TriQuint半导体今天发布了15款新型氮化镓（ GaN ）放大器和晶体管以及两套全新的氮化镓工艺。这些产品为通讯系统提供了性能、尺寸和耐用性的优势。
TriQuint公司中国区总经理熊挺指出由于TriQuint的工艺和产品解决方案的发展, 使得射频制造商更容易获取氮化镓的性能和优势。熊挺表示：“此项新发布也显示TriQuint加速了其创新的步伐。除了三套由包装、装配及测试服务支持的氮化镓工艺外，客户还能获取更多其它世界一流的产品。TriQuint全面解决最苛刻的射频要求，能够灵活地支持所有的客户。”
著名的研究机构Strategy Analytics预见了氮化镓这种极具意义的增长。半导体业务部总监Eric Higham说：“虽然国防领域是氮化镓最大的营收来源，但氮化镓在基础构架正迅速地发展壮大。通讯卫星 （Sat-Com）、功率和有线电视（CATV）也大大飙升了氮化镓的营收。 Strategy Analytics预测到2015年，氮化镓微电子装置的市场将以超过34%的复合年均增长率（CAAGR）增长大约至1.86亿美元。”
TriQuint在原有的四分之一微米工艺中补充了一个高压变体--TQGaN25HV。此新的制造工艺延伸了0.25微米氮化镓的漏极操作电压至48V，同时为DC-10 GHz应用提供更高的击穿电压、更强的功率密度和高增益。这些优势实现更坚固的设备， 可承受可能会破坏其他电路的电压驻波比（VSWR）的不匹配，同时提供更多的射频输出功率。TriQuint的新产品T1G4012036-FS/FL使用了此新的制造工艺，该款新产品是一个适用于基础构架的120W功率封装晶体管，体积比类似的LDMOS装置小了将近三分之二。其他以TQGaN25HV构建的产品现也已提供。
TriQuint以其TQGaN15工艺将氮化镓技术推向了新的极限。该工艺将氮化镓的频率范围扩大至了40 GHz，同时提供高功率密度和低噪声性能。此0.15微米的氮化镓-碳化硅（SiC）工艺用于制成TriQuint新型的TGA2594（5W）和TGA2595（10W）Ka波段的VSAT地面终端放大器。它们有高达35％的功率附加效率（PAE），体积与相对的砷化镓（GaAs）解决方案也小了三倍。其他以TQGaN15构建的产品现也已提供。
TriQuint 全新氮化镓解决方案的产品组合还包括了突破性的TAT9988，一个可用于有线电视和光纤到户光学网络的直接接入电路板式单片式微波集成电路（MMIC）放大器。TAT9988由TriQuint第二代的原始TQGaN25工艺制成，在增益、复合失真性能和表面安装便利性上都处于行业领先地位。
产品解决方案技术参数：如需了解更多信息，请联系TriQuint。
放大器
|
产品类型 |
频率范围 (GHz) |
饱和功率 (W) |
P1dB (Psat) / OIP3 (dBm) |
增益(dB) |
NF / PAE (dB) / (%) |
电压 / 电流 (V / mA) |
封装方式 |
型号 |
|
GaN S-Band PA |
3 - 3.5 |
80 |
(49) / -- |
22 |
– / 55 |
28 / 125 |
Die |
TGA2814 |
|
GaN S-Band PA |
3 - 3.5 |
100 |
(50) /-- |
22 |
– / 55 |
28 / 150 |
Die |
TGA2813 |
|
GaN C/X-Band HPA |
6 - 12 |
30 |
(45) / – |
30 |
– / 30 |
25 / 1100 |
Die |
TGA2590 |
|
GaN X-Band PA |
9 - 10 |
20 |
(43) / -- |
25 |
– / 50 |
25 / 150 |
Die |
TGA2624 |
|
GaN X-Band PA |
9 - 10 |
30 |
(45) / -- |
25 |
– / 45 |
25 / 250 |
Die |
TGA2622 |
|
GaN X-Band PA |
9 - 10 |
60 |
(48) / -- |
10 |
– / 35 |
24 / 2400 |
Die |
TGA2312-FL |
|
GaN X-Band PA |
10 - 11 |
30 |
(45) / -- |
25 |
– / 45 |
25 / 250 |
Die |
TGA2623 |
|
GaN X-Band PA |
10 - 11 |
16 |
(42) / -- |
25 |
– / 45 |
25 / 150 |
Die |
TGA2625 |
|
GaN Ka-Band PA |
27 - 31 |
5 |
(37) / -- |
19 |
– / 30 |
20 / 280 |
Die |
TGA2594 |
|
GaN Ka-Band PA |
27 - 31 |
10 |
(40) / -- |
17 |
– / 25 |
20 / 560 |
Die |
TGA2595 |
驱动放大器
|
产品类型 |
频率范围(GHz) |
饱和功率(W) |
P1dB (Psat) / OIP3 (dBm) |
增益(dB) |
NF / PAE (dB) / (%) |
电压 / 电流 (V / mA) |
封装方式 |
型号 |
|
GaN 2W Driver PA |
2 - 6 |
2 |
33 / -- |
23 |
-- / 30 |
25 / 170 |
Die |
TGA2597 |
低噪声放大器
|
产品类型 |
频率范围 (GHz) |
P1dB / IIP3 (dBm) |
增益(dB) |
NF |
电压 / 电流 (V / mA) |
封装方式 |
型号 |
|
GaN LNA |
2 - 6 |
25 |
25 |
1 |
10 / 100 |
Die |
TGA2611 |
|
GaN LNA |
6 - 12 |
25 |
25 |
1.5 |
10 / 100 |
Die |
TGA2612 |
离散式射频功率晶体管
|
产品类型 |
频率范围 GHz) |
P1dB (Psat) |
增益 (dB) |
DE |
电压 /电流 (V / mA) |
封装方式 |
型号 |
|
GaN 120W: EAR99 |
DC - 3.5 |
120 |
13 |
52 |
36 / 360 |
Ceramic |
T1G4012036-FS / -FL |
|
GaN 10W: EAR99 |
DC - 6 |
40 |
16 |
53 |
32 / 50 |
5x5 QFN |
T1G6001032-SM |