美光宣布1γ DRAM开始出货：引领内存技术突破，满足未来计算需求

美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代CPU设计的1γ（1-gamma）第六代（10纳米级）DRAM节点DDR5内存样品。得益于美光此前在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM节点的领先优势，1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。美光1γ DRAM节点将首先应用于其16Gb DDR5 DRAM产品，并计划逐步整合至美光内存产品组合中，以满足AI产业对高性能、高能效内存解决方案日益增长的需求。该款16Gb DDR5产品的数据传输速率可达9200MT/s，与前代产品相比，速率提升高达15%¹，功耗降低超过20%²。





1γ DRAM节点的重要性

随着AI在数据中心和端侧设备的普及，用户对内存的需求达到了前所未有的高度。美光迈向1γ DRAM节点，将助力客户应对亟待解决的核心挑战：

●  提升性能 — 基于1γ节点的DRAM性能卓越，能够支持从数据中心到端侧设备的多种内存产品实现计算扩展，满足未来AI工作负载的需求。
●  降低功耗 — 美光1γ节点采用下一代高K金属栅极CMOS技术，结合设计优化，功耗降低了20% 以上，并实现更优的散热。
●  提升容量密度产出 — 美光1γ节点采用EUV光刻技术，通过设计优化和制程创新，使单片晶圆的容量密度产出较上一代提升30% 以上³，从而实现更高效的内存供应扩展能力。

“美光凭借开发专有DRAM技术的专长，结合对EUV光刻技术的战略运用，打造出基于1γ节点的先进内存产品组合，助力推动AI生态系统发展。1γ DRAM节点实现了更高的容量密度产出，彰显了美光卓越的制造实力和效率，并使我们能够扩大内存供应的规模，满足行业日益增长的需求。”

美光执行副总裁暨首席技术与产品官
——Scott DeBoer

美光在经过多代验证的DRAM技术和制造策略的基础上，成功打造出优化的1γ节点。1γ DRAM节点的创新得益于CMOS技术的进步，包括下一代高K金属栅极技术，它提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸，从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。此外，通过采EUV光刻技术，1γ节点利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。同时，通过在全球各制造基地开发1γ节点，美光可为行业提供更先进的技术和更强的供应韧性。

“美光再次引领行业，推出全球领先的内存技术。1γ DRAM制程凭借其卓越的能效和出色的性能取得了突破性的成就。美光1γ DRAM产品将提供可扩展的内存解决方案，涵盖从数据中心到端侧设备等各个领域，助力AI生态系统发展，确保我们的客户能够应对行业日新月异的需求。”

美光执行副总裁暨首席商务官
——Sumit Sadana

推动云端至端侧的产品变革

1γ节点作为未来产品的基石，将被全面整合到美光的内存产品组合中：

●  数据中心 — 基于1γ的DDR5内存解决方案为数据中心提供高达15%的性能提升，增强能效，并支持服务器性能的持续扩展，使数据中心能够在未来的机架级功耗和散热设计中实现优化。
●  端侧AI — 1γ低功耗DRAM解決方案可提供更高的能效及带宽，提升端侧AI解决方案的用户体验。
·AI PC — 1γ DDR5 SODIMMs可提升性能并降低20%的功耗⁴，从而延长续航，优化笔记本电脑的用户体验。
·移动设备 — 1γ LPDDR5X 可提供卓越的AI体验，延续美光在移动设备领域的领先地位。
· 汽车 — 基于1γ的LPDDR5X内存可提升容量、耐用性和性能，同时传输速率高达9600MT/s。

行业引语

“我们很高兴看到美光在1γ DRAM节点方面取得的进展，并已开展对美光1γ DDR5内存的验证工作。我们致力于通过下一代AMD EPYC（霄龙）数据中心产品以及全系列消费级处理器，持续推动计算生态系统的发展，因此与美光的紧密合作至关重要。”

AMD服务器平台解决方案工程部门企业副总裁
——Amit Goel

“美光1γ 节点的进步为英特尔服务器和AI PC带来了显著的功耗及容量优化。我们很高兴看到美光在DRAM技术方面的持续创新，并期待基于这些优势进一步提升服务器系统的性能和PC的续航。英特尔正在通过其严格的服务器验证流程，对美光1γ DDR5 内存样品进行验证，从而为我们的客户提供高品质、体验一流的服务器系统。”

英特尔内存与IO技术副总裁兼总经理
—— Dimitrios Ziakas博士

符合条件的客户及合作伙伴可以加入美光的DDR5技术支持计划（TEP），提前获取技术信息、电气和热模型，以及关于设计、开发和推出下一代计算平台的支持。

1 数据传输速率的提升基于对1γ DDR5内存产品预期速率的估算。
2 功耗降低效果依据1γ DDR5内存与1β DDR5内存的功耗（瓦特）对比计算所得。
3 单片晶圆容量提升的百分比，依据1β与1γ制程下晶圆整体容量密度的对比结果计算得出。
4 功耗降低效果依据1γ DDR5 SODIMM内存与1β DDR5 SODIM内存的功耗（瓦特）对比计算所得。