中电网移动|移动中电网
 
中电网移动|移动中电网|高清图滚动区

Renesas RE01 1500KB业界能效最高ARM MCU开发方案

Renesas公司的RE01 1500KB是基于薄埋层氧化物上硅(SOTB)工艺技术的能效最高的Arm® Cortex®-M0+ MCU,在有源和待机状态下具有超低电流功耗,以及在低工作电压(1.62V)下高速工作频率64MHz.RE01 1500KB极大地延长了电池寿命,提供高性能.片上的1.5MB闪存满足需要存储大量数据如图像信息的应用.RE01 1500KB还有能量收获控制电路,超低功耗14位ADC(4uA工作),低功耗闪存编程(重写大约0.6mA),用于人机接口(HMI)的外设如MIP-LCD屏IF和2D图像引擎以及支持模拟手表的驱动时钟手动调整和安全功能.通信功能包括单个带PHY层的USB 2.0全速主/功能模块,两个串行外设接口,单个128位缓冲器以及单个32位缓冲器.连接到外部闪存的单个四路串行外设接口和两个I2C总线接口,五个串行通信接口(SCIg)和两个串行通信接口(SCIi),每个有16B FIFO.工作电压1.62 V 到 3.6 V.主要用在物联网应用(IoT)如混合式电子表,智能家庭/建筑物,健康管理,智能农业,结构监测和跟踪.本文介绍了RE01 1500KB主要特性,框图,Cortex-M0+ CPU框图以及评估板RE01 1500KB EVK主要特性和指标,主板和MIP-LCD扩展板框图与电路图,材料清单和PCB设计图.

 

The RE01 1500KB product is based on the SOTB™ process technology which realizes ultra-low current consumption in both active and standby mode and high speed operation (64MHz) at low voltage (1.62V), which is impossible to achieve with conventional bulk silicon processes. The RE01 1500KB product can significantly extend battery life and deliver high performance even for small batteries and energy harvesters power supplies that can supply only a small amount of current. The 1.5MB of on chip flash memory can be used for applications that require the storage of large amoun

查看全文

猜你喜欢
中电网移动|移动中电网|频道导航区