移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。
UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示：“我们通过更高性能的第四代器件扩充了 1200V 产品系列，为工程师将总线设计电压提高到 800V 提供了有力支持。在电动汽车中，这种电压升高无法避免；这些新器件支持四种不同的 RDS(on)（漏源导通电阻）等级，有助于设计师为每项设计选择合适的 SiC 器件。”
以下 SiC FET 出色的品质因数展现了全新 UF4C/SC 系列的性能优势：
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品质因数 |
数值 |
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RDS(on) • A |
1.35 mOhm-cm2 |
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RDS(on) • Eoss |
0.78 Ohm-uJ |
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RDS(on) • Coss,tr |
4.5 Ohm-pF |
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RDS(on) • Qg |
0.9 Ohm-nC |
所有 RDS (on) 选项（23、30、53 和 70 毫欧）都采用行业标准的 4 引脚开尔文源极 TO-247 封装，以更高的性能水平提供更清洁的开关。53 和 70 毫欧的器件也可采用 TO-247 三引脚封装。该系列器件采用先进的银烧结芯片贴装和晶圆减薄工艺，通过良好的热性能管理实现了出色的可靠性。
此外， FET-Jet Calculator™ 免费在线设计工具支持所有 1200V SiC FET；可以即时评估在各种 AC/DC 和隔离式/非隔离 DC/DC 转换器拓扑结构中所用器件的效率、组件损耗和结温上升指标。它可以在用户指定的散热条件下比较单个和并联器件，以获取优化解决方案。
全新 1200V 第四代 SiC FET 售价（1000 件起，美国离岸价）为 5.71 美元 (UF4C120070K3S) 到 14.14 美元 (UF4SC120023K4S) 。 所有器件均通过授权经销商销售。
Qorvo 的碳化硅和电源管理产品面向工业、商业和消费电子领域的充电、驱动和控制应用。