厚度突破35mm！国产12吋SiC又有新突破

天成半导体继第二季度研制出12英寸N型碳化硅单晶材料后，又依托自主研发的12英寸碳化硅长晶设备，成功研制出12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料，12英寸N型碳化硅单晶材料晶体有效厚度突破35㎜厚。

　　天成半导体现已掌握12英寸高纯半绝缘和N型单晶生长双成熟工艺，且自研的长晶设备可产出直径达到350㎜的单晶材料。

天成半导体的12英寸导电型碳化硅单晶材料

天成半导体的12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶材料

　　山西天成半导体材料有限公司成立于2021年8月，由多位碳化硅领域博士及具有头部生产企业任职经历的业内一线人员发起，是一家专注于第三代半导体碳化硅单晶材料研发、生产及晶体生长装备制造的高新、专精特新技术企业。该公司坚持以自主研发为核心，构建起具备完整自主知识产权的技术体系。目前，他们已拥有多项专利软著，并获得IATF16949车规质量管理体系认证，长晶设备获得欧盟CE认证。

　　近年来，天成半导体不断迭代产品工艺，在大尺寸、低成本量产方面实现关键技术突破，率先研发出可量产的8-12英寸导电型和半绝缘型碳化硅单晶材料，产品质量达到国际领先水平。

　　截至目前，天成半导体已形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、6-12英寸碳化硅单晶材料生长、生产耗材加工等完整的生产线。实现了从碳化硅长晶设备制造、粉料、籽晶、热场设计到晶体加工等全流程工艺完全自主可控。

　　值得一提的是，碳化硅的应用边界正不断拓展。碳化硅因其优异的材料特性，可以满足功率电子技术对高温、高功率、高压高频及抗辐射等恶劣工作条件的新要求。同时，碳化硅技术已在多个关键领域实现广泛应用，特别是在电动汽车、可再生能源逆变器以及工业电机驱动系统中，其高效能特性将有效提升整体效率。

12英寸碳化硅技术，将进一步提升其在新能源汽车等终端市场的竞争力，以满足下游市场对碳化硅“降本增效”的迫切需求。同时，AR眼镜（光波导）和AI芯片先进封装（中介层）等领域对12英寸碳化硅技术的需求也日益凸显：

AR眼镜（光波导）：根据Meta公开资料，一片6英寸碳化硅衬底仅可满足2副AR眼镜生产，如果8英寸和12英寸衬底，镜片产出量可翻倍增长，单片成本也有望大幅降低。

AI芯片先进封装（中介层）：英伟达计划在其新一代Rubin处理器的开发蓝图中，将CoWoS先进封装环节中的中介层材料，由硅换成12英寸碳化硅衬底，最晚将在2027年导入。

展望未来，天成半导体表示，公司将继续聚焦大尺寸碳化硅单晶材料的产业化技术，以先进成熟的工艺能力为基石，致力于为客户提供碳化硅材料生产中高品质、高可靠性的“装备+耗材+工艺服务”一体化解决方案。公司也将秉承“创新·高效·坚韧·务实”的企业精神，向“助力中国半导体产业健康持续发展”的企业愿景不断迈进。