凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 0V 至 18V 双通道理想二极管控制器 LTC4353,该器件可取代两个大功率肖特基二极管,以低损耗实现多个电源 “或”,且对电源电压的干扰最小。LTC4353 调节外部 N 沟道 MOSFET 的正向压降,以在二极管“或”应用中确保电源之间的平滑转换。在低压系统中,当电源切换时,控制器之间的慢速切换导致电压下降。LTC4353 <1µs 的快速接通时间确保从一条通路到另一条通路平滑切换,而且不产生振荡。如果输入电源出现故障或者被短路,那么快速断开最大限度地减小了反向电流。除了冗余电源“或”,LTC4353 在电源保持应用中还可卓越地取代二极管,而在这类应用中,电源的短暂故障是与负载隔离的。
LTC4353 提供单独的使能输入,当电源电压在相互之间的 MOSFET 本体二极管压降之内时,该使能输入可用来确保主电源的优先权。如果两个使能输入都被拉至低电平,那么 LTC4353 每个电源仅消耗 75µA。单独的状态输出指示 MOSFET 是接通还是断开。该控制器用 2.9V 至 18V 的电源工作,通过应用一个外部电源来提供额外的灵活性以控制低至 0V 的电压。
LTC4353 是市场上仅有的双通道低压理想二极管控制器,与同类解决方案相比,可极大地节省空间。LTC4353 采用 16 引线 MSOP 和 4mm x 3mm DFN 封装,规格在商用和工业温度范围内工作。千片批购价为每片 3.45 美元。如需更多信息,请登录 www.linear.com.cn/product/LTC4353。
照片说明:快速接通双通道理想二极管控制器
性能概要:LTC4353
·多电源或电源保持应用中肖特基功率二极管的低损耗替代方案
·控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现大电流的能力
·0V 至 18V 电源“或”或电源保持
·1µs 接通和断开时间
·MOSFET 接通状态输出
·采用 16 引脚 MSOP 和 DFN (4mm x 3mm) 封装