的数据要被存储接近处理器和速度先前不可能的非易失性存储存取。

创新，晶体管更少交叉点体系结构创建一个三维棋盘，其中存储器单元坐在的字线和位线的交叉点，使细胞被单独寻址。其结果是，可将数据写入和读出小尺寸，导致更快和更有效的读/写过程。

关于3D技术的XPOINT更多细节包括：

交叉点阵列结构 - 垂直导线连接128十亿密密麻麻的存储单元。每个存储器单元存储数据的单个位。这种结构紧凑导致高性能和高密度的位。

堆叠 - 除了紧交叉点阵列结构中，存储器单元被堆叠在多个层。每个芯片的初始技术的128GB存储在两个存储层。后代这种技术可以提高的存储器层的数目，除了传统的光刻间距缩放，从而进一步提高系统容量。
选择器 - 存储器单元进行访问，并通过改变电压发送到每个选择器的金额写入或读取。这消除了对晶体管，增加容量，同时降低成本。

快速开关单元 - 具有小单元尺寸，快速开关选择器，低延迟交叉点阵列和快速写入算法中，细胞是能够今天更快切换状态比任何现有的非易失性存储器技术。

3D技术XPOINT今年晚些时候将样品与选择客户，英特尔和美光都基于该技术开发单个产品。