三星HBM4内存进入试生产阶段：计划2025年底量产

三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计，采用4nm试产。

HBM，即高带宽存储器，凭借其卓越的性能，在高性能计算（HPC）、人工智能（AI）以及图形处理（GPU）等前沿领域发挥着举足轻重的作用。

据知情人士透露，运行时发热一直是制约HBM发展的主要障碍，而在整个堆栈结构中，逻辑芯片更是发热的“重灾区”。因此，采用先进的制程技术对于提升HBM4的能效与性能表现至关重要。

在制造方面，三星不仅利用自家4nm技术制造逻辑芯片，还引入了10nm制程来生产DRAM，以打造更为出色的HBM4产品。

从行业数据来看，HBM4标准支持高达2048位的接口和6.4GT/s的数据传输速率。与HBM3E相比，HBM4的单个堆栈带宽已飙升至1.6TB/s，这一显著的提升使得内存系统的数据吞吐能力大幅增强，从而能够更有效地满足人工智能、深度学习、大数据处理以及高性能计算等领域对内存性能的严苛要求。

目前，三星的HBM4开发工作正稳步推进，预计将于2025年下半年正式投入量产。