Q2净利暴涨771%！美光DRAM涨价65%，NAND涨价近80%！
当地时间3月18日，美国存储芯片制造大厂美光（Micron）公布了至2026年2月26日的2026财年第二财季财报，营收及利润均同比暴涨数倍，对于第三财季业绩指引均超出市场预期。但由于美光将2026财年的资本支出大幅上调至250亿美元，并预计2027财年资本支出将再增加100亿美元，导致美光股价在盘后交易中一度大跌6%。
具体来说，美光第二财季营收为238.6亿美元，同比暴涨196.4%，环比大涨74.9%，远超分析师预期的200.7亿美元。
GAAP口径下，净利润为137.85亿美元，同比暴涨770.8%，环比暴涨163.1%；每股收益12.07美元，同比暴涨756%，环比暴涨162.4%；毛利率（扣除销货成本后的利润）从去年同期的36.8%大幅提升至74.4%，也高于前一季的56%。
Non-GAAP口径下净利润高达140.21亿美元，同比暴涨686.4%，环比暴涨155.8%；每股收益12.20美元，同比暴涨682%，环比暴涨155.2%，也优于分析师预期的每股收益9美元；毛利率（扣除销货成本后的利润）从去年同期的37.9%大幅提升至74.9%，也高于前一季的56.8%。
所有部门业绩均创历史新高
从主要的业务部门来看，第二财季，美光云存储部门的收入同比暴涨160%至77.5亿美元的历史新高，营收环比增长 47%，占公司总营收的 32%，主要受价格上涨和产品组合优化推动；毛利率为 74%，环比提升 9 个百分点，得益于价格上涨与成本执行效果。
核心数据中心事业部营收创下 57 亿美元的新纪录，占公司总营收的 24%。毛利率为 74%，环比提升 23 个百分点，主要由价格上涨与产品组合改善带动。
移动端和客户端部门营收暴涨244.2%至77.1亿美元的历史新高，环比增长 81%，占公司营收 32%。增长主要由价格上涨推动，部分被位元出货量下降抵消。毛利率为 79%，环比大幅提升 25 个百分点，主要来自价格上涨与产品组合改善。
汽车与嵌入式事业部营收创历史新高，达到 27 亿美元，环比增长 57%，占总营收的 11%。主要由价格上涨推动，部分被位元出货量减少抵消。毛利率为 68%，环比提升 23 个百分点，主要由价格上涨推动。
DRAM涨价65%，NAND涨价近80%
从产品类型来看，美光科技首席财务官 Mark Murphy 表示，第二财季 DRAM 营收创下188亿美元的纪录，同比暴涨207%，环比增长了74%，占总营收的79%，位元出货量实现了中等个位数的增长。受行业供应紧张以及产品组合改善的推动，价格环比上涨约 60% 中段水平（约65%）；
第二财季 NAND 营收创下 50 亿美元的新纪录，同比暴涨 169%，环比增长 82%，占总营收的 21%。NAND 位元出货量环比增长低单位数百分比。受 NAND 行业供应紧张与产品组合改善影响，价格环比上涨约 70% 高段水平（接近80%）。
第三季营收将达335亿美元
美光科技总裁、CEO兼董事长 Sanjay Mehrotra 表示：“在强劲的需求环境、紧张的行业供应以及我们强大执行力的推动下，美光在2026财年第二季度的营收、毛利率、每股收益和自由现金流均创下新纪录。我们预计第三财季将再次刷新纪录。”
根据美光的预计，第三财季营收约为335亿美元，远超市场预期的242.9亿美元；每股收益（调整后）约 19.15 美元±0.4美元，高于预期的 12.05 美元。
HBM需求强劲，HBM4E明年量产
美光第二财季业绩及第三财季指引均远超市场预期的原因在于，在生成式人工智能（AI）需求的刺激下，对于应用于大模型加速的AI芯片的需求暴涨，而这些AI芯片为了运行更大参数的大模型就需要更大、更快速的内存。比如英伟达的每一代GPU都封装了更大容量、带宽更大的高带宽内存（HBM）。随着对HBM需求的暴涨，也推动了内存价格的飙升。
美光表示，HBM需求非常强劲，并且合同签订覆盖率很好。目前美光的HBM4已经量产出货，并被客户的最新产品所采用（比如英伟达最新的Vera Rubin GPU）。美光管理层还提到HMB4产品的设计与客户需求对接效果优于预期，这有望进一步改善毛利率。美光的下一代HBM产品HBM4E的研发工作正在顺利进行，预计将于2027年实现量产。
Sanjay Mehrotra还表示，除了AI专用的HBM外，目前AI与传统服务器市场都正面临DRAM与NAND Flash供应严重不足的状况，这代表着长期被应用于数据中心与各类终端装置的传统內存产品，也同样处于供不应求的状态。
AI 时代，内存价值显著提升
目前业界普遍认为全球存储芯片供应短缺将会持续至2027年，甚至SK集团会长认为会持续到2030年。那么美光如何看待？在这之后，存储芯片价格是否会逐步回到历史均值呢？
对此问题，美光CFO Mark Murphy表示，目前整个行业处于供应受限状态，这种紧张局面将会持续，而且会延续到 2026 年之后。因此，无论短期还是中期，价格环境都会得到明显支撑。因为现在 AI 已经成为改变行业的长期结构性力量。
“AI 需要更多、更高性能的内存。高性能内存可以帮助降低每个 token 的处理成本、降低每个 token 的能耗成本、提升模型产生的 token 数量、提高整体 AI 系统的智能水平，使系统能够处理更复杂的问题和更多智能代理的场景，这又进一步推动 token 数量增加，对内存需求更大。因此，目前的利润率表现反映出一个事实：在 AI 时代，内存价值显著提升，而且成为数据中心到边缘侧实现 AI 商业化最具效率的方式之一。”Mark Murphy说道。
Mark Murphy进一步解释道：“内存行业在多个方面都存在供应限制，而解决这些限制需要时间。目前行业库存处于极低水平。随着先进制程持续演进，对于DRAM来说，单位晶圆可产出的 bit 数不断下降；同时 HBM 的占比持续上升，这进一步加剧了供给紧张。此外，未来任何新增产能基本都需要新建厂房，这是实打实的物理限制，建设周期很长。”
因此，这里有两个长期因素：一是内存价值显著提升，二是新增供给的结构性难题。Mark Murphy指出：“我们正在同时应对这两方面的问题。我们一方面持续扩大产能，同时也提升研发投入，以推动技术代际发展，提高内存的整体价值。我们相信这些措施将持续帮助公司提升利润率，同时我们看到客户已经意识到这些趋势，并基于此与我们签订长期协议。我们也一直在与客户密切合作，尽最大努力满足他们的需求，包括产能分配、扩充产能、供应保障以及新产品合作等多个方面。”
资本支出大幅提升，加速扩产
为了应对激增的市场需求，美光正积极扩充产能，其竞争对手韩国三星与SK海力士也采取了相同的动作。内存制造商目前正将产能大量转移至HBM领域。这些具备更高毛利率的高阶产品，被广泛嵌入至英伟达最新的GPU以及其他驱动AI的加速器中，进而带动了美光整体利润的提升。
“在AI时代，内存已成为客户的战略资产，我们正投资于全球制造布局，以支持其不断增长的需求。基于对公司业务持续强劲的信心，我们的董事会已批准将季度股息提高30%。” Sanjay Mehrotra说道。
为了扩大产能，美光将其2026财年资本支出预算从200亿美元大幅提升到了250亿美元，并且预计2027财年的资本支出将进一步增加100亿美元以上。美光指出，这些资本支出将用于扩张 DRAM 和 NAND 产能，并加速清洁室建设以缓解未来供应缺口。
目前美光正于美国爱达荷州与纽约州建设两座大型晶圆厂园区，以提升存储芯片产能。Sanjay Mehrotra表示，爱达荷厂预计2027年年中开始投产；纽约州总投资达1,000亿美元的园区已于1月动工，预定2028年下半年开始产出晶圆。
或许是出于对于美光大幅提升资本支出，将带来成本上升的担忧，此举导致美光股价在盘后交易中一度大跌6%。不过，在2025年，美光的股价已经大涨了两倍。在截至本周三的2026年内，其股价又进一步飚升了62%。
