创新电源解决方案驱动AI数据中心增长

问：安森美的这项解决方案可以应用于大型制造业工厂吗？
答：可以的，这个看你们的功率需求，我们有单管和模块方案，支持的功率可到1MW

问：电源解决方案解决的是什么
答：主要针对高功率的服务器电源的应用进行分析解答

问：有相关AI电源的资料吗？
答：可以联系onsemi

问：碳化硅（SiC）MOSFET和中低压MOSFET技术与传统技术相比效率可以提高多少？
答：这个根据不同的型号来说，区别比较大，但总体至少在30%以上。同时实现更高开关速度，更低导通内阻，满足日益增长的高功率密度需求

问：AI数据中心对电源有哪些新要求？安森美的方案有哪些新提升？
答：主要是效率和功率密度，而ONSEMI的方案可以更好的提供这些指标，如ELITE SICMOSFET 和CJFET

问：数据中心电源架构也是前级PFC+DCDC吗
答：是的，PFC+DC-DC。

问：当前AI电源转换效率已达95%以上，未来通过哪些技术突破至更高水平？
答：对原厂来说可以通过对MOS管的更新迭代进行提升。在ODM端可以通过不断优化layout，选用新一代的拓扑进行设计优化

问：安森美碳化硅技术优势在哪里？
答：我们的SICMOS 第M3S对FOM进行优化，可以减少导通损耗及开关损耗等

问：与传统的硅基MOSFET相比，安森美的SiC MOSFET在服务器PSU的PFC（功率因数校正）电路中能带来怎样的效率提升？是否有具体的数据？
答：我们产品介绍里面都会有，尤其在同样RDSON的情况下，对比了竞品的损耗，我们的产品性能更优越。

问：主要有哪几种芯片？
答：这次研究主要针对SiC

问：主要有哪几种芯片？
答：这次演讲主要针对SiC MOSFET以及最新一代的中低压MOS，超低内阻用以实现AI服务器的高能效

问：效率提升量化： 与传统的硅基IGBT或超结MOSFET相比，在服务器电源的典型工作负载（如50%负载）下，采用安森美的SiC MOSFET预计能为PFC和LLC拓扑带来多少百分比的效率提升？
答：跟竞品比起来，通常知至少0.1%的提升。

问：安森美在该领域有何优势
答：效率高和高功率密度

问：EliteSiC系列有什么解决方案
答：目前ONSEMI有3kw server PSU以及12kW server PSU方案-基于Elite SiC设计，会在月底的PCIM展会上展出

问：应用于AI，电源如何解决散热问题？
答：对于高功率密度，我们在年底会推出顶部散热封装，更好的解决散热问题。

问：碳化硅材料的产品有哪些
答：SiC MOSFET以及CJFET都涵盖有SiC材料

问：安森美MODFET产品耐受冲击电压为多少？
答：这个根据不同器件的耐受冲击不一样，如650V,1200V等。

问：效率能达到多高？
答：目前的设计能满足最新一代的服务器设计要求ORV3，峰值效率达到97.5%

问：有仿真模型吗
答：我们有封装模型，推荐使用PLCES仿真。

问：想了解数据中心智能PDU未来发展方向
答：文档里面有说明，都是高功率密度和高效率发展

问：數據中心對電源有哪些特殊要求？
答：一是尺寸，二是效率。现在终端对ODM厂商要求要满足80PLUS认证或ORV3认证

问：M3对比M1有哪些区别
答：M3是最新一代，显著减小了die size

问：安森美的 SiC 与中低压 MOSFET 技术核心解决什么问题？
答：LV MOS，我们使用最先进的T10技术可以优化FOM等。SIC MOS，使用最新的M3S技术，也是优化了FOM等参数。

问：栅极驱动优化： 驱动SiC MOSFET有哪些关键注意事项？安森美是否提供与之完美匹配的专用栅极驱动IC，以确保快速开关并抑制振铃和过压？
答：对于驱动的话，要选择合适的驱动电流，其次在PCBlayout时要尽量减少驱动环路的面积等。

问：在数据中心电源方案选择时，是否低功率的选择传统Si技术有优势，高功率的选择SiC更有优势？
答：传统的Si MOS在Rdson以及开关速度上不如SiC，如果是要做高功率密度认证的设计，SiC有明显的优势。

问：安森美是针对 AI 数据中心的哪一痛点推出该技术方案？
答：高功率密度和高效率

问：安森美SiC器件适用于哪些拓扑
答：如 TPPFC, CLLC, FLYBACK, LLC，DAB等等。

问：碳化硅电源的设计原理是怎样的？带来哪些性能的提升？
答：区别于传统硅MOS，碳化硅在驱动电压上为-3V/18V。在开关损耗以及导通内阻上有明显的提升，进一步提升电源设计效率

问：同步整流优化： 在服务器电源的次级侧同步整流（SR）应用中，安森美的中低压MOSFET如何通过降低导通电阻（Rds(on)）和优化栅极电荷（Qg）来最大化效率？
答：降低RDSON 可以通过驱动电压失效，而对于QG的优化是通过我们的技术实现的，如T10技术等

问：onsemi在电源上的优势是什么
答：ONSEMI有满足各个电压段，不同的封装的产品。有丰富的产品线以及高可靠性

问：领先的碳化硅（SiC)常用的耐温是多少度，MOSFET和中低压MOSFET技术为服务器电源提供高效、高密度的解决方性能肯定很好，价格有点贵吗？
答：目前的市场SIC和LV MOSFET，都比较便宜。SIC的温度一般可以用到140°

问：在开关电源设计中SiC MOSFET能否完全替代IGBT应用？
答：在相似的耐压，过流参数下能完全替代IGBT。

问：拓扑结构推荐： 对于一款高达3kW+的钛金/白金级服务器电源，安森美推荐何种系统架构？例如，是否是基于“PFC（SiC） + LLC（SiC） + 12VSR（MOSFET） + 多相Buck（MOSFET）”的组合？
答：是的，你描述的结构完全正确。器件也是用SIC MOFET和LV MOSFET实现的

问：M3系列除了推荐的18V驱动外，可以用其他电压驱动吗？
答：可以的，但是我们会建议使用-3V/18V进行驱动。是为了避免高温下的Vgs温漂以及Rdson的最优值

问：EMI控制： 更快的开关速度意味着更大的dv/dt和di/dt。安森美的解决方案中包含哪些有助于从源头降低EMI的技术或设计技巧？例如，是否有斜率控制驱动技术？
答：对于EMI的控制，更依赖于外部电路，如X1电容，Y1电容以及工模和差模电感等。

问：功率密度提升： 除了器件本身，安森美能否提供整套的参考设计和仿真工具，帮助工程师在提升开关频率的同时，优化磁性元件（变压器、电感）的选择和布局，最终实现高于50W/in?甚至100W/in?的功率密度？
答：部分有参考设计，仿真工具我们推荐PLECS.

问：安森美是否有针对48V母线架构服务器电源的专用MOSFET解决方案？其性能特点是什么？
答：针对48V输出，我们推荐我们最新一代的T10低压MOSFET，最低1.5mohm的内阻。同时我们也有dual-cool封装进一步降低散热。此外也有source down封装减小EMI，增加散热速度

问：在追求高功率密度的设计中，MOSFET的封装至关重要。安森美提供了哪些先进的封装（如PQFN， Dual Cool等）来改善热性能和功率密度？
答：是的。如顶部散热等封装

问：对于服务器电源常用的LLC谐振转换器，安森美的SiC MOSFET相比IGBT方案在效率和热管理上有哪些显著优势？
答：效率更高，损耗更低。大大提高了开关频率

问：AI数据中心电源需要那些认证？
答：通常为CRPS，80PLUS和ORV3认证

问：安森美的全套解决方案（SiC + MOSFET）能否帮助单相服务器电源达到80 Plus钛金（Titanium）标准？在哪些负载点上优势最明显？
答：一般我们看50%和100%会有明细的优势。

问：封装技术演进： 安森美在Power MOSFET的封装方面（如LFPAK， PolarPAK等）有哪些创新？这些封装如何帮助减小PCB面积、降低寄生电感和改善热性能？
答：增加了双面散热，顶部散热，及source down

问：家电行业是否已经开始大规模采用SiC？
答：SIC还没有，在新能源方面已经完全量产。

问：安森美的中低压MOSFET在驱动易用性方面（如低阈值电压Vgs(th)和低Qg）做了哪些改进，以降低驱动电路的复杂性和损耗？
答：目前onsemi有standard gate Vsg=2-4V;以及logic gate Vgs=1-2V; 在Qg参数上，对比上一代我们有显著降低，使用logic gate器件时会有更低的导通损耗

问：产品路线图： 安森美在服务器电源领域的SiC和中低压MOSFET技术未来路线图是怎样的？例如，是否有计划推出导通电阻更低、封装更先进的下一代产品？
答：一直在持续改善器件的尺寸，以及FOM等参数。

问：碳化硅SIC MOSFET的体二极管，可以做续流使用吗？
答：可以的，和正常硅管是一样的。在LLC拓扑中，也会用来进行续流以实现ZVS

问：碳化硅SIC MOSFET的体二极管，可以做续流使用吗？
答：理论上可以做续流，但是需要评估系统的效率和损耗等

问：安森美在在DCDC上的优势是什么？效率比国内大一线大厂高吗
答：优势就是高效率，一般情况下对比竞品效率会高

问：请问，SiC MOSFET在服务器电源中最优的工作频率区间是多少？如何平衡高频带来的损耗与体积减小？
答：工作频率PFC,65KHZ， LLC200KHZ。损耗低了，散热就能减少，然后磁性器件的体积也能减少

问：请问安森美的SiC MOSFET产品线是否涵盖了从临界模式（CrM）到连续导通模式（CCM）PFC拓扑的全部需求？
答：是的，碳化硅能满足不同拓扑的需求

问：你们的中低压MOSFET的FOM具体是多少？
答：可以参考文档，比如说RDSON和QG的乘积等。

问：是否有针对AI数据中心GPU服务器所需的高功率电源的解决方案？
答：目前有满足3kw PSU以及12kw PSU方案会在月底的PCIM展会上进行展出

问：请问老师在LLC谐振变换器中，如何选择SiC MOSFET以优化轻载效率？
答：也跟控制器的模式有关。对于ONSEMI 的 SICMOSFET 推荐选择M3S的，能优化QG和Rdson

问：控制误差如何修正？？？
答：通过闭环控制

问：与硅基MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET在AI数据中心电源转换中有什么关键优势?
答：硅管和IGBT目前很难满足AI SERVER的高功率密度需求，目前在新一代产品设计中，SiC拥有超快开关速度，低导通内阻被厂家广泛使用

问：对于ZVS操作，SiC MOSFET的输出电容特性是否经过优化？
答：这个COSS是经过优化的

问：针对高密度设计，中低压OptiMOS采用顶部散热时，有哪些优化的PCB布局和散热方案？
答：可以参考文件给出的方案

问：我们SiC最高耐压多少？
答：1700V 分离器件

问：图腾柱PFC相比传统二极管桥PFC有哪些优化?
答：高效率

问：图腾柱PFC相比传统二极管桥PFC有哪些优化?
答：主要是取代二极管换成MOSFET，能极大提供效率

问：专家好，如何优化缓冲电路设计以充分发挥你们SiC MOSFET的高速性能？
答：我们有文档专门计算 了RC sunnber

问：AI电源有特殊要求吗？安森美的电源方案有哪些特色，除了AI应用，还可以用于那些方面？
答：光伏和新能源汽车等等

问：您好，你们的器件是否集成了温度传感或电流传感等诊断功能？
答：模块里面有，但是分离器件里面没有