我们将首先检查典型晶体的电抗与频率曲线。凭借这些知识,我们将看看两个不同的振荡器拓扑,并讨论电路结构如何迫使晶体以特定频率振荡。
基于此讨论,我们将能够查看平行和系列晶体的定义 - 两个有时会引起混乱的技术术语。
晶体具有两个共振频率
晶体的等效电路如图1所示。
图1。图像由Stmicroelectronics提供。
基于此模型,我们可以找到如图2所示的典型石英晶体单元的电抗和频率曲线:
图2。图像由柏树提供。
为了了解晶体的操作,让我们假设晶体是理想的,而R m可以忽略不计。因此,在晶体电气模型的下部分支中,我们串联具有L M和C M。
当L M和C M串联共振时,它们的阻抗相互抵消。在此频率下,下分支的阻抗以及因此,整个晶体的总阻抗降至零。这对应于图2中的f s,通常称为晶体的串联谐振频率。请注意,c o 不会影响此频率的值。
在F s上方,L m的电抗比C M的电抗更大,我们观察到晶体表现出感应行为。这种有效电感(L M和C M的串联组合)的电抗随频率和一定频率(F a)的增加而增加,它变得等于晶体模型中C的抗性。在这一点上,我们有效地具有共振和晶体接近无穷大的总阻抗。频率F A称为抗谐振频率。该频率总是高于串联谐振频率。
晶体将在什么频率下振荡?
我们看到晶体具有两种共振模式。在F S和F A上,晶体的阻抗都是电阻的。在f s时,电阻很小。但是,在抗谐振频率下,晶体接近无穷大的等效阻抗。
现在要问的问题是,在振荡器电路中使用时晶体将在哪个频率下振荡?
答案是,这取决于振荡器拓扑。
在振荡频率下,振荡器的环增益必须等于或大于一个,其相移应为2π的积分倍数(正反馈)。这些条件决定了晶体的振荡频率。
例如,考虑图3所示的振荡器。
图3
在这种情况下,放大阶段的相移是2π的积分倍数。因此,在振荡频率下,由晶体和R 1引起的相移应为零。可以在晶体具有纯电阻阻抗(F s和f a)的频率下实现此零相移。
在F s处,晶体的阻抗是的,因此,晶体和r 1产生的电压分隔符如上图所示。因此,通过上述排列,电路可以在f s处振荡。
图4中描述了另一种振荡器拓扑,通常称为Pierce-Gate振荡器。
图4。一个示例Pierce-Gate振荡器。图像由拉蒙·塞尔达(Ramon Cerda)提供。
通过此拓扑,放大器提供180°的相移。因此,R S,C 2,C 1和晶体的网络应提供180°的额外相移以满足振荡相条件。随着放大器输出信号通过反馈路径传播,它经历了从晶体和C 1组合的某些相移。此相移的量取决于信号频率。
在f s下,晶体充当电容器,从x 1和c 1的相移接近0°。在F s,晶体具有电阻性阻抗,这种相移约90°。在F s上方,晶体表现出感应行为,相位移位可以接近180°。
实际上,R S和C 2提供的相移小于90°,??因此,X 1和C 1的组合需要提供90°以上。这就是为什么晶体需要在其感应区域的某个位置(图2中的F S和F之间)操作。
平行谐振和串联振荡振荡器
上面的讨论表明,石英晶体可以根据振荡器拓扑结构的 频率(F s)和抗谐振频率(F a )之间的任何频率振荡。
许多常见的振荡器电路,例如Pierce,Colpitts和Clapp Style振荡器,在F S和F a之间的区域中运行晶体。该区域通常称为“平行共振区域”,迫使晶体在该区域运行的振荡器称为“平行谐振振荡器”。
迫使晶体在f s下运行的振荡器不是很常见。这些振荡器称为“串联振荡振荡器”。值得一提的是,抗谐声点在振荡器设计中不使用。
平行和串联谐振晶体
水晶行业中有两个技术术语偶尔会引起混乱:“平行谐振晶体”(或简单的平行晶体)和“串联谐振晶体”(或串联晶体)。
平行晶体旨在用于并联谐振振荡器中。由于平行谐振振荡器在FS和F a之间操作晶体,因此平行晶体的名义频率是该范围内的频率,即在晶体的“平行共振区域”中。
另一方面,系列晶体旨在用于串联振荡器中。因此,晶体的标称频率与其串联谐振频率(F s )相同。
这两种类型的晶体之间有任何物理差异吗?
我们知道,每个晶体都有其特定的串联谐振频率和“平行共振区域”。而且我们可以在这两个共振条件下的任何一个中操作给定的晶体。因此,平行晶体和串联晶体的物理结构没有差异。
这两个术语仅涉及晶体以标称频率振荡的条件。
它们是否用哪种类型的振荡器拓扑来指定晶体将达到其名义频率?它是平行谐振振荡器还是串联谐振类型?
负载电容
负载电容是指晶体应在其末端“看到”的外部电容的量。使用串联共振振荡器,振荡器反馈路径中没有反应性成分(请参阅图3中所示的示例振荡器)。这就是为什么对于串联晶体而言,负载电容并不重要(并且未指定)。
但是,使用平行晶体,负载电容是一个关键参数。在这种情况下,晶体用于其电抗曲线的电感??区域。并且,晶体形成具有外部负载电容的LC储罐。因此,负载电容的值起着关键作用并确定振荡频率。
当连接到其指定的负载电容时,实际上在工厂校准了平行晶体以其标称频率振荡。为了达到标称频率,我们的应用板应提供相同的负载电容。