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Kioxia 将于 IEDM 2024 揭晓新兴存储器技术

展示面向 AI、计算和存储系统的创新应用

Kioxia Corporation 是全球存储器解决方案的领导者,公司今日宣布,其研究论文已被 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 2024 接受发表。IEDM 2024 是享誉全球的国际盛会,将于 12 月 7 日 至 11 日 在美国旧金山举行。

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存储器层次结构(图示:美国商业资讯)

Kioxia 致力于半导体存储器的研发,这对于人工智能的进步和社会数字化转型至关重要。除了其最先进的 3D 闪存技术 BiCS FLASH™ 之外,Kioxia 在新兴存储器解决方案的研究方面也卓有成效。公司不断努力,以创新的存储器产品满足未来计算和存储系统的需求。

现有的计算系统利用 DRAM(一种主要的存储器,使 CPU 能够快速处理数据)以及闪存来存储海量数据。Kioxia 正引领存储级存储器 (SCM) 的研发,SCM 是一种位于半导体存储器层级结构中 DRAM 和闪存之间的存储器解决方案,旨在以比 DRAM 更大的容量和比闪存更高的速度处理数据。

在 IEDM 上,Kioxia 将揭晓针对这三种半导体存储器而定制的尖端技术: (1) 一种利用氧化物半导体的新型 DRAM,重点是降低功耗,(2) 适用于更大容量 SCM 应用的 MRAM,以及 (3) 具有更高比特密度和性能的新型 3D 闪存结构。

新兴存储器技术:

1. 氧化物半导体通道晶体管 DRAM (OCTRAM): 该技术由南亚科技和 Kioxia Corporation 联合开发。双方开发了一种垂直晶体管,通过改进制造工艺增强了电路集成度。同时,通过利用氧化物半导体的特性提升晶体管性能,实现了极低的电流泄漏。这有望降低各种应用的功耗,包括 AI、后 5G 通信系统以及物联网产品。

论文标题:具有 4F2 架构的氧化物半导体通道晶体管 DRAM (OCTRAM)(论文编号:6-1)

2. 高容量交叉点 MRAM 技术: 该技术由 SK 海力士和 Kioxia Corporation 联合开发。通过该技术,双方结合适用于大容量的选择器与磁性隧道结的单元技术,并应用交叉点型阵列的精细加工技术,在 MRAM 最小的单元半间距 20.5 纳米规模上实现了单元读/写操作。随着存储单元小型化,存储器可靠性往往会下降。双方利用选择器瞬态响应的新读出方法,并降低读取电路的寄生电容,开发出一种潜在的解决方案。该技术在 AI 和大数据处理方面具有实际应用价值。

论文标题:全球最小的 64 Gb 交叉点 MRAM 1Selector-1MTJ 单元的可靠存储器操作和低读取干扰率(论文编号:20-1)

3. 采用水平单元堆叠结构的下一代 3D 存储器技术: Kioxia 开发了一种新的 3D 结构来提高可靠性并防止 NAND 型单元性能下降。在传统结构中,堆叠层数增加通常会导致性能下降。与垂直排列 NAND 型单元的传统结构相比,新结构通过水平堆叠 NAND 型单元。这种结构允许以低成本实现高比特密度和高可靠性的 3D 闪存。

论文标题:先进水平通道闪存的卓越可扩展性,适用于未来几代 3D 闪存(论文编号:30-1)

有关 IEDM 的更多详情,请访问:https://www.ieee-iedm.org/

Kioxia 的使命是“用‘存储器’提升世界”,旨在通过存储器技术开创新时代,并将继续推动研发,支撑数字社会未来发展。

关于 Kioxia

Kioxia 是全球存储器解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory,于2017年4月从Toshiba Corporation(1987年发明了NAND闪存)剥离出来。Kioxia 致力于凭借存储器技术促进世界发展,该公司提供各种产品、服务和系统,为客户提供多样化选择,并基于存储器技术创造价值,推动社会的发展。Kioxia 创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心)的未来。

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