美光：DRAM缺货将持续至2027年，制造设备产能不足成新瓶颈！

外资投行摩根士丹利近日在针对内存芯片大厂美光科技（Micron）跟踪报告中披露，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra等高层于日前投资人会议中指出，虽然美光正在积极扩产DRAM，但新产能最快也要2027年底才会出货，所以DRAM供不应求的状态将持续至2027年，其中另一关键原因则在于一些半导体设备产能不足。

目前，人工智能芯片所驱动的对于高带宽内存（HBM）的旺盛需求，仍是导致整个DRAM市场供不应求的关键瓶颈。美光已在2025年第三季达成HBM位市占率追平其整体DRAM市占的目标，美光还看好其未来HBM4E与HBM5导入定制化逻辑基础芯片后，将进一步推升HBM价格、成本与利润率。因为从HBM3E过渡至HBM4/5时，消耗DRAM产能的比重可能高达4:1（此前为3:1）。而且此前数据显示，目前利用DRAM堆叠制造HBM的良率仍在50%-60%左右，这将使得DRAM整体供需失衡的状况更加剧烈。

为了应对这种结构性改变，AI与数据中心的发展已使DRAM成为策略性重要资产。美光近期启动了“战略性客户协议”（SCA），目前已签署了一份为期五年的长期合约，以确保资本支出的适当资本回报率（ROIC），展现出与以往周期不同的运营持久性。

在财务指标上，美光最新一季的毛利率财测指引高达81%，管理层更将远期目标放眼至80%区间中段。尽管市场近期对DRAM现货价格下跌及部分过量出货传闻抱持疑虑，但美光认为这些因素影响有限，并乐观预期到2027年每股盈余（EPS）将上看至少100美元。

在扩产规划上，为支持HBM及先进制程DRAM的制造，美光大幅上修资本支出，预估2026财年资本支出将达250亿美元，2027财年更预期将突破370亿美元，并计划让所有产线皆具备EUV设备能力。虽然，美光正积极地扩产，但是美光预期首批新建晶圆厂的产能最快于2027年底出货，预估至2028年才会对市场供给产生实质影响，届时可能迎来DRAM的供需平衡。而在这一过程中，关键半导体设备的重足供应尤为关键。但目前先进制程所需的极紫外光刻（EUV）设备产能有限，且交付周期较长。

针对近期中东等地的地缘政治风险，美光强调其产能布局分散，且作为美国供应商，对比日韩竞争者具有高度的战略竞争优势。

在资本回报方面，受限于美国《芯片与科学法案》的五年期资金补贴协议，美光在协议前两年设有回购上限，目前将优先部署资本偿还债务并增加股息。不过，美光预期自2026年12月9日限制解除后，将启动非常积极的股票回购计划。整体来说，美光凭借领先制程、HBM比重上升以及长期的客户绑定策略，持续迎来多年上行循环。

4月1日美股交易中，美光股价一度暴涨近12%，收盘仍保持了8.88%的涨幅，收于367.85美元/股，市值4148.37亿美元。